Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Автор: Дьячков, Сергей Александрович

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 150 с. ил.

Артикул: 301822

Автор: Дьячков, Сергей Александрович

Стоимость: 250 руб.

Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур  Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур 

ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. Развитие технологии кремний на изоляторе КНИ. Технологии создания структур кремний на изоляторе. Обзор существующих методов сращивания. Спекание кремниевых структур ситаллом или стеклом. Обзор свойств диэлектрических материалов. Свойства силикатных стекол. Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. ГЛАВА 3. Исследование электропроводности стекол. Исследование кинетики процесса анодного сращивания. Выводы к главе 3. ГЛАВА 4. АНОДНОГО СРАЩИВАНИЯ4
балочных выводов, трансформировавшийся в технологию получения диэлектрической изоляции на последних стадиях изготовления прибора после формирования электрической разводки графоэпитаксиальное наращивание слоев кремния на профилированное основание например, кварцевое стекло рекристаллизация слоя аморфного или поликристаллического кремния i ii формирование изолирующего слоя с помощью прокисления пористого кремния I или II ii xii ii i ii использующий имплантацию ионов водорода методы молекулярнолучевой эпитаксии на пористом кремнии и латерального эпитаксиального заращивания ЭР методы имплантации ионов кислорода или азота, а также кислорода и азота одновременно в кремниевую подложку методы IXi ii x, IIi ii i и I i ii x i, с использованием различных вариантов процессов имплантации и температурного отжига в том числе высокодозовую i и низкодозовую имплантацию vv , высокоинтенсивиую ионную имплантацию II , , метод сращивания кремниевых пластин I с последующим формированием тонкого иили толстого изолированного слоя кремния , , .


АНОДНОГО СРАЩИВАНИЯ4
балочных выводов, трансформировавшийся в технологию получения диэлектрической изоляции на последних стадиях изготовления прибора после формирования электрической разводки графоэпитаксиальное наращивание слоев кремния на профилированное основание например, кварцевое стекло рекристаллизация слоя аморфного или поликристаллического кремния i ii формирование изолирующего слоя с помощью прокисления пористого кремния I или II ii xii ii i ii использующий имплантацию ионов водорода методы молекулярнолучевой эпитаксии на пористом кремнии и латерального эпитаксиального заращивания ЭР методы имплантации ионов кислорода или азота, а также кислорода и азота одновременно в кремниевую подложку методы IXi ii x, IIi ii i и I i ii x i, с использованием различных вариантов процессов имплантации и температурного отжига в том числе высокодозовую i и низкодозовую имплантацию vv , высокоинтенсивиую ионную имплантацию II , , метод сращивания кремниевых пластин I с последующим формированием тонкого иили толстого изолированного слоя кремния , , . Существует множество других методов получения структур кремния с полной диэлектрической изоляцией, которые не
получили широкого распространения и тем не менее являются интересными и используются для получения и разработки специализированных схем, микромеханических устройств и датчиков , , , , . Среди перечисленных методов получения структур КНИ технология сращивания кремниевых пластин I и последующего утончения рабочего слоя кремния I или I занимает особое место, поскольку обладает практически безграничными возможностями реализации структур с высокими параметрами например, по качеству изолированного кремния, его толщине, толщине изолированного оксида, диаметра используемых подложек, возможности трехмерной интеграции и т. В структурах, полученных этим методом, кристаллографическое совершенство изолированного монокристаллического кремния сравнимо с качеством объемного кремния и зависит в основном от параметров исходных подложек и технологии утончения. Температурный диапазон методов сращивания от комнатной температуры до С. Объектами сращивания являются подложки из кремния, кварцевого стекла, ситалла, карбида кремния, алюмонитридной керамики, алундовой керамики, сапфира, металлов, композиционных материалов и т. На рис. I1И с использованием метода сращивания и газового скалывания аналогичный методу .

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.200, запросов: 229