Технология приготовления блочного катализатора сотовой структуры для II ступени окисления аммиака

Технология приготовления блочного катализатора сотовой структуры для II ступени окисления аммиака

Автор: Аслан Мухаммад

Шифр специальности: 05.17.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Москва

Количество страниц: 127 с. ил

Артикул: 329463

Автор: Аслан Мухаммад

Стоимость: 250 руб.

Технология приготовления блочного катализатора сотовой структуры для II ступени окисления аммиака  Технология приготовления блочного катализатора сотовой структуры для II ступени окисления аммиака 

I X, II и I процессы . Тип иона. Доза имплантации. Достехиометрический иошюлучевой синтез скрытого диэлектрического слоя в i. Модель роста ансамбля включений бинарной фазы. Приближение доминирующего стока. Учет диффузии примеси. Сравнение с экспериментом. Синтез нитрида кремния. Промежуточный слой фазы пространственное положение . Синтез тройной фазы оксинитрида кремния. Диффузионноальтернативно стоковая модель . Приближение доминирующего стока. Сравнение с экспериментом. Синтез тройной фазы в условиях фотовозбуждения Эг . Результаты и выводы второй главы. Приложения ко второй главе. Оценка роли Лапласова давления. Доли бинарных фаз в растущей фазе тройного химического состава. Ионный синтез через защитный слой окисла. Модель фотостимуляции дефектнопримесных реакций в . Приложения к третьей главе. Механические напряжения в ионнооблученных слоях. Численная оценка электростатических нолей вне и внутри разупорядоченных областей. Оценка температуры отжига дивакансий в поле деформаций. К примеру, показатель преломления полимера, особенно смеси РММА и Р, меняется с составом смеси от 1.


II результате брэгговской дифракции, электромагнитное излучение из некоторого частотного диапазона вообще не может распространяться
по любому направлению внутри кристалла. Это означает, что падающее извне излучение отражается, а внутри кристалла интенсивность поля экспоненциально спадает. Либо поле излучения некоторого внутреннего источника или захваченное в световод излучение оказывается локализованным в виде ближних полей вокруг источника или вокруг световода. Собственно говоря, рассуждения такого рода, но с разными целями, и привели i vi и v к введению понятия фотонной структуры. Согласно его рассуждениям, если край электронной зоны полупроводника перекрыть запрещенной зоной электромагнитного спектра фотонной структуры, то излучательная рекомбинация электронов и дырок будет запрещена, т. Коль скоро брэгговская дифракция приводит к появлению запрещенной зоны в электромагнитном спектре фотонных структур, то система геометрически упорядоченных в объеме рассеивателей, имеющих действительную и положительную величину диэлектрической приницаемости, в сочетании с умеренным локальным разупорядочением является средой, в которой возможно наблюдение экспоненциального спада интенсивности электромагнитного поля по мере увеличения расстояния от источника . После этого небольшого отступления, вернемся к практическим приложениям фотонных структур и рассмотрим пример микросвеговода с дефектом типа вакансии, изготовление которого осуществляется по КИИ технологии. На рис. Изображенная структура изготовлена из КНИ материала 0.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.228, запросов: 242