Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов

Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов

Автор: Итальянцев, Александр Георгиевич

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2009

Место защиты: Черноголовка

Количество страниц: 281 с. ил.

Артикул: 4421945

Автор: Итальянцев, Александр Георгиевич

Стоимость: 250 руб.

Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов  Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов 

Введение к Главе I
Феноменология 1енерации дефектов кристаллической структуры при твердофазных
реакциях
Термодинамические аспекты модельных представлений
Распределение молекулярного объема на границе раздела фаз
Несоответствие молекулярных объемов при зарождении и развитии
первой фазы из первичных компонентов
Несоответствие молекулярных объемов при зарождении и развитии
второй фазы из промежуточных компонентов
Энергия упругой деформации вокруг молекулы новой фазы.
Коэффициент выхода точечных дефектов
Степень приближенности модельных представлений. Оценка вклада не
учтенных потенциально возможных механизмов
Выводы к Главе I
Глава II. Пересыщения неравновесных растворов точечных дефектов при
твердофазных реакциях на поверхности кремния. Следствия единой модели.
Введение к Главе II
Предельные пересыщения кристалла точечными дефектами при
различных типах твердофазных реакций на его поверхности
Критерий кинетической открытости генерации точечных дефектов
при твердофазных реакциях
Критерии определения природы точечных дефектов, генерируемых при твердофазных
реакциях
Критерий прогноза первой и последующих фаз в системах с полифазной диаграммой
состояния
Аналитическая оценка энергии активации твердофазных реакции
Выводы к Главе II
Глава III. Сопоставление результатов модельной аналитики с
экспериментом
Введение к Главе III
Природа точечных дефектов, сопровождающих образование силицидов металлов и
термическое окисление кремния
Специфика изменения коэффициента диффузии примесных атомов в неравновесном
двухкомпонентном растворе собственных ТД
Пересыщение решетки кремния собственными междоузлиями при термическом окислении
кремния
Степень пересыщения вакансиями решетки под формирующимися слоями
силицидов 3
Справедливость правила первой и последующих фаз на примере экспериментальных
данных в системах 4i 7
Сопоставление энергии активации ТФР с расчетными данными
Выводы к Главе III
Глава IV. Эффекты в объеме кремния, сопутствующие твердофазным
реакциям на его поверхности
Введение к Главе IV
Эффект дальнодействия ТФР при отжиге ионноимплантированных слоев
Особенности электрической активации некоторых примесных атомов в при
термическом окислении его поверхности 5
Экзоэлектронная эмиссия с поверхности кремния, стимулированная образованием
силицидов металлов на его поверхности 0
Выводы к Главе IV
РАЗДЕЛ В. Генерация неравновесных вакансий, стимулированная отбором матричных
атомов с поверхности кристалла, и сопутствующие ей процессы
в объеме кристаллической решетки
Глава V. VIодель генерации неравновесных вакансий в условиях принудительного
отбора матричных атомов с поверхности кристалла Введение к Главе V 9
Обобщенная феноменология процесса
Термодинамические аспекты модельных представлений
Вероятность инжекции вакансий с поверхности в объем кристалла .
Опенка потока неравновесных вакансий с поверхности в объем кристалла
Влияние кристаллографической разориснтацин поверхности на поток
неравновесных вакансий с поверхности кристалла
Выводы к Главе V
Глава VI. Образование вакансий при стимулированном удалении
поверхностных атомов путем прямого химического травления кристалла Введение к
Главе VI 1
Условия выполнения общих модельных щраничений при химическом травлении
кристалла 2
Оценка предельной кристаллографической разориснтацин поверхности кристалла
относительно сингулярной грани 5
Экспериментальное подтверждение генерации неравновесных вакансий
при прямом травлении кремния
Выводы к Главе VI
Глава VII. Генерация неравновесных вакансий при фотостимулнрованной
сублимации поверхностных атомов
Введение к Главе VII
Выполнение критериев принудительного отбора поверхностных атомов при
фотостимулированной сублимации атомов кремния 0
Эффект ускоренной диффузии примеси в объеме кремния с i i генерацией
неравновесных вакансий 5
Оценка пересыщения вакансионного раствора в кремнии при фотостимулированной
сублимации ею атомов 8
Иллюстрация других эффектов фотонного воздействия на подсистему неравновесных
дефектов в бездислокационном кремнии 0
Глава VIII. Особенности эволюции кластеров собственных дефектов в
неравновесном двухкомпонентном растворе вакансий и междоузельных
Введение к Главе VIII
Канонические уравнения эволюции размеров кластеров в двухкомпонентном твердом
растворе собственных дефектов 1
Особенности описания эволюции кластеров при их эмиссионном распаде в процессе
быстрого на1рева кристалла 9
Виды неравновесных ситуаций в двух компонентном растворе точечных дефектов и
ожидаемый характер трансформации размеров кластеров 5
Методы достижения различных неравновесных ситуаций в подсистеме собственных
точечных дефектов 9
Выводы к Главе VIII
Глава IX. Вторичные эффекты вакансионного легирования и ОаЛБ
Введение к Главе IX
Архитектура дефектной инженерии на основе методов управления подсистемы
собственных дефектов 2
Эффекты вакансионного легирования в технологии ионно легированных слоев
1 4
Влияние стехиометрического отбора атомов бинарного кристалла на структурное
совершенство ОэАб 3
Модификация остаточного фона радиационнотермических дефектов в
ионноимплантированных слоях ваЛБ
Выводы к Главе IX ЗАКЛЮЧЕНИЕ Литература
Предметом диссертационной работы являются теоретические и экспериментальные
исследования генерации неравновесных собственных точечных дефектов ТД на
поверхности моноатомных кристаллов, т.е. образование неравновесных вакансий V
и собственных атомов в междоузсльных положениях решетки 1 при двух видах
физикохимических воздействий на поверхность кристалла. Каждый из этих видов
воздействий носит достаточно общин характер и может быть реализован в
качественно различных условиях эксперимента. Кроме того, к предмет
исследований относятся эффекты в объеме кристалла, которые сопутствуют
появлению неравновесных ситуаций в подсистеме собственных ТД кристалла,
обусловленной генерацией ТД на его поверхности.
Первый вид воздействия на кристалл связан с протеканием на его поверхности
твердофазных химических реакции ТФР, в результате которых образуется слой
новой твердой фазы. Такие ТФР могут наблюдаться как в исходно твердофазных
системах АХ,В1П, так и при взаимодействии поверхности кристалла В,в с
газовой или жидкостной средой, т.е. в системах А,аВ,в или АжВгв.
Применительно к наиболее распространенному и хорошо изученному кристаллу
полупроводниковой технологии кремнию, в качестве примеров ТФР в таких
системах можно привести реакции образования силицидов, окислов и нитридов
кремния. Сочетание трех видов исходных систем с различным агрегатным состоянием
исходных компонентов с многообразием химического состава возможных исходных
реагентов А и В и продуктов их реакции определяет широт спектра реализаций
Общий признак второго типа физикохимических воздействий на кристалл,
исследуемых в работе, прямое удаление матричных атомов
кристалла с его поверхности, т.е. удаление атомов без образования промежуточных
твердых фаз. Такой вид воздействий может быть реализован, например, при
некоторых видах химического и плазмохимического травления кристалла, при
стимулированной сублимации его поверхностных атомов, а также при
низкоэнергетическом радиационном распылении материала.
Среди сопутствующих эффектов в объеме кремния, вызванных инжекцией
неравновесных собственных ТД с поверхности в объем кристалла, в первую очередь
следует выделить ускоренную заторможенную диффузию примесных атомов,
изменение степени электрической активации внедренной примеси, а также
стимулированную эволюцию комплексов и кластеров различного происхождения.
Актуальность


РАЗДЕЛ А. Глава I. Энергия упругой деформации вокруг молекулы новой фазы. Степень приближенности модельных представлений. Глава II. Следствия единой модели. Глава III. Глава IV. РАЗДЕЛ В. Глава V. Вероятность инжекции вакансий с поверхности в объем кристалла . Глава VI. Глава VII. Глава VIII. Глава IX. ТД на его поверхности. А,аВ,в или АжВгв. V отсутствуют. Эти эффекты могут быть как целевыми, так и артефактами. Паучнаи новизна. ТФР на их поверхности. V или I ожидаемых ТД. Т8, СгБ, Р8 и т. Юг и ЗДгБ. ТФР. ТД. ТД заранее известной природы. Прикладная значимость результатов работы обусловлена следующими факторами. ТД. ТД. ЗиЭЮг. Публикации и доклады. Вклад автора в результаты работы. Структура работы. Библиография составляет 8 ссылок. РАЗДЕЛ А. ТФР на поверхности кристалла. ТФР. Мпленка структуре формируется при взаимодействии двух твердых фаз. ТФР на его поверхности. ТФР на его поверхности. ТФР. ТФР. ТФР модель генерации неравновесных ТД. ТД. ТФР эффекте возникновения дисбаланса молекулярных объемов. ТД, до настоящей работы отсутствовал. ТД при ТФР. ТФР. ТД при ТФР. ТД. ТД, а собственно к ТФР. ТФР. ТФР. ТД кристалла. Глава I. ТФР . ТД. I в процессе термического окисления . ТФР понимания проблемы, то такие работы, к сожалению, отсутствуют. МБ систем носят частный характер. Мху, БЮг, и фаз. ТД, благодаря которым эти напряжения релаксируют. Глава включает семь параграфов. ТД. ТФР. ТД.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.411, запросов: 229