Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки

Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки

Автор: Клецов, Алексей Александрович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2003

Место защиты: Саратов

Количество страниц: 105 с. ил

Артикул: 2338387

Автор: Клецов, Алексей Александрович

Стоимость: 250 руб.

1.2. Эффекты, связанные с нелинейной зависимостью параметров ЛПД от амплитуды переменного сигнала, воздействующего на
1.3. Анализ результатов исследований характеристик СВЧтранзисторов в режиме большого сигнала.
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СВЧИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ НА ЛАВИННОПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ.
2.1. Экспериментальное исследование вольтамперных характеристик лавиннопролетных диодов в сильном СВЧполе
2.2. Модель лавиннопролетного диода, находящегося под воздействием сильного СВЧполя
2.3. Компьютерное моделирование характеристик в сильном СВЧполе
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СВЧИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ НА ПОЛЕВОЙ СВЧТРАНЗИС ГОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ.
3.1. Нелинейная модель СВЧусилителя на полевом транзисторе с барьером Шоттки в режиме большого сигнала.
3.2. Компьютерное моделирование сложных динамических режимов работы СВЧусилителей на СаАз ПТШ.

3.3. Исследование влияния СВЧизлучения высокого уровня мощности на работу полевого СВЧтранзистора с барьером Шотгки с учетом цепи обратной связи
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ВВЕДЕНИЕ


Учет детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧмощности позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольтамперных характеристиках лавиннопролегных диодов при воздействии на них высокого уровня СВЧмощности. При воздействии СВЧсигнала с постоянным уровнем мощности на ОаЛя ПТШ кратность субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала транзистора при постоянном уровне
мощности входного сигнала уменьшается с ростом напряжения в цепи питания истокзатвор ПТШ. Размер области существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала ПТШ на плоскости параметров входная мощность, активное сопротивление цепи обратной связи вдоль оси ординат имеет максимум. Колебательный процесс, возникающий в полевом транзисторе с малым значением потерь в контуре обратной связи, представляет последовательность радиоимпульсов с высокочастотным заполнением. Изменение параметров элементов цепи обратной связи в эквивалентной схеме реального ПТШ способствует либо хаотизации выходного сигнала транзистора в режиме усиления, либо его регуляризации. Iой Международной научнотехнической конференции Физика и технические приложения волновых процессов. IIой Международной конференции СВЧтехника и телекоммуникационные технологии КрыМиКо . Севастополь, Крым, Украина, г. Международной школе Хаотические автоколебания и образование структур. Россия, Саратов, г. Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе. МЭПП. Азербайджан, БакуСумгаит, г. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.190, запросов: 229