Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации

Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации

Автор: Сорокин, Константин Викторович

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 145 с. ил.

Артикул: 296654

Автор: Сорокин, Константин Викторович

Стоимость: 250 руб.

Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации  Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации 

1.1. Влияние имплантации различных ионов на свойства кремния.
1.1.1. Влияние облучения протонами.
1.1.2. Влияние имплантации ионов азота и аргона.
1.1.3. Влияние имплантации других ионов.
1.2. Физические основы работы приборных структур и влияние поверхности на их характеристики.
1.2.1. Особенности работы фотодиодов.
1.2.2. Физические процессы в реальном рппереходе.
1.2.3. Влияние поверхности на вольтамперную характеристику диода.
1.2.4. Методы устранения влияния поверхности.
1.3. Применение ионной имплантации в технологии изготовления полупроводниковых приборов.
1.3.1. Применение ионной имплантации для формирования рппереходов.
1.3.2. Применение ионной имплантации для модификации и управления свойствами ранее сформированных структур.
1.3.3. Применение ионной имплантации для формирования изолирующих слоев.
1.4. Выводы по литературному обзору.
Глава 2. Исследование влияния протонной обработки периферии планарных рппереходов на характеристики ртфотодиодов на кремнии.
2.1. Описание объекта исследования и методик экспериментов и измерений.
2.1.1. Маршрут изготовления ртфотодиода.
2.1.2. Методика измерения вольтамперных характеристик ртфотодиода.
2.1.3. Методика облучения протонами.











2.1.4. Методика измерения профиля удельного сопротивления.
2.1.5. Методика рентгеновских исследований.
2.2. Выбор режима облучения протонами и последующего отжига.
2.3. Моделирование влияния сопротивления поверхностного канала на темновой ток квадрантных рГпфотодиодов на кремнии.
2.4. Результаты комплексного исследования влияния облучения протонами на свойства кремния и характеристики ртфотодиодов.
2.5. Обсуждение результатов и заключение по второй главе.
Глава 3. Исследование влияния имплантации периферии диффузионных рппереходов ионами азота или аргона.
3.1. Описание объектов исследований.
3.2. Результаты исследований.
3.2.1. Структуры с прпереходами
3.2.2. Структуры с р ппереходами
3.3. Обсуждение результатов исследований.
3.4. Заключение по третьей главе.
Глава 4. Исследование возможности замены диффузионной технологии на ионноимплантационную.
4.1. Описание объектов исследования.
4.2. Результаты исследования.
4.3. Сравнение с диффузионными аналогами.
4.4. Результаты сравнения параметров фотодиодов, изготовленных по серийной диффузионной и экспериментальной имплантационной технологиям.
4.5. Заключение по четвертой главе.
Результаты и выводы по диссертации.
Литература


Исследование влияния имплантации периферии диффузионных рппереходов ионами азота или аргона. Описание объектов исследований. Результаты исследований. Обсуждение результатов исследований. Заключение по третьей главе. Глава 4. Исследование возможности замены диффузионной технологии на ионноимплантационную. Описание объектов исследования. Результаты исследования. Сравнение с диффузионными аналогами. Результаты сравнения параметров фотодиодов, изготовленных по серийной диффузионной и экспериментальной имплантационной технологиям. Заключение по четвертой главе. Результаты и выводы по диссертации. Литература. С.У0 УОгСД УСьСН УОгСД. Таблица 1. Параметры глубоких уровней в кремнии после облучения протонами и изохронного отжига. Ес0. Ес0. Ес0. Ес0. Ес0. Ес0. Ес0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Еу0. Рис. Авторы работ , высказывают предположение, что помимо описанного механизма образование второй волны РД может быть объяснено пассивацией первичных РД с образованием связей Н. Отмечается, что такая пассивация особенно эффективна для вакансионных РД, и вторая волна связывается с термической реактивацией этих дефектов за счет разрыва кремнийводородных связей. Как ясно из вышесказанного, система энергетических уровней РД претерпевает серьезные изменения в результате низкотемпературного отжига, что не может не оказывать влияния на свойства кремния. Исследованию воздействия протонного облучения и отжига на удельное сопротивление кремния посвящены работы , , . В работе исследовались пробеги протонов и распределение РД.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.195, запросов: 229