Методы контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме интегральных схем

Методы контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме интегральных схем

Автор: Шишкина, Наталья Александровна

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2007

Место защиты: Воронеж

Количество страниц: 92 с. ил.

Артикул: 3380391

Автор: Шишкина, Наталья Александровна

Стоимость: 250 руб.

Методы контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме интегральных схем  Методы контроля содержания паров воды в подкорпусном объеме интегральных схем 

Развитие интегральных схем ИС связано с увеличением степени интеграции, то есть числа элементов на кристалле, и функциональной сложности, что обеспечивается как уменьшением размеров элементов, в том числе ширины тонкопленочных проводников и зазоров между ними, так и увеличением плошали кристаллов. С увеличением степени интеграции повышается их чувствительность ИС к процессам, происходящим на поверхности кристалла, большинство которых связано с содержанием влаги внутри корпусов 2. Сконденсированные или адсорбированные на поверхности полупроводникового кристалла пары воды либо непосредственно участвуют в деградационных процессах, таких как коррозия металлизации, либо косвенно способствуют развитию разного рода механизмов отказа ИС. Отказы, связанные с воздействием влаги, составляют от общего их числа для гибридных ИС и для ИС в металлостеклянных и керамических корпусах 3. Как правило, наличие влаги на поверхности кристалла может вызвать одновременно несколько деградационных процессов с преобладанием одного, чаще всего коррозии 3, 4, 5.


Лишь в середине г. Транзистор была изготовлена партия этих датчиков, что позволило разработать методику их применения и провести эксперименты по определению содержания влаги в подкорпусном объеме серийно выпускаемых ИС. Поэтому считаем, что практическая проверка применения разработанных МЭДВ и разработка новых способов контроля влаги внутри корпусов ИС являются в настоящее время актуальными задачами. Работа выполнялась по теме ГБ Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах и ГБ Исследование полупроводниковых материалов, приборов и технологии их изготовления. ИС с помощью МЭДВ, или используя элементы ИС как датчики влажности, или по влагозависимым электрическим параметрам схемы и расчет необходимого количества циклов для выявления ИС с загрязнением кристалла. ИС с загрязнениями кристаллов. Разработана методика определения влаги в подкорпусном объеме ИС с помощью датчика влажности поверхностноконденсационного типа, на основании которой проведены измерения содержания влаги серийно выпускаемых ИС. Разработан способ неразрушающего определения содержания влаги в подкорпусном объеме ИС, используя элементы схемы как датчики влажно
3. Разработан неразрушающий способ сплошного контроля партий И С по содержанию влаги в подкорпусном объеме по измерению электрических параметров в диапазоне температур гС. Разработанный датчик влажности поверхностноконденсационного типа обеспечивает по сравнению с аналогом лучший выход годных датчиков с пластины кремния и возможность использовать его в корпусах любого размера и типа, а также повышенную точность за счет дублирования. По разработанному способу определения содержания влаги в подкорпусном объеме ИС рассчитано количество влаги в ИС типа ИП7 и ЛН1. На данный способ получен патент на изобретение . Разработан способ сплошного неразрушающего контроля ИС по содержанию влаги в подкорпусном объеме ИС. На данный способ контроля ИС подана заявка на изобретение. Опробована методика определения необходимого количества термоциклов для выявления ИС с загрязнениями кристаллов на ИС типов 4ИР1, ИМ4,ИД6, ИП4, ИП7, ИПЗ. Методика определения влаги с помощью датчика влажности поверхностноконденсационного типа. Неразрушающий метод определения содержания влаги в подкорпусном объеме ИС, используя ее элементы как датчики влажности. Способ сплошного неразрушающего контроля ИС по содержанию влаги в подкорпусном объеме, используя влагозависимые параметры. ИС с загрязнениями кристаллов. Основные положения работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах 9 и международной научнотехнической конференции студентов и аспирантов Радиоэлектроника, электротехника и энергетика Москва, , XV научнотехнической конференции Датчик Севастополь, Май международных научнометодических семинарах Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах Москва , XVI научнотехнической конференции Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления Севастополь, Май . XII и XIII международный научнотехнических конференциях Радиолокация, навигация, связь. Воронеж, апрель , й Всероссийской международной научнотехнической конференции студентов и аспирантов Микроэлектроника и информатика Зеленоград, апрель . ВГТУ Воронеж, . По материалам диссертации опубликовано научных работ, в том числе 1 в издании, рекомендованном ВАК РФ, получен патент и подана заявка на изобретение. В совместных работах автору принадлежит экспериментальная часть, поиск и разработка принципов новых способов контроля содержания влаги в подкорпусном объеме ИС, обсуждение результатов. Автор благодарен руководству завода Транзистор г. Минск за изготовление кристаллов датчиков поверхностноконденсационного типа и руководству завода ОАО ВЗПП за сборку кристаллов датчиков в корпус и предоставление возможности их измерения. Диссертация состоит из введения, трх глав, заключения и приложения. Работа содержит страницы текста, включая рисунков, таблиц, библиографию из наименования и приложения на 4 страницах.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.176, запросов: 229