Оптимизация параметров кремниевых микростриповых детекторов

Оптимизация параметров кремниевых микростриповых детекторов

Автор: Короткова, Наталья Александровна

Шифр специальности: 01.04.23

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2006

Место защиты: Москва

Количество страниц: 141 с. ил.

Артикул: 2978712

Автор: Короткова, Наталья Александровна

Стоимость: 250 руб.

Оптимизация параметров кремниевых микростриповых детекторов  Оптимизация параметров кремниевых микростриповых детекторов 

Оглавление
Введение. Введение. Совокупности требований лучше всего удовлетворяют высокоомные кремний и германий. Существует два способа уменьшения тока утечки через полупроводник. Создать тем или иным способом компенсированный полупроводник в котором концентрации донорных и акцепторных примесей одинаковы, а затем работать с ним при пониженной температуре 0 К. Однако на практике это не всегда удобно, а также неэффективно, т. Использовать свойства переходной области между полупроводниками с различными типами проводимости рнпереход или между полупроводником и металлом поверхностнобарьерный переход. При этом переход запирается обратным напряжением. Поверхностнобарьерный переход создается на поверхности полупроводника итипа при нанесении на нее испарением в вакууме некоторых металлов. Основными недостатками такого перехода являются малая толщина чувствительной области, по резко ухудшает соотношение сигнал шум, и инжекция неосновных носителей из металла в объем полупроводника, что приводит к увеличению обратного тока.


Диффузия дырок и электронов вызывает кратковременное протекание электрического тока из р в лобласть, который прекращается изза появления на переходе скачка потенциала. Скачок потенциала обусловлен существованием объемного заряда в области перехода, поскольку ионизованные атомы доноров и акцепторов закреплены в решетке и двигаться не мо1ут рис. Область перехода обеднена свободными носителями. Если там появляются свободные электроны или дырки, созданные тепловыми переходами, то они быстро удаляются электрическим полем. Поэтому значение удельного сопротивления материала должно быть большим. Ю Омсм. Теоретически возможно получить кремний с удельным сопротивлением 2. Омсм, а на практике не более, чем 1. Омсм. Однако ширина области объемного заряда в рппереходе без внешнего смещения мала 1 мкм. Ее можно увеличить, прикладывая к переходу обратное смещение С, т. Ыа концентрация акцепторной примеси, концентрация донорной примеси, Со скачок потенциала на переходе для кремния Со0. В, для германия Со 0. В, Сприложенное внешнее напряжение. Предполагается, что концентрация основных носителей в примесном полупроводнике приближенно равна концентрации атомов примеси. Если одна из областей например, лобласть сильно легирована, а другая робласть слабо, т. Причем, почти все напряжение падает на робласть, поскольку ее сопротивление больше приблизительно в раз. V мкм при комнатной температуре для ркремния , 0. Для германия при тех же условиях на два порядка меньше, поэтому германиевые детекторы не используют без охлаждения.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.196, запросов: 142