Дефектообразование и технологии создания кремниевых подложек для интегральных схем вычислительной техники

Дефектообразование и технологии создания кремниевых подложек для интегральных схем вычислительной техники

Автор: Скворцов, Альберт Матвеевич

Количество страниц: 75 с. ил.

Артикул: 288809

Автор: Скворцов, Альберт Матвеевич

Шифр специальности: 05.13.05

Научная степень: Докторская

Год защиты: 1999

Место защиты: Санкт-Петербург

Стоимость: 250 руб.

Дефектообразование и технологии создания кремниевых подложек для интегральных схем вычислительной техники  Дефектообразование и технологии создания кремниевых подложек для интегральных схем вычислительной техники 

ОЧИН Е. Доктор технических наук, профессор, членкорр. Российской Академии инженерных наук . НОВИКОВ В. АБРОЯН И. Ведущая организация ФизикоТехнический Институт им. А.Ф. СанктПетербург, ул. Саблинская, . С диссертацией в виде научного доклада можно ознакомиться в библиотеке СПбГИТМОТУ. Я г. Тема работы связана с необходимостью постоянного совершенствования, как самих изделий полупроводниковой микроэлектроники, так и технологических процессов, обеспечивающих прогресс в создании изделий. Особенно важное место в интегральной микроэлектронике занимают полупроводниковые интегральные микросхемы Г1ИМС для устройств вычислительной техники и систем управления. Именно здесь требуется и даст максимачьиый экономический эффект переход от ПИМС с малой и средней степени интеграции к большим БИС и сверхбольшим СБИС полупроводниковым интегральным микросхемам. На момент начала этой работы в СССР отсутствовали полупроводниковые интегральные элементы. Поэтому актуальной задачей было создание такого технологического процесса и оборудования, которые обеспечили бы получение планарной конструкции полупроводниковых элементов.


Материалы диссертации докладывались и обсуждались на конференциях, симпозиумах и семинарах разного уровня. На международном симпозиуме Электронная технология , Будапешт ВНР, г. III Всесоюзный семинар по пленкообразующим растворам. Ленинград, ИХС АН СССР, г. Всесоюзная конференция II Интеграция и нетермическая стимуляция процессов микроэлектроники. Москва, МИЭТ, г. VI Всесоюзная конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, г. IV Всесоюзный семинар. Оптикогеометрические методы исследования деформаций и напряжений и их стандартизация. Горький, г. III Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых геттероструктурах. Одесса, г. Всесоюзная конференция. Измерения и контроль при автоматизации производственных процессов. Барнаул, г. VII научнотехническая конференция по проблемам микроэлектроники. Москва, МИЭТ, г. XIV отраслевая конференция министерства средств связи. Ленинград, НИИЭТУ, г. Краткосрочный семинар. Конструирование и производство запоминающих устройств. Ленинград, ЛДНТП, г. Краткосрочный семинар. Перспективные направления в технологии радиоапнаратостроения. Ленинград, ЛДНТП, г. Отраслевая научнотехническая конференция. Пути создания интегральных цифровых сетей связи. Ленинград, ЦОНТИ Экое, г. Конференция профессорскопреподавательского состава ЛЭТИ. Ленинград, ЛЭТИ, г. XVI конференция ВНИИТ. Москва, г. XXX Конференция профессорскопреподавательского состава ЛЭТИ. Ленинград, ЛЭТИ, г. XXIV Юбилейная научнотехническая конференция профессорскопреподавательского состава института. Ленинград, ЛИТМО, г.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.192, запросов: 244