Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)

Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)

Автор: Големшток, Григорий Михайлович

Шифр специальности: 01.04.10

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 1984

Место защиты: Горький

Количество страниц: 167 c. ил

Артикул: 3423763

Автор: Големшток, Григорий Михайлович

Стоимость: 250 руб.

Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)  Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) 

ГлаЕа I. Состояние вопроса. Миграция примеси при диффузионном легировании кристаллов кремния. Напряженнодеформированное состояние полупроводниковых кристаллов при диффузионном легировании . Температурные напряжения и деформации. Структурные напряжения и деформации. Влияние НДС и вида распределения примеси на надежность и электрофизические характеристики планарных полупроводниковых структур. Влияние механических напряжений и деформаций на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов
1. Место и цель исследования. Глава П. Модель диффузии фосфора в кремнии. Энергия упругого взаимодействия дефектовцентров дшатании. Поток дефектов с учетом упругих напряжений . Математическая формулировка модели физикомеханических процессов при диффузионном легировании кремния фосфором бором . Глава Ш. Методика численного исследования физикомеханических пропессов при диффузионном легировании полупроводниковых кристаллов
порядка концентрации фосфора. Но тогда неверны количественные расчеты уровня Ферми и соответствующих диффузионных характеристик проиессоЕ, проводимых авторами предложенной модели.


А, вовторых, что касается попыток объяснения отдельных сторон этого процесса, то и по ним не существует единого мнения. Наши ЕЗГЛЯДЫ по этому вопросу, а также анализ работ ,6 приведены во второй главе. Диффузионное легирование полупроводников при производстве планарных структур осуществляется через окно в защитной маске . Распределение примеси а значит и параметры приборов при этом зависит от многих факторов. В частности, оно определяется видом источника, формой и размером окна и т. Естественно поэтому, что для получения приборов с заданными свойствами указанные факторы должны быть вполне определенными. В связи с этим желательно, чтобы поверхностная конпентрапия примеси была либо постоянной, либо изменялась по известному закону. В соответствии с этим требованием на практике обычно используют два осноеных типа источника легирующей примеси постоянный и разовый. Рассмотрим имеющиеся результаты исследования диффузионных профилей для этих двух случаев. Расчет пространственного распределения примеси при диффузии из разового источника был впервые выполнен е статье . В этой работе аналитически решена задача при диффузии примеси в окно, представляющее полосу произвольной ширины. В работе Ъ1 рассмотрена задача, когда маскирующая пленка занимает три квадранта поверхности образпа. В работе кроме вышеперечисленных задач получено решение для распределения примеси при диффузии в окно кругл ой формы. Первые расчеты распределения примеси для постоянного источника выполнены в работах ,4. Разностными методами решены задачи, когда маской покрыта половина образна и когда пленка имеет ступенчатый характер.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.316, запросов: 142