Разработка и исследование методов проектирования цифровых заказных СБИС

Разработка и исследование методов проектирования цифровых заказных СБИС

Автор: Ковалев, Андрей Владимирович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2001

Место защиты: Таганрог

Количество страниц: 189 с.

Артикул: 332536

Автор: Ковалев, Андрей Владимирович

Стоимость: 250 руб.

Разработка и исследование методов проектирования цифровых заказных СБИС  Разработка и исследование методов проектирования цифровых заказных СБИС 

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. АДАПТИРОВАННЫХ К САПР ЭЛЕМЕНТОВ. Вспомогательные элементы для гибкой цоколевки блоков СБИС. Топологические микрофрагменты для изгиба блоков. Конструкции ПСМОПэлементов. Структура ПСМОП. Топология ПСМОПэлементов. Сравнительный анализ результатов моделирования ПСМОПэлементов
2. Выводы. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ СИНТЕЗА ТОПОЛОГИИ ЗАКАЗНЫХ СБИС. Методы размещения элементов и блоков СБИС. Алгоритм размещения разногабаритных блоков СБИС, основанный на методах имитации эволюции. Разработка генетических операторов. Релаксационный метод одномерного размещения элементов СБИС . СБИС. Выводы. Метод изгиба блоков. Выводы . ВНЕДРЕНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ 0
1. На данном этапе развития КМОПсхем актуальна задача разработки конструктивных вариантов логических элементов, обеспечивающих дальнейшее повышение степени интеграции вплоть до 8 вентилей на см2 и выше . Наряду с переходом к нанометровым размерам в традиционных КМОПсхемах предлагаются и новые конструкции самих транзисторов.


Однако совмещение каналов в планарном варианте требует дополнительных изменений в конструкции полевого транзистора. Субмикронные планарные совмещенные МОПструктуры ПСМОП на пподложке с диэлектрической изоляцией обладают хорошими электрическими характеристиками, допускают изготовление традиционными технологическими методами в рамках современных производств на мегафабах и минифабах производственных модулях, работоспособны при низковольтном питании. Первые ПСМОП логические элементы описаны в работе , там же приведено численное моделирование их статических характеристик. Отметим, что разработке и исследованию статики простейших планарных инжекционнополевых инверторов на сходных физических принципах с использованием полевого транзистора с управляющим выпрямляющим переходом были посвящены работы отечественных и зарубежных авторов В. Я. Кремлев, Б. Г. Коноплев, В. Vi . Субмикронная ПСМОПструктура на пподложке при технологической норме 0,3 мкм обеспечивает высокую плотность упаковки элементов вплоть до вентилей на квадратный сантиметр. Глубокосубмикронная ПСМОПструктура с диэлектрической изоляцией при норме 0,1 мкм обеспечивает высокую плотность упаковки элементов вплоть до вентилей на квадратный сантиметр . Переход на совмещенные МОПструктуры позволяет резко уменьшить их площадь на кристалле, например, в 5 раз по сравнению с КМОПэлементами . Высокая плотность размещения элементов интегральных микросхем создает большие трудности при реализации соединений между элементами. Поэтому оптимальность размещения элементов на поле кристалла определяет быстроту и качество их трассировки 1,,.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.188, запросов: 229