Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера

Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера

Автор: Лысенко, Александр Павлович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2001

Место защиты: Москва

Количество страниц: 396 с. ил

Артикул: 329317

Автор: Лысенко, Александр Павлович

Стоимость: 250 руб.

Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера  Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера 

Введение. Эффект Ганна. Концентрационная нелинейность. Тэтапинч. Лавиннопролетные диоды. ТАРАТТрежим. Токовая неустойчивость в тиристорах. БИСПИНприбора 1
пьезополупроводниками. Ко второй группе отнесем такие кристаллы, как германий и кремний, для которых указанное взаимодействие гораздо слабее и определяется деформационным потенциалом. Взаимодействие звуковых волн с подвижными носителями заряда удобнее всего рассматривать в двух предельных случаях кЛ 1 и кЛ 1, где к волновое число фонона, Л средняя длина свободного пробега электрона. На ультразвуковых частотах длина волны звука Л обычно велика по сравнению с Л, так что кЛ 1. В этом случае для пьезоэлектрических полупроводников применима теория, разработанная Хатсоном и Уайтом , . Ту компоненты тензора механического напряжения, 5компоненты тензора деформации, Суы обычные модули упругости при постоянном электрическом поле, Рмтг пьезоэлектрические константы, Дс, Е компоненты вектора электрической индукции и электрического поля соответственно, виг тензор диэлектрической проницаемости.


Ко второй группе отнесем такие кристаллы, как германий и кремний, для которых указанное взаимодействие гораздо слабее и определяется деформационным потенциалом. Взаимодействие звуковых волн с подвижными носителями заряда удобнее всего рассматривать в двух предельных случаях кЛ 1 и кЛ 1, где к волновое число фонона, Л средняя длина свободного пробега электрона. На ультразвуковых частотах длина волны звука Л обычно велика по сравнению с Л, так что кЛ 1. В этом случае для пьезоэлектрических полупроводников применима теория, разработанная Хатсоном и Уайтом , . Ту компоненты тензора механического напряжения, 5компоненты тензора деформации, Суы обычные модули упругости при постоянном электрическом поле, Рмтг пьезоэлектрические константы, Дс, Е компоненты вектора электрической индукции и электрического поля соответственно, виг тензор диэлектрической проницаемости. Выражения 9 и 0 свидетельствуют о том, что в уравнения распространения звуковой волны должны входить члены, содержащие электрическое поле, и наоборот, в уравнение Максвелла должны входить члены, содержащие механическое напряжение. Эта теория макроскопическая в том смысле, что звуковая волна рассматривается как классическая, создающая возмущение в пространственное распределение носителей заряда. V дрейфовая скорость электронов, узв скорость звука, плотность вещества, к волновое число звуковой волны. Механизм усиления или поглощения звука в пьезоэлектрических полупроводниках можно понять следующим образом. Звуковая волна, проходящая через среду, наводит переменное электрическое поле.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.188, запросов: 229