Мощные неоднородные формирующие линии высокого напряжения микро- и наносекундного диапазона для создания на малоомной нагрузке импульсов, близких по форме к прямоугольным

Мощные неоднородные формирующие линии высокого напряжения микро- и наносекундного диапазона для создания на малоомной нагрузке импульсов, близких по форме к прямоугольным

Автор: Кожевников, Михаил Николаевич

Шифр специальности: 05.14.12

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Санкт-Петербург

Количество страниц: 161 с. ил.

Артикул: 256576

Автор: Кожевников, Михаил Николаевич

Стоимость: 250 руб.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Сзр. Неоднородные формирующие линии. Особенности консгрукции и изоляции мощных формирующих линий высокого напряжения . Постановка задачи йсследования. Построение минимизируемого функционала . Проблема отыскания начальных приближений параметров задачи. Выводы по главе . НАХОЖДЕНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ЯЧЕЕК В СХЕМАХ НЕОДНОРОДНЫХ ФОРМИРУЮЩИХ ЛИНИЙ С УЧЕТОМ ПОПЕРЕЧНОЙ ИНДУКТИВНОСТИ ЯЧЕЕК . Подбор параметров ячеек неоднородной формирующей линии при условии 1пксоп . Нахождение оптимальных параметров для получения импульса с предельно крутым фронтом. Нахождение оптимальных параметров для получения на постоянной активной нарузке импульса с наклонной вершиной . Выводы по главе . Методика исследования на низком напряжении импульсов, генерируемых формирующими линиями . Результаты исследования разряда конденсаторной секции на нагрузку . Влияние короткозамкнутой оправки секции на форму импульса . Выводы по главе. ИССЛЕДОВАНИЕ МАКЕТОВ НЕОДНОРОДНЫХ ФОРМИРУЮЩИХ ЛИНИЙ НА ВЫСОКОМ НАПРЯЖЕНИИ.


Таким образом, для получения на нагрузке прямоугольного импульса необходимо достаточно точное согласование сопротивления линии с сопротивлением нагрузки. Отрезок заряженной линии может быть использован для формирования прямоугольных импульсов, амплитуда напряжения которых в два раза меньше величины зарядного напряжения. Импульс с амплитудой равной полному зарядному напряжению можно получить в схеме двойной формирующей лиши . Здесь две идентичные линии с одинаковым волновым сопротивлением 7. Ян2г, включенное между двумя точками линий, находящимися при одинаковых зарядных потенциалах. Хотя длинная линия и является идеальным формирующим устройством, техническое ее использование при создании мощных высоковольтных источников питания приводит к большим габаритам, громоздким и сложным конструкциям и высоким стоимостям источников. Возникает задача построения вместо линии с равномерно распределенными параметрами схем из реактивных элементов, т. Линию с равномерно распределенными параметрами можно рассматривать, как состоящую из бесконечно большого числа элементарных ячеек, которые можно заменить конечным числом ячеек, состоящих из элементов Ья и Ся конечной величины. Тогда получим цепочечную искусственную линию рис. Электрические процессы, протекающие в элементах реальной и искусственной линии, вообще говоря, различны, но если число ячеек искусственной линии достаточно велико, то приближенно их можно считать идентичными. Для искусственной линии эквивалентом длины 1л будет являться число ячеек пя линии, эквивалентом волнового сопротивления величина
2 где 1.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.221, запросов: 237