Разработка и исследование метода проектирования технологических процессов выращивания монокристаллов для изделий микроэлектроники

Разработка и исследование метода проектирования технологических процессов выращивания монокристаллов для изделий микроэлектроники

Автор: Серов, Александр Алексеевич

Шифр специальности: 05.13.12

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2001

Место защиты: Москва

Количество страниц: 232 с. ил

Артикул: 340421

Автор: Серов, Александр Алексеевич

Стоимость: 250 руб.

Разработка и исследование метода проектирования технологических процессов выращивания монокристаллов для изделий микроэлектроники  Разработка и исследование метода проектирования технологических процессов выращивания монокристаллов для изделий микроэлектроники 

I. Глава 1. Состояние проблемы. II. Глава 2. Введение. Уравнения математической модели доя решения задачи Стефана. Разнесенная разностная сетка. Уравнения разностной схемы . Заключение к главе 2. III. Глава 3. Исследование разработанного метода проектировании. Введение. Стефана. Заключение к главе 3. IV. Глава 4. Структура и характеристики разработанного комплекса программ. Аз в условиях микрогравитации. Заключение к главе 4. VI. Литература . Приложение 1. Приложение 2. Разностная аппроксимация граничных условий. Приложение 3. Результаты исследования разностной схемы. Приложение 4. Проектирование технологических условий проведения процесса выращивания монокристаллов 0
объеме каждой из фаз. При ограничениях вычислительного характера, о которых будет упомянуто ниже, вид граничных условий и условия, определяющего скорость перемещения 1раницы раздела фаз определяется только физической моделью исследуемого процесса. Этот факт открывает широкое поле для исследовательской деятельности в области, как физики, так и технологии процесса кристаллообразования.


Исследование свойств созданной разностной схемы на двух тестовых задачах позволило на практике подтвердить теоретически доказанное положение о ее свойствах консервативности. Решение задачи Стефана при использовании разработанной разностной схемы может с успехом проводиться даже на грубых расчетных сетках. Результаты данной работы публиковались на разных этапах в печати и докладывались на международных конференциях 4 , 5 , 2 , 7 , 8 , 9 , 7 , 6, , 5 . Значительная часть промышленного производства объемных монокристаллов, производимых для изготовления изделий микроэлектроники, приходится в настоящее время па долю методов выращивания из жидкой фазы. Структурный состав данной модели в таком случае соответствует двум последовательно исполняемым технологическим стадиям процесса выращивания монокристаллов из расплава. На Рис. Исходные данные, вводимые перед началом выполнения проектных процедур, делятся на две группы конструкционную и технологическую. Операция ввода исходных конструкционных данных. Конструкционная группа исходных данных включает одноименные характеристики оборудования, используемого при выращивании монокристаллов. К ним относятся данные по геометрии технологического объема, в котором происходит процесс выращивания кристаллов, теплофизические и метрические параметры элементов конструкции электропечи и вспомогательного оборудования. Конструкционная фуппа исходных данных включает сведения о материале, из которого изготовлены нагревательные элементы, теплоизоляционный слой электропечи и их расположении. Рис. Блоксхема маршрута проектирования технологического процесса выращивания монокристаллов из расплава.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.309, запросов: 244