Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства

Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства

Автор: Науменко, Наталья Васильевна

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2001

Место защиты: Калуга

Количество страниц: 113 с. ил.

Артикул: 313668

Автор: Науменко, Наталья Васильевна

Стоимость: 250 руб.

Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства  Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства 

1.1 Краткая характеристика фотопрмников для ВОЛС.
1.2 Проблемы технологии гетероструктур для фотоприемников .
1.2.1. Управление составом многокомпонентных ТР в процессе ЖФЭ
1.2.2. Проблема согласования параметров решеток.
1.2.3. Проблема получения чистого материала.
1.2.4. Проблема легирования и локализации рпперехода
в гетсроструктурах
1.2.5. Проблема защиты поверхности
1.3. Параметры фотоприемников.
1.4. Технические требования, предъявляемые к гетеро структурам
для излучателей
1.4.1. Электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев на
основе пОаАяР
1.4.2. Оптические свойства гетероструктур на основе твердых
растворов пОаАзР.
1.4.3. Основные конструкции светодиодов, используемые в ВОЛС.
1.5. Заключение.
Глава 2. Исследование процессов роста многослойных гетероструктур пОаАзРпР для рпфотодиодов систем ВОЛС
2.1 рпфотодиодь на основе двойных гетероструктур ДГС
2.2 Основные конструкции и требования к параметрам твердых растворов гЮаАзР для рпдйодов
2.3 Элементы технологии получения гетеросруктур на основе пОаАзР с низкой фоновой концентрацией примеси
2.4 Исследование основных характеристик гетероструктур
для рпфотодиодов
Глава 3. Исследование процесса выращивания двойных гетероструктур для быстродействующих излучателей систем ВОЛС
3.1. Технологические условия формирования двойных гетероструктур пОаАзРпР.
3.2. Электрофизические и оптические исследования ДГС типа ппр
3.3. Электрофизические и оптические исследования ДГС
типа прр
3.4 Испытание гетероструктур в макетах излучателей систем ВОЛС
Глава 4. Разработка промышленной технологии выращивания гетероструктур пРпОзАбР
4.1 Полный технологический цикл получения гетероструктур для элементов ВОЛС.
4.2 Основные техническо экономические показатели технологии получения структур ЭСФАГИ.
Выводы.
Литература


Повидимому, гетероструктуры 1пОаАзР 1пОаАз 1п Р наиболее благоприятны для планарной конструкции изза того, что скорость поверхностной рекомбинации у 1пР существенно ниже, чем у других соединений А3 В5 и составляет примерно 3 смс . В случае мезаконструкции возникает дополнительная задача пассивации поверхности. Р1пдиоды имеют наиболее простую конструкцию из всех ФП на основе гетероструктур. На рис. СаАь 1п Р. Такие диоды обычно изготовляют на основе гомо , или гетероструктуры , зонная диаграмма которой представлена на рис. Р1пдиоды для ВОЛС должны иметь мкость С 0. Т нА при С и квантовую эффективность г . Исходя из этих условий , автор работы проанализировал требования к конструкции р1п диодов на основе гомоструктур ТпОаАь Р 1пСаАз 1пР . При мкости диода С 0. Принимая во внимание , что коэффициент поглощения а в прямозонных ТР порядка 4 см1 для фотонов с Ьу Е , получаем внутреннюю квантовую эффективность Г ехра со 0 Время пролта носителей через слой объмного заряда 2. Однако в реальных диодах диффузионное время жизни и последовательное сопротивление диода завышают инерционность. Анализируя темновой ток как сумму дифузионного, генерационнорекомбинационного и туннельного токов с учтом выше сказанных требований к р1пдиодам для ВОЛС , определены оптимальные концентрации в 1области . Результаты этих расчетов суммированы на диаграмме рис. Оа0. Аб. На этой диаграмме штриховкой обозначена область, в которой туннельный ток дат недопустимый вклад в темновой ток . Для малых избыточных шумов необходимо иметь низкий темновой ток и мкость. Как уже отмечалось , для высокой квантовой эффективности ширина слоя объмного заряда должна быть СО 2мкм,что отмечено на диаграмме горизонтальной линией .

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.745, запросов: 229