Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники

Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники

Автор: Какурин, Юрий Борисович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2009

Место защиты: Таганрог

Количество страниц: 153 с. ил.

Артикул: 4414455

Автор: Какурин, Юрий Борисович

Стоимость: 250 руб.

Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники  Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники 

Введение
Особенности диффузии в неоднородных структурах твердотельной
электроники
Локальные неоднородные области, обусловленные дефектами кристаллического
строения структуры твердых тел
Аналитические модели процессов ускоренной диффузии в неоднородных структурах
твердотельной электроники
Модели процессов, диффузии в неоднородных структурах в полях внешних сил
Выводы и постановка задачи исследования
Численное моделирование процессов диффузии в неоднородных
структурах твердотельной электроники
Разработка численной модели процесса диффузии в неоднородных структурах
твердотельной электроники
Сравнительный анализ распределений атомов в неоднородных структурах
твердотельной электроники, полученных методами аналитического и численного
моделирований
Исследование влияния условий диффузии на особенности распределений атомов
примесей в неоднородных струкгурах твердотельной электроники
Выводы
Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах
твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений, а также внешних
электрических полей
Разработка численной модели распределения атомов в неоднородных структурах
твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений и внешних
электрических полей
Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и действия
полей упругих напряжений
Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и
электромиграции
Выводы
Применение численных моделей диффузии для оптимизации режимов формирования
элементов твердотельной электроники и прогнозирования их электрофизических
характеристик
Прогнозирование оптимальных технологических режимов процесса
геттерирования
Прогнозирование емкостных свойств варикапов на основе
рппереходов, сформированных в неоднородном
полупроводнике
Прогнозирование деградации электрофизических свойств элементов твердотельной
электроники на примере транзистора с металлической базой 3
Выводы
Заключение
Список использованных источников


Приложение 1. Фика. ЛНО. ТМБ, сформированных на их основе. ТМБ. Научная новизна. Таганрог, г. Международная научнотехническая конференция, г. Таганрог, г. Таганрог, г. Международные научные конференции, Кисловодск Ставрополь, г. Москва, г. НИР в ВНИИТЦ. Захаровым А. Проведено моделирование планарного геттерироваиия атомов примесей в кремнии. КЭФ2. С и 0С. ТМБ мелкозернистых метшшических пленок, таких как Со, XV, Аи,
В заключении сформулированы основные научные и практические результаты работы.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.202, запросов: 229