Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)

Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ)

Автор: Николаенков, Юрий Кимович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Воронеж

Количество страниц: 125 с.

Артикул: 283817

Автор: Николаенков, Юрий Кимович

Стоимость: 250 руб.

1.1. Конструкции и принципы действия БТИЗ.
1.2. Статические вольтамперные характеристики
1.3. Переходные процессы при включении и выключении
БТИЗ на активную нагрузку и в схеме полумоста
Выводы по первой главе.
ГЛАВА 2. СТАТИЧЕСКИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ БТИЗ С ТОЛСТОЙ ИБАЗОЙ
2.1. Одномерная аналитическая модель для расчета распределения подвижных носителей в базе БТИЗ
2.2. Расчет падения напряжения на пбазе БТИЗ в статическом режиме.
2.3. Расчет коэффициента инжскции коллекторного рп перехода в БТИЗ
Выводы по второй главе.
ГЛАВА 3. МОДЕЛИ ДЛЯ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ
ВКЛЮЧЕНИИ БТИЗ С РАЗНЫМИ ВИДАМИ НАГРУЗОК
3.1. Диффузионнодрейфовая модель переходных процессов при включении длиннобазового БТИЗ с чисто активной
нарузкой
3.1.1. Анализ влияния трехмерных эффектов растекания
основных и неосновных носителей заряда в п базе на точность одномерной модели определения переходной характеристики БТИЗ при включении ключа
3.2. Расчет переходных процессов при включении БТИЗ в схеме полумоста с антипараллельным диодом и индуктивной нагрузкой
3.3. Расчет времени восстановления обратного сопротивления антипараллельного диода в схеме полумоста при включении БТИЗ.
Выводы по третьей главе
ГЛАВА 4. МОДЕЛИ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ
ВЫКЛЮЧЕНИИ БТИЗ С РАЗНЫМИ НАГРУЗКАМИ.
4.1. Расчет процесса выключения БТИЗ с чисто активной нагрузкой
4.2. Расчет переходного процесса при выключении БТИЗ на индуктивную нагрузку в схеме полумоста
4.3. Влияние индуктивности в цепи питания в схеме полумоста
на процесс выключения БТИЗ.
Выводы по четвертой главе.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


В данной главе представлен обзор развития новой техники силовых транзисторов, базирующейся на управлении по затвору МОП структур, анализируются тенденции технологии и параметры приборов. Биполярный транзистор с изолированным затвором I i i I БТИЗ появился сравнительно недавно в начале х годов, а получил повсеместное распространение в силовой электроники в х. Создать такой прибор удалось Ь. Дж. Балиге и его коллегам в научноисследовательской лаборатории фирмы 1,2. Аналогичный прибор, получивший название , был разработан в тот же период времени в научно исследовательской лаборатории фирмы 3. Первые БТИЗ имели прекрасные характеристики при плотностях прямого тока, в раз превышающих значения, характерные для МОПтранзисторов, и в 5 раз значения, характерные для биполярных транзисторов с коэффициентом усиления по току 4. Однако вовлечение неосновных носителей в процесс передачи тока обусловило низкое быстродействие приборов. Первые БТИЗ имели время выключения от до мкс. Для расширения области применения приборов, в том числе в электроприводах, оказалось необходимым управлять временем жизни носителей, чтобы уменьшить скорость выключения без ухудшения свойств управляющей МОПструктуры. Достичь этого удалось благодаря облучению электронным пучком, первоначально введенному для повышения быстродействия i диодов 5. Этот процесс дал возможность управлять временем переключения в диапазоне 0,0 мкс, что сделало БТИЗ уникальным многофункциональным прибором. С появлением таких приборов всерьез наметилась тенденция к полному вытеснению биполярных транзисторов.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.231, запросов: 229