Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами

Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами

Автор: Левонович, Борис Наумович

Шифр специальности: 05.17.01

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2010

Место защиты: Москва

Количество страниц: 459 с. ил.

Артикул: 4905205

Автор: Левонович, Борис Наумович

Стоимость: 250 руб.

Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами  Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами 

Оглавление.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ПРОБЛЕМЫ ИНВЕРСИИ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ В
МОНОПОЛЯРНЫХ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2Вб.
11. Термодинамика точенных дефектов в полупроводниках А2Вб.
Самокомпенсация
1 2. Экспериментальные результаты управления типом дефектов и получение
инверсии типа проводимости в селенидах кадмия и цинка
13. Термодинамика примесного легирования полупроводников А2В6.
14 Экспериментальные результаты легирования селенидов кадмия и цинка
акцепторными примесными атомами
15 Управление проводимостью полупроводников А В с помощью ионного
легирования
16. Экспериментальные результаты инверсии типа проводимости в
полупроводниках А В с помощью ионного внедрения
17. Особенности структуры пленок соединений А В
18. Процессы рекристаллизации в поликристаллических пленках соединений
19 Влияние рекристаллизации на электрофизические свойства пленок соединений А2Вб.
1. Особенности электрофизических свойств поликристаллических
полупроводников
Выводы по литературному обзору. Постановка задачи
21. Методика роста, легирования и отжигов монокристаллов соединений
22 Методики определения состава исходных материалов
23. Методика приготовления поликристаллических пленок
24. Установки и методики измерения свойств материалов
2.4.1 Методика исследования структуры и топографии поверхности поликристаллических пленок
2.4.2 Методика и установка исследования фотолюминесцентных свойств
2.4.3 Методика и установка измерения спектральной зависимости электроотражения ЭО
2.4.4 Методика и установка измерения фотоэлектрических свойств полупроводников
2.4.5 Методика и установка измерения вольтамперных характеристик образцов
2.4.6 Методика и установка измерения эффекта Холла.
2.4.7 Методика измерения энергетических спектров обратнорассеянных
протонов ОРП.
ГЛАВА 3 УПРАВЛЕНИЕ ПРОВОДИМОСТЬЮ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2п8е и СсЬе ПУТЕМ ИЗМЕНЕНИЯ ОТКЛОНЕНИЙ СОСТАВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ОТ СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО И ПОСЛЕДУЮЩЕЙ ЗАКАЛКОЙ ВЫ
СОТЕМПЕРАТУРНОГО РАВНОВЕСИЯ.
3.1 Управление проводимостью селенида кадмия
3.1.1 Высокотемпературный отжиг селенида кадмия в в парах и расплаве кадмия
3.1.2 Исследования нестехиометрии образцов селенида кадмия, обожженных в парах кадмия и в расплаве кадмия.
3.1.3 Предварительная обработка синтезированных образцов перед определением в них концентрации растворенного кадмия.
3.1.4. Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при 0 К.
3.1.5 Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при К.
3.1.6. Определение нестехиометрии селенида кадмия, отожженного в парах кадмия при , и К
3 Оценка границы области гомогенности селенида кадмия.
3.1.8. Обсуждение результатов.
3.1.9 Отжиги в парах Бе.
3.2 Управление составом и проводимостью селенида цинка.
3.2.1 Отжиги в парах и расплаве п
3.2.1.1 Электрические свойства монокристаллов , легированных элементами III группы.
3.2.1.2 Фотолюминесценция монокристаллов , легированных элементами
III группы
3.2.2 Отжиги в парах Бе.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННОГО
ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ,
ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ СЕРЕБРА И ФОСФОРА.
41. Каналирование протонов в монокристаллах Ссе
42. Использование эффекта каналирования для исследования радиационных дефектов в монокристаллах СбЗе , легированных ионами серебра и фосфора
43. Определение профилей распределения ионов фосфора и серебра,
внедренных в монокристаллы СбБе .
44 Дефектообразование и восстановление структуры при бомбардировке монокристаллов плотными электронными пучкамина примере селенида цинка
ГЛАВА 5. СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОННЫМ ВНЕДРЕНИЕМ ЭЛЕМЕНТОВ УР, I А И
VI Бе ГРУПП
51. Свойства селенида кадмия, легированного ионами фосфора и аргона
511. Фотолюминесценция и фотопроводимость селенида кадмия, легированного ионами фосфора и аргона
512. Электроотражение монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами фосфора, азота и аргона.
513. Электрофизические свойства монокристаллов селенида кадмия,
легированных ионами фосфора
52. Свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами
серебра
521. Влияние имплантации ионов серебра на тип проводимости, концентрацию
и подвижность носителей заряда в монокристаллах СйБе.
522. Спектральные характеристики фотолюминесценции и
фоточувствительности.
523. Электрические и фотоэлектрические свойства структур
низкоомный
524. Имплантация ионов серебра в горячую мишень
53. Свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных ионами сслена.7 531. Влияние имплантации ионов селена на тип проводимости, концентрацию и подвижность носителей заряда в монокристаллах СбБе
532. Вольт амперные характеристики рп структур низкоомных и спектральная зависимость 1к.
533. Спектральные характеристики фотолюминесценции и фоточувствительности
534. Обсуждение результатов
ГЛАВА 6 ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ ПРИМЕСЯМИ.
61 Отжиги имплантированных примесями монокристаллов селенида цинка
электронными пучками.
62. Электролюминесценция и электрофизические свойства структур на основе .
621 Электролюминесценция и электрофизические характеристики диодов Шоттки на основе .
ГЛАВА 7. УПРАВЛЕНИЕ СВОЙСТВАМИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ СОЕДИНЕНИЙ А2В6 С ПОМОЩЬЮ ТЕХНОЛОГИИ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ.
71. Анализ проблем технологий получения фоточувствительных слоев ПОЛИ
кристаллических пленок соединений группы А В
72. Исследования свойств поликристаллических пленок до термообработки
на примере Ссе
722 Электрофизические свойства исходных микрокристаллических пленок на
примере СбБе.
723 Обсуждение полученных результатов.
73. Исследования свойств поликристаллических пленок после термообработки в различных условиях.
731 Изменения структуры пленок при отжигах
732 Изменения люминесцентных и электрофизических свойств пленок при
отжигах.
733 Обсуждение механизма фотопроводимости в рекристаллизованных поликристаллических пленках Се.
734 Влияние технологических факторов на изменения фотоэлектрические характеристики пленок , отожженных в атмосфере аргона
74. Изменения структуры и электрофизических свойств поликристаллических
пленок при отжигах в атмосфере паров селена.
75. Изменения структуры и электрофизических свойств поликристаллических
пленок Ссс при легировании примесями III и V групп
76. Приборы с применением рекристаллизованнных пленок и
Сб8еСи
77. Поликристаллические пленки С для пространственно временных модуляторов света ПВМС
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА


Следует отметить, что разработка методик низкотемпературного легирования, при которых концентрация легирующей примеси не будет ограничена медленными диффузионными процессами, может дать принципиальную возможность преодоления тенденции к самокомпенсации, т. Экспериментальные результаты легирования соединений А2Вб примесными атомами. Реальная ситуация, которая имеет место при легировании полупроводников, может оказаться значительно сложнее, нежели было изложено в 13. Это связано с тенденцией примесных атомов к образованию различного рода комплексов с дефектами стехиометрии и амфотсрностыо многих примесей, т. Если примесь растворена по механизму замещения, то знак е электрической активности донор или акцептор зависит от соотношения числа валентных электронов, которыми обладают примесный и замещаемый им атомы. Считается, что примесь действует как акцептор, если число валентных электронов примесного атома меньше, чем у замещаемого, и как донор, если картина противоположная. Из этих общих соображений ясно, что, например, акцепторными свойствами должны обладать элементы V группы при замещении ими подрешетки халькогена и I группы при замещении ими металла. Авторы работ ,, анализируя возможность получения инверсии тина проводимости в СбБ и СбБе, пришли к выводу, что этот эффект может иметь место в случае наличия в образцах мелких водородоподобиых акцепторов. Поэтому для выбора примеси, дающей мелкие акцепторные центры, авторы использовали чисто эмпирический подход они проанализировали зависимость энергии ионизации акцепторных примесей от соотношения ионных ковалентных радиусов атомов матрицы и замещающей примеси для случаев элементарных полупроводников и ряда полупроводниковых соединений. Достаточно хорошо известны спектры акцепторных уровней в , Ое, ваАв, ОаР. Взятые из работы данные приведены в таблице 3. Из этой таблицы ясно видны две тенденции вопервых, увеличение энергии ионизации с ростом ионного ковалентного радиуса примеси, и, вовторых, для сложных полупроводников энергия ионизации в случае замещения атома металла ва меньше, чем в случае замещения атома металлоида. Лприм Я матРК0В. Если предположить, что эта же тенденция выполняет
ся и для случая соединений АВ , то для селенида кадмия мелкими акцепторами могут выступать Ьта, К и, возможно, Си в случае замещения С1. В случае замещения Бе такими примесями могут быть и, возможно, Р. Генри и др. Р в пластинчатые кристаллы селенида кадмия, выращенные из газовой фазы. В легированных литием и натрием кристаллах были обнаружены полосы излучения, интенсивность которых коррелировала с концентрацией введенной примеси. Полосы были интерпретированы как результат рекомбинации эксигона, связанного на акцепторе. Энергетическое положение акцептора составляло Еа0,9 эв. Что касается случая легирования фосфором, авторы обнаружили мелкий акцепторный центр с Еа 0,3 эВ в легированных фосфором кристаллах, идентифицировав его как комплекс, в состав которого, наряду со стехиометрическими дефектами, входит фосфор. Накц см , получить инверсию типа проводимости не удалось. Мелкий акцепторный центр Еа 0,4 эВ наблюдался в . Показано, что этот центр обусловлен фосфором и существует только в узком температурном интервале термообработки кристалла Т 0МС. Знак основных носителей не определялся. Нирк легировал фосфором монокристаллы селенида кадмия в широком интервале температур и обнаружил, что фосфор проявляет акцепторные свойства только при температурах термообработки кристалла 0С, однако кристаллы оставались птипа . Баубинас и др. V группы в нелегированные высокоомные пефоточувствительные кристаллы, у которых, в результате введения примеси, фоточувствительность сильно возрастала, а проводимость оставалась птипа. По мнению авторов, наиболее предпочтительной моделью центров фоточувствительности являются центры типа УСЧ1Ю роль донора в которых играют элементы V группы. Таблица 1. БГС куб. Столь значительная разница результатов работ ,, и относительно характера уровней, образованных фосфором, может быть объяснена амфотерностью внедрения фосфора в кристаллическую решетку селенида кадмия.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.200, запросов: 242