Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров

Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров

Автор: Студеникин, Павел Алексеевич

Шифр специальности: 05.27.06

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2001

Место защиты: Москва

Количество страниц: 135 с.

Артикул: 343201

Автор: Студеникин, Павел Алексеевич

Стоимость: 250 руб.

Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров  Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров 

Глава 1. Определение конгруэнтно плавящегося состава сложнозамещенных скандиевых гранатов. Морфологическая устойчивость процесса кристаллизации Атмосфера при выращивании кристаллов гранатов. Дефекты в кристаллах, выращенных по методу Чохральского Глава 2. Выращивание монокристаллов ИСГГСг, Ж, ГСГГСгЫс1 и ИСГГСгоУЬ из иридиевых тиглей диаметром мм. Апробация датчиков веса, для выращивания кристаллов ИСГГ и ГСГГ Стабилизация температуры охлаждающей воды. Этапы технологического процесса роста кристаллов ИСГГСг. ГСГГСгЫс1 и ИСГГСгНоУЬ из иридиевого тигля диаметром мм. Синтез шихты и тепловая экранировка тигля. Затравкодержатель. Наплавленис и разогрев тигля с расплавом. Доплавление тигля с расплавом. Отжиг кристаллической були в кристаллизационной камере. Очистка тигля от остатков расплава. Выводы. Глава 3. Температурные поля в расплаве и их влияние на процессы роста кристалла. Оборудование для измерения тепловых полей в тигле. Тепловые поля в расплаве и форма фронта кристаллизации при различной экранировке тигля.


Исследования этим методом систем СбгОзБсгОзАЬОз и УгОзСгОзАЬОз показали, что гадолинийскандийалюминиевый гранат ГСАГ имеет весьма ограниченную область существования, а для итгрийскандийшюминиевого граната ИСАГ существует непрерывный ряд твердых растворов со структурой граната типа Уз. А1уА1зО2 в диапазоне значений х0г0,3 у 0,5ч2. Ос2,0,Со. Авторами был реализован прямой способ определения КПС, основанный на измерении состава верхней и нижней части кристалла рентгенофлюоресцентным анализом. Предполагалось, что состав верхней части выращенного монокристалла находится наиболее близко к конгруэнтноплавящемуся соединению в системе. При этом в эксперименте состав каждого последующего расплава соответствовал составу верхней части предыдущего кристалла. Рс,ябао,з8аа0г. В заключение отметим, что результаты, полученные прямым и косвенным измерениями для ГСГГ в и соответственно достаточно хорошо коррелируют между собой. Однако, в случае прямого измерения состава, точность и достоверность получаемого результата КПС гораздо выше в силу следующих причин 1 определение конгруэнтного состава происходит без искуственного учета занимаемых компонентами позиций в структуре кристалла 2 исключается необходимость учета ошибки при определении параметра элементарной ячейки, которая неизбежна особенно в случае галлиевых гранатах изза существующих катионных и анионных вакансий , , , концентрация которых вдобавок ко всему изменяегся от верха к низу выращенного кристалла, что безусловно затрудняег поиск КПС с использованием параметра элементарной ячейки. Морфологическая устойчивость процесса кристаллизации.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.264, запросов: 229