Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения

Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения

Автор: Шагаров, Борис Анатольевич

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 111 с. ил.

Артикул: 285889

Автор: Шагаров, Борис Анатольевич

Стоимость: 250 руб.

Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения  Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения 

1.1. Высокоомный компенсированный кремний, легированный глубокими
примесями.
1.2. Время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии и пути его
повышения.
1.3. Методы геттерирования примесей в кремнии.
1.4. Процессы термообработки в технологии соединений Аз В5.
1.5. Заключение.

Глава 2. Методики эксперимента
2 1 Аппаратура для термообработки и геттерирования.
2.2.0бьекты исследований и их приготовление.
2.3. Методы исследования параметров полупроводниковых материалов.

Глава 3.Разработка технологического процесса получения высокоомного
компенсированного кремния
3.1 .Гетгерирование примесей в кремнии силицидами тугоплавких металлов.
3.2.Исследование высокотемпературной диффузии глубоких примесей в кремнии.
3.3. Исследование возможностей применения низкотемпературного последиффузионного отжига для повышения параметров компенсированного кремния.
3.4. Оптимизация технологических режимов процесса получения кремния для СВЧтехники.
3.5. Заключение.
Глава 4. Полупроводниковые материалы группы Аз В5 в процессах термообработки
с специальными покрытиями.
4.1. Модификация свойств арсенида галлия при термообработке пластин с покрытиями.
4.2. Разработка технологии получения пластин антимонида индия с повышенной фоточувствительностью.
4.3. Заключение.

ЛИТЕРАТУРА


Значения коэффициентов диффузии межузельного золота 2 значительно превосходят этот параметр у МАК . Поэтому для не сильно дефектного материала процесс диффузии золота определяется скоростью отвода МАК на стоки, которыми могут служить различные дефекты структуры ,. В бездефектном материале протекание процесса диффузии золота зависит от скорости отвода МАК на поверхности пластины, которые в этом случае являются единственным стоком . Тогда выражение для к из 1. ПОС,2сЛи, 1. С 1 коэффициент диффузии и равновесная концентрация МАК, соответственно, с толщина пластины. Наиболее бездефектным в настоящее время является кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки, однако, и в таком материале наблюдаются свои особенности в толстых пластинах при определенных условиях может иметь место V образный профиль распределения концентрации золота . Появление такого профиля обусловлено недостаточной скоростью отвода МАК на поверхности пластины, изза чего в середине образца достигается критическое пересыщение по МАК и образуются дислокационные дефекты межузельного типа, которые в дальнейшем служат эффективными стоками для МАК. В кремнии, выращенном методом Чохральского, в качестве стоков могут выступать дефекты, связанные с преципитацией кислорода . Полагается , что любой тип структурных дефектов дислокации, дефекты упаковки, преципитаты кислорода и т. Сг более быстрого удаления избыточных межузельных атомов кремния на стоки. В случае кремния с дислокациями выражение для к из 1. СдаНа 4П, 1.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.245, запросов: 229