Тонкие эпитаксиальные пленки RBa2 Cu3 O7-b : Химическое осаждение из паровой фазы, структура и свойства

Тонкие эпитаксиальные пленки RBa2 Cu3 O7-b : Химическое осаждение из паровой фазы, структура и свойства

Автор: Самойленков, Сергей Владимирович

Шифр специальности: 05.17.19

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 1999

Место защиты: Москва

Количество страниц: 148 с. ил.

Артикул: 231355

Автор: Самойленков, Сергей Владимирович

Стоимость: 250 руб.

Тонкие эпитаксиальные пленки RBa2 Cu3 O7-b : Химическое осаждение из паровой фазы, структура и свойства  Тонкие эпитаксиальные пленки RBa2 Cu3 O7-b : Химическое осаждение из паровой фазы, структура и свойства 

Структура и сверхпроводимость 7. Оксидные высокотемпературные сверхпроводники. Кристаллическая структура 1. Сверхпроводящие свойства 7. Сверхпроводящие свойства твердых растворов Я хВа2x. К ЬаСЗ. Фазовые равновесия в системах КВаСиО. Условия термодинамической стабильности 7. Кислородная нестехиометрия 7. Фазовые отношения и кристаллические структуры фаз, принадлежащих системам К Ва Си О. Химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений V тонких пленок 7. Место МОСУГ среди методов получения тонких пленок ВТСП. Принцип метода МОСУЛ в применении кроспу пленок 7. Металлоорганические прекурсоры д1я получения пленок 7. Монокристаллические оксидные подложки для роста пленок 7. Оптимальныер Тусловия осаждения пленок 7. Выделения вторых фаз в эпитаксиа,ьных пленках 1 7. Применения пленок Ю1 7. МОСУЛ. Приготовление ТОНКИХ пленок 7. Синтез летучих металлоорганических соединений. Мопокристалшческие подложки. Установки МОСУО. Отжиги пленок в различныхр0Тусловиях. Изготовление СВЧ резонаторов и переходов на бтристалличсекой границе.


Эти наблюдения подтверждаются многочисленными исследованиями по гетеровалентному замещению в 7 Са У3 и Ьа На. Например, в работе показано, что Тс фазы проходит при замещении бария на лантан через максимум Тс К для состава УВазЬао. СизО. Это указьгоает на то, что концентрация дырок в УВагСизСЬ выше оптимального значения. На Рис. СлЮ. СиОг, к. Я3 и следующая из нее зависимость Тс фаз ЯВагСизСЬ от Ир . По этим данным, оптимальное значение концентрации дырок в слоях СО2 сосгав. Си. X о
0. Рнс. ЯВагСизО, содержащих Си1 и Си2, от ионного радиуса Я б зависимость температуры сверхпроводящего перехода ЯВагСизО от концентрации дырок в слоях СиО по данным значении Тс взяты из работы . Слоистое строение является Причиной анизотропии физических СВОЙСТВ ЯВагСизОтбНаибольшее различие наблюдается между характеристиками, свойственными направлению вдоль параметра с кристаллической структуры и направлениям, лежащим в плоскости аЬ. Тс К. Фактор анизотропии для слоистых сверхпроводящих купратов сильно возрастает с увеличением толщины блокового слоя Рис. Как можно видеть из рисунка, соединение УВа2Си7 является одним из самых изотропных ВТСП купратов для ЯВагСизСЬ измерены значения фактора анизотропии около 5 дЬ А, с А . Помимо того, фактор анизотропии убывает с увеличением допирования, о чем свидетельствует, например, систематическое исследование монокристаллов РВа2Си. Рис. Рис. Зависимость фактора анизотропии у и поля необратимости Я1ГГ от толщины блоковою слоя некоторых сверхпроводящих купратов.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.182, запросов: 241