Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака

Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака

Автор: Новоселов, Константин Петрович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 101 с.

Артикул: 290864

Автор: Новоселов, Константин Петрович

Стоимость: 250 руб.

Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака  Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака 

СОДЕРЖАНИЕ
Содержание.
Введение.
Глава 1. Обзор литературы.
Глава 2. Квантовохимическое изучение возможных газофазных реакций в
смеси дихлоросилана и аммиака
Введение.
2.1. Методика вычислений
2.2. Квантовохимические расчеты
Краткие выводы.
Глава 3. Структура кристатла нитрида кремния и механизм некоторых
поверхностных реакций.
Введение.
3.1. Методика вычислений
3.2. Результаты.
3.2.1. Структура и реконструкция поверхности
3.2.2. Реакции газофазных молекул с поверхностью кремния
3.2.3. Реакции газофазных молекул с поверхностными группами и
реакции между поверхностными группами.
Краткие выводы.
Глава 4. Расчет констант скоростей химических реакций и исследование
газофазной кинетики
Введение.
4.1. Расчет констант скоростей
4.2. Модель КТСУГ реактора.
4.3. Результаты.
Краткие выводы.
Глава 5. Стохастическая модель роста тонкой пленки нитрида кремния.
Введение
5.1. Описание модели
5.2. Методика расчета констант скоростей элементарных химических
реакций на поверхности нитрида кремния.
5.2.1. Реакции адсорбции и замещения.
5.2.2. Реакции десорбции.
5.3. Результаты вычислений
Краткие выводы.
Заключение.
Список литературы


В виду исключительной сложности процессов химического осаждения из газовой фазы, прямое экспериментальное определение характеристик, как самого процесса, так и его отдельных стадий оказывается практически невозможным. Поэтому в последнее время все больший интерес вызывают попытки описания роста пленок в условиях V на основе теоретического моделирования всех процессов, происходящих в реакторе. Ввиду
необходимости моделирования процессов, различающихся по временным и пространственным масштабам, такое моделирование принято называть многомасштабным i ii . Основу многомасштабного моделирования составляет атомистическое описание всех элементарных химических реакций, протекающих как в газовой фазе, так и на поверхности. Наиболее общий и надежный подход к атомистическому описанию элементарных процессов V состоит в использовании неэмпирических методов квантовой химии для расчетов поверхностей потенциальной энергии ППЭ и современных методов расчета скоростей реакций теории переходного состояния, теории мономолекулярных реакций, методов классических траекторий, и т. Неэмпирические квантовохимические расчеты некоторых возможных газофазных реакций в смеси i и 3 были выполнены в работах . Первое достаточно полное теоретическое изучение механизма химического осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака с учетом газофазных и поверхностных реакций, включающее квантовохимические расчегы и анализ кинетики на основе модельного реактора, было опубликовано в работе . Этот результат согласуется с экспериментальными данными, приведенными в 4,.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 2.094, запросов: 229