Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники

Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники

Автор: Фатьянова, Галина Ивановна

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2005

Место защиты: Москва

Количество страниц: 248 с. ил.

Артикул: 2800774

Автор: Фатьянова, Галина Ивановна

Стоимость: 250 руб.

СОДЕРЖАНИЕ стр. Контроль и диагностика с помощью электронно и ионнолучевого оборудования. Методы электроннолучевой технологии. Заключение. Литература. Исследование влияния конфигурации магнитопровода на степень его насыщения. Выводы. Литература. Введение. Глава 4 Исследование функциональных элементов ионной оптики ионнозондовых установок. Метод моделирования ионнозондовых систем. Анализ систем с совмещнными полями. Влияние отклонения пучка от оптической оси при обработке плоского объекта на плотность тока электронного пучка. Литература. Выводы
электронами зонда. Ток, наведенный первичными электронами пучка, может быть измерен между металлом и полупроводником при наличии в окисле электрического поля обычно соответствующего разности потенциалов между металлом и полупроводником. Измеряемый ток соответс твует току поля и зависит от числа носителей, генерированных в окисле. Применение метода НТ для анализа приборов, созданных по МДПтехнологии, требует учета ряда их особенностей. Для предотвращения зарядки диэлектрического слоя и деградации структуры при работе на больших токах пучка это связано с получением приемлемого соотношения сигналшум необходимо стробирование электронного пучка.


В связи с этим хорошим дополнением к ним могут служить методы исследования образцов с использованием режима НТ, которые хотя и не дают численных значений, но способны быстро давать качественные картины распределения легирующих примесей, определять места аномально высокого или низкого лигирования. В основе методик анализа распределения легирующих примесей методами НТ лежит тот факт, что ширина обедненной зоны в полупроводнике зависит от концентрации свободных носителей заряда уровня легирования. В свою очередь сигнал НТ определяется эффективностью сбора носителей заряда, который сильно зависит от ширины обедненного слоя. При попадании электронного луча на поверхность образца часть электроннодырочных пар генерируется в обедненном слое, возникающем на границе металлполупроводник, и практически без рекомбинации дрейфуют в поле барьера к контактам. Другая часть электроннодырочных пар рождается за пределами обедненной зоны и достигает ее в процессе диффузии. Очевидно, что на этот процесс оказывает влияние рекомбинация носителей, которая уменьшает количество электроннодырочных пар, достигших обедненного слоя. Величина диффузионной компоненты НТ характеризуется длиной диффузии. Таким образом, сигнал наведенного тока состоит из двух компонент дрейфовая определяется шириной обедненного слоя диффузионная определяется длиной диффузии не основных носителей. Методика построения профилей легирования основана на различии механизмов формирования контраста в НТ в зависимости от уровня легирования и диффузионной длины не основных носителей. При низком уровне легирования ширина обедненной зоны очень чувствительна к изменениям его уровня. Вклад диффузионной компоненты в ПТ пренебрежимо мал, т. Поэтому контраст изображения определяется в основном дрейфовой составляющей, т.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.249, запросов: 229