Постояннотоковый полярограф для контроля микропримесей в материалах технологии микроэлектроники

Постояннотоковый полярограф для контроля микропримесей в материалах технологии микроэлектроники

Автор: Кулагин, Евгений Михайлович

Автор: Кулагин, Евгений Михайлович

Шифр специальности: 05.11.13

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 1984

Место защиты: Томск

Количество страниц: 182 c. ил

Артикул: 3435188

Стоимость: 250 руб.

Постояннотоковый полярограф для контроля микропримесей в материалах технологии микроэлектроники  Постояннотоковый полярограф для контроля микропримесей в материалах технологии микроэлектроники 

ГЛАВА I. Материалы технологии микроэлектроники и методы их контроля. Инверсионная вольтамперометрия с линейной разверткой потенциала как метод контроля микропримесей в материалах технологии микроэлектроники. Помехи в инверсионной вольтамперометрии. Задачи исследования. ГЛАВА П. Экспериментальная установка для измерения спектральной плотности инфранизкочастотных флуктуаций тока электрохимической ячейки. Методика эксперимента. Результаты эксперимента и их обсуждение. ГЛАВА Ш. Шбор оптимальной скорости линейной развертки потенциала. Тейлора
3. Базовая схема полярографа и анализ ее шумов. Шумы прибора и датчика. Теоретический предел обнаружения. ГЛАВА У. Самонастраивающийся экстраполяционный компенсатор остаточного тока. Измерительный блок полярографа. Методика работы с полярографом и его основные технические характеристики. Методика определения начального потенциала вольтамперограмш. ГЛАВА У. Проверка погрешности компенсации остаточного тока. Примера использования прибора при аналитических исследованиях.


СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ. Работа объемом 9 страниц машинописного текста, включая рисунков и 3 таблицы, состоит из введения, пяти глав, заключения, выводов и приложения. Список литературы содержит 1 наименование работ советских и зарубежных авторов. В первой главе рассмотрены материалы технологии микроэлектроники, в которых необходимо контролировать содержание микропримесей, дается обзор методов определения следов элементов, их преимущества и недостатки, сравниваются различные варианты метода ИВ. Кратко изложены основные вопросы метода ИВПИ1, рассмотрены помехи и аппаратура ЙВЛРП. На основании этого формулируются задачи исследования данной работы. Во второй главе приведена структурная схема установки для измерения спектральной плотности флуктуации тока электрохимической ячейки, дана методика измерения токовых шумов ячейки, позволяющая учесть шумы аппаратуры, приведены полученные экспериментальные данные по зависимости спектрального шумового тока для амальгамных электродов в области инфранизких частот от потенциала на ячейке. В третьей главе оптимизирован диапазон скорости развертки потенциала с целью получения максимального отношения сигнала к помехе на амальгамных электродах, получены выражения для погрешности экстраполяционной компенсации в виде ряда Тейлора составляющих остаточного тока, проведен шумовой анализ базовой схемы полярографа, даны рекомендации по уменьшению ее шумов, проведено сравнение шумов датчика и прибора, приведен пример значения теоретического предела обнаружения. Четвертая глава посвящена рассмотрению предложенных оригинальных устройств, их анализу и преимуществам. Приведена структурная схема разработанного полярографа, его основные технические характеристики и методика работы на нем. В пятой главе приведены примеры практического использования разработанного полярографа, показано снижение случайной ошибки измерения за счет автоматизации съемки и регистрации полярограмм, показаны некоторые примеры возможностей прибора на искусственных растворах и материалах технологии микроэлектроники. В заключительной части диссертации перечислены выводы проведенной работы. В приложении приведены акты внедрения, использования и испытания опытных образцов разработанного полярографа. ГЛАВА I. I.I. Ю3 9 , так как при этом отсутствует их взаимодействие. Основная область применения чистых полупроводниковых монокристаллов это производство диодов, дискретных транзисторов, твердых интегральных схем, оптических квантовых генераторов. Анализу полупроводниковых и других материалов технологии микроэлектроники посвящены работы 2, 6, 7, , большое внимание этим вопросам уделено и в работах 4, 5, 8 . Характерным для производства устройств микроэлектроники в настоящее время является применение большого числа полупроводниковых материалов как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, карбид кремния и другие 2, . Число используемых сложных полупроводниковых материалов неуклонно растет из года в год, это обусловлено тем, что разрабатываются новые приборы и, в ряде случаев, полупроводниковые устройства, изготовленные из химических соединений, по своим характеристикам превосходят приборы из элементарных полупроводников 8 . Реагенты, применяемые для химикомеханической и химической финишной обработки поверхностей пленок, подложек деионизованная вода, органические растворители, кислоты, щелочи и другие должны содержать количество примесей не больше, чем основные материалы 7 . Возникает необходимость определения не только интегрального содержания примесей в массивных несколько г объектах, но и в микрообьектах весом до долей мг 2, 5, б, . При использовании материалов для новых полупроводниковых приборов микроэлектроники, квантовой электроники возникает проблема состояния поверхности образца на различных этапах технологической обработки б . С этой проблемой смыкается задача определения послойного содержания примесей в пленках 2, 5, 7, .

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.280, запросов: 241