Исследование взаимосвязанности в многомерных системах управления с дискретным временем

Исследование взаимосвязанности в многомерных системах управления с дискретным временем

Автор: Ойт, Моника Эдгаровна

Шифр специальности: 05.13.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 1984

Место защиты: Таллин

Количество страниц: 161 c. ил

Артикул: 343599

Автор: Ойт, Моника Эдгаровна

Стоимость: 250 руб.

Исследование взаимосвязанности в многомерных системах управления с дискретным временем  Исследование взаимосвязанности в многомерных системах управления с дискретным временем 

Глава 1. Анализ факторов, определяющих к. Глава 2. Исследование свойств аморфного кремния и сплавов на его основе, полученных в плазме НЧ тлеющего разряда. Исследование оптических и электрофизических свойств нелегированных пленок аБШ, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Выбор оптимальных технологических режимов Выбор оптимальной мощности разряда. Электрофизические и оптические свойства и структурные особенности пленок аморфного кремния Выбор оптимальной температуры осаждения. Электрофизические и оптические свойства и структурные особенности пленок аморфного кремния Светоиндуцированная метастабильность в аБкН, полученном методом НЧ тлеющего разряда Исследование оптических и электрофизических свойств пленок а5кН и аБЮН ртипа, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Исследование оптических и электрофизических свойств пленок а8кН птипа, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Выбор оптимальных технологических режимов Выводы
и кристаллического кремния. В кристаллическом кремнии коэффициент поглощения а определяется непрямыми переходами , поэтому он относительно невелик при энергиях, превышающих ширину запрещенной зоны 1,1 эВ.


Она может быть определена экспериментально и для аморфного кремния ее значение минимально по сравнению со всеми другими рассматриваемыми фотоэлектрическими материалами. Отношение толщин активных слоев аморфного и монокристаллического кремниевых солнечных элементов составляет менее 0 3 . За последнее десятилетие производство электроэнергии за счет фотоэлектрического преобразования солнечной излучения возросло и в г. Основной причиной, сдерживающей широкое
1
Рис. Спектральная зависимость коэффициента поглощения а кристаллического кремния сБ1 и нелегированного аБкН, полученного в разряде на постоянном токе при 0 С 0,7. Анализ стоимости модулей солнечных элементов показал , что при создании модуля из монокристалличсских кремниевых солнечных элементов относительная стоимость полупроводникового материала составляет около общей стоимости модуля и возрастает в еще большей степени при использовании в элементах перспективных, по более дорогостоящих материалов, таких, как ОаАэ, 1пР и СсГП. В то же время доля полупроводникового материала в стоимости аморфных кремниевых солнечных элементов с рьп структурой не превышает . Такая относительно низкая стоимость применяемого материала объясняется тем, что элементы с приемлемыми характеристиками могут быть изготовлены на основе очень тонких пленок аморфного кремния толщиной до 1 мкм, осаждение которых осуществляется непосредственно из материала исходного сырья моносилана без промежуточных процессов его превращения в слитки или порошкообразный кремний.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.248, запросов: 244