Оптимизация фрагментов цифровых БИС на комплементарных МДП структурах

Оптимизация фрагментов цифровых БИС на комплементарных МДП структурах

Автор: Толкодубова, Елена Ивановна

Шифр специальности: 05.13.05

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 1984

Место защиты: Ленинград

Количество страниц: 233 c. ил

Артикул: 4030953

Автор: Толкодубова, Елена Ивановна

Стоимость: 250 руб.

Оптимизация фрагментов цифровых БИС на комплементарных МДП структурах  Оптимизация фрагментов цифровых БИС на комплементарных МДП структурах 

Введение
ГЛАВА I. Свойства задач оптимизации фрагментов КМДП БИС,
построенных на базе алгебраической модели .
1.1. Задачи оптимизации КЩЩ БИС
1.2. Анализ функции, описывающих площадь схемы
на кристалле .
1.3. Анализ функций, описывающих время задержи схемы.
1.3.1. Формы функций времени задержки схемы
1.3.2. Анализ формул времен задержек сложных .
ЩЩ схем2
1.4. Учет параллельных проводящих путей ВДП транзисторов 3
1.4.1. Выявление и отбрасывание некритических вариантов переключения
1.4.2. Учет разновременности прихода сигналов на . вход каскада3
1.4.3. Введение упрощающих связей .
1.4.4. Переформулировка задачи оптимизации.Зб
1.5. Замена функции максимума на функцию среднего
1.6. Преобразование задачи оптимизации площади
схемы на кристалле
1.7. Форды задач геометрического программирования
для оптимизации КМДП БИС .
1.8. Исследование линий уровня функций времени задержки ЩДП схемы.
Выводы по главе I
ГЛАВА 2. Разработка метода решения задачи геометрического программирования для оптимизации ЩДП БИС
2.1. Прямая и двойственная задачи ГП для оптими
зации фрагментов КМДП БИС
2.1.1. Построение двойственной задачи Ш на основе . теории неравенств . о
2.1.2. Построение двойственной задачи ГП на основе теоремы КунаТаккера
2.1.3. Построение двойственной задачи ГП путем вы деления из стандартной формы .
2.2. Свойства двойственной задачи Ш
2.2.1. Недифференцируемость двойственной целевой функции .
2.2.2. Блочное свойство оптимального решения .
2.3. Методы Ньютона для двойственной задачи ГП
2.3.1. Метод I определения направления поиска
2.3.2. Метод 2 определения направления поиска
2.3.3. Важность двойственных множителей
2.3.4. Сравнение 2х методов 2ого порядка для двойственной задачи ГП
2.4. Модификация метода Ньютона.
2.4.1. Использование структуры двойственных
ограничений .
2.4.2. Использование блочной структуры двойственного оптимального решения
2.4.3. Учет простых граничных ограничений
2.4.4. Устранение недифференцируемости двойственной целевой функции
Выводы по главе 2 .
ПАВА 3. Особенности реализации метода оптимизации фрагментов КМДП РЛС результаты вычислительных экспериментов .
3.1. Принципы построения и структура пакета прикладных программ оптимизации.
3.2. Особенности практической реализации метода
3.3. Эффективная стартовая процедура .
3.4. Оценка временных затрат метода
Выводы по главе 3.
Заключение .
Литература


Однако, в различных условиях проектирования может быть выбрана любая точка на кривой Тор (&о), причем процесс принятия решения носит естественный характер. Задача оптимизации по комплексному критерию качества (1. Рис. Иллюстрации допустимых областей и характерные кривые зависимостей оптимальных значений целевой функции от изменения значения параметра в постановках задачи оптимизации фрагментов ШС. Таким образом, основными постановками задачи оптимизации КВДГС схем следует считать задачи (1. Именно они в дальнейшем и будут рассматриваться. С учетом основной цели данной главы - сведение задачи оптимизации ЩЩ1 ШС к геометрическому программированию - в следующих разделах выполняется анализ функций, входящих в формулировку задачи, на их принадлежность к классу позиномов. Точное значение площади схемы на кристалле становится известным только после разработки топологического чертежа схемы. Проектирование же топологии можно начать только после определения набора ширин каналов транзисторов V/- (М,. Мк) . Определение М , в свою очередь, составляет цель оптимизации схемы. Таким образом, значение площади схемы на кристалле для целей оптимизации можно вычислить лишь приближенно. По известному набору ширин каналов V/ можно с определенной точностью судить о площади схемы на кристалле . При оптимизации фрагментов ШС с целью сокращения размерности задачи обычно вводятся упрощающие связи, как правило линейные, между ширинами каналов транзисторов схемы. Лу, ! Таким образом, площадь ЩДП схемы на кристалле описывается линейной функцией (1. Причем позиномиальность функции, описыващей площадь КЩЩ схемы на кристалле, вытекает просто из характера алгебраической модели. Приведенный в данном разделе анализ включает в себя: во-первых, рассмотрение форм функций времени задержки схемы и установление круга исследований, показывающих, что время задержки может быть описано позиномиальной функцией; во-вторых, анализ формул времен задержек сложных ЩЩ1 схем, показывающий, что позиномиальность этих формул определяется позиномиальностыо приведенных сопротивлений каскадов и что в случае отсутствия параллельных проводящих путей ВДП транзисторов эта позиномиальность вытекает просто из характера алгебраической модели. Для целей оптимизации время задержки схемы определяется разработчиком в соответствии с техническим заданием исходя из внешних условий функционирования. L1J - время задержки схемы в L -ом варианте; и/=(иьу,иь) - набор ширин каналов транзисторов схемы, 6 - количество транзисторов схемы; Kl , 1-1,1: - весовые коэффициенты, назначенные в соответствии с техническим заданием. Однако проектировщик может конструировать любой критерий качества из времен задержек ti(w) г i-T/i . Более того, как будет показано в разделе 1. Все эти функции, выражающие критерий быстродействия схемы, являются частным случаем СМ-функции [] . В [] доказана теорема, утверждающая, что любая СМ-функция может быть сведена к функции максимума, и показано сведение СМ-функции (1. T(w) = (w), . Исследованию первого посвящены разделы 1. Простые функции" Ті(іЛ') являются по своей сути суммами времен задержек каскадов схемы в конкретных вариантах переключения, определяемых набором входных сигналов и (для схем с памятью) внутренних состояний. Поскольку известно, что сумма позиномов есть позином, то дальше будем рассматривать и обосновывать позиномиальность только времен задержек каскадов схемы. Время задерики ЩЩ каскада описывается алгебраической моделью [] для конкретного варианта переключения. Вариантом переключения схемы называется переходный проыесс в схеме под воздействием определенной совокупности входных сигналов и (для схем с памятью) внутренних состояний. Применение алгебраической модели вызывает следующие исходные допущения: идеальность ЩЩ транзисторов и КВДП схем; ступенчатость входных сигналов каждого каскада, а следовательно, и выходных, поскольку последние являются входами следующих каскадов. Идеальной называется ЩЦП схема, включающая только идеальные МДП транзисторы и идеальные связи медцу ними (сопротивления и емкости межсоединений равны нулю).

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.265, запросов: 244