Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками

Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками

Автор: Рябинин, Денис Геннадьевич

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2011

Место защиты: Москва

Количество страниц: 156 с. ил.

Артикул: 4915528

Автор: Рябинин, Денис Геннадьевич

Стоимость: 250 руб.

Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками  Получение термоэлектрических ветвей на основе твердых растворов Sb2Te3-Bi2Te3 для термостойких охлаждающих модулей со стабильными характеристиками 

Введение . Аналитически обзор литературы. Физикохимические свойства В2Тсз и 8Ь2Тсз. Структура В2Гсз. Химическая связь в В2Тез. Диаграмма состояния В Те. Диаграмма состояния 8Ь Те. Взаимная диффузия на границе металл полупроводник. Влияние взаимной диффузии в системе металл полупроводник на контактное сопротивление. Методы выращивания кристаллов теллурпда висмута. Метод Бриджмена. Зонная плавка. Магнстронныс распылительные системы. Расчт фазовых равновесий в многокомпонентных системах. Термодинамический расчет 3х компонентных диаграмм состояния с использованием данных, полученных из бинарных систем. Методы исследования . Описание процесса выращивания. Технологический процесс высокотемпературного отжига пластин. Контроль качества поликристаллических пластин. Измерение удельной электропроводности пластин. Компоновка вакуумной системы установки. Рабочая камера. Вакуумные насосы. Определение толщины покрытий. Измерение проводимости ветвей термоэлементов. Определение термоэлектрической эффективности X.


Некоторые предположения о виде связи можно сделать исходя из сравнения расстояний между В1 Те1, В1 Тс2 и Гс Те1 см. В1 и Те. Расстояние между квинтетами сравнительно велико, следовательно, можно заключить, что связь Те Те0 очень слабая. Этим и объясняется легкое расщепление кристалла но плоскостям . Драббл и Гудман 6 предположили, что она осуществляется силами тина вандерваальсовских. Некоторое различие в длинах этих связей можно формально приписать наличию большей ионной составляющей в связи ЕЙ Те,. Опыты Ханемана 7 подтверждают гипотезу Драббла Гудмана. Ханеман обнаружил, что адсорбция газов кислород, азот, окись углерода на свежссколотых поверхностях В Ге3 ничтожно мала. Это указывает на то, что ни поверхностях, ограниченных атомами Тс,, нет свободных связей, что они полностью насыщены и направлены внутрь квинтета. Дишраммы состояния ЕЛ Те и БЬ Те в области соединений ВТез и БЬЛез типичные дишраммы систем, образующих химическое соединение Рис. Рис. Линии ликвидуса и солидуса исрссскаются в точке максимума конгруэнтная точка, в которой составы расплава и твердой фазы совпадают. В общем случае диаграммы этого типа имеют две особенности, имеющие важное значение для технологии. Одна из них состоит в том, что в химическом соединении могут растворяться исходные компоненты. Область существования этих твердых растворов область гомогенности показана на рисунке 3 штриховкой. Атомы растворенного компонента образуют либо твердые растворы замещения располагаясь в местах атомов другого компонента и создавая антиструктурные дефекты, либо твердые растворы вычитания занимая места одноименных атомов и образуя вакансии в местах атомов другого компонента, либо твердые растворы внедрения располагаясь в междоузлиях. Во всех случаях, как правило, концентрация носителей тока изменяется. Предельная концентрация компонентов, растворенных в химическом соединении, зависит от температуры. Если предельная концентрация уменьшается при понижении температуры ретроградная растворимость, то медленное охлаждение выращенного из расплава соединения сопровождается распадом твердого раствора. При быстром охлаждении закалка образуется пересыщенный твердый раствор. Поэтому концентрацию избытка компонента и, следовательно, концентрацию носителей тока в случае ретроградной растворимости можно обратимо изменять отжигом материала при различных температурах с последующей закалкой. Другой особенностью рассматриваемых диаграмм является смещение максимума линии ликвидуса относительно вертикали аЬ см. Рис. В дальнейшем эту особенность условно называем смещением стехиометрии. В этом случае при кристаллизации стехиометрического расплава твердая фаза обогащается компонентом, в сторону которого смещен максимум. Твердую фазу стехиометрического состава можно получить кристаллизацией в равновесных условиях расплава со значительным избытком другого компонента или же быстрым охлаждением стехиометрического расплава и гомогенизирующим отжигом. Диаграмма состояния В1 Тс представлена на рисунке 4. Рис. Смещение стехиометрии В2Те3 исследовалось Саггтервайтом и Юром 8. Эгн авторы определили холловскую концентрацию носителей тока п и коэффициент термоЭДС а кристаллов, выращенных из расплава, объем которого намного превышал объем кристалла. Скорость кристаллизации ммч была достаточно малой для того, чтобы происходило диффузионное выравнивание состава расплава. Зависимости пи а от содержания теллура в расплаве показаны на рисунках 5 и 6. Рис. Рис. СаттерваЙт и Юр исходили из предположения, что атомы висмута и теллура, растворенные в стехиометрическом В2Т3, однократно ионизованы и, следовательно, концентрация электронов или дырок равна соответственно концентрации избыточных атомов теллура или висмута. По их данным максимум на кривой ликвидуса соответствует составу В ,5 и Те,5 . Смещение стехиометрии приводит к тому, что кристаллы теллурида висмута, полученные кристаллизацией из расплава стехиометрического состава, имеют проводимость 7типа. Теллурид висмута стехиометрического состава кристаллизуется из расплава, содержащего молярную долю Те 0,.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.305, запросов: 229