Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H(SO4)2 с применением методов квантовой химии

Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H(SO4)2 с применением методов квантовой химии

Автор: Солин, Михаил Владимирович

Шифр специальности: 01.04.07

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2006

Место защиты: Москва

Количество страниц: 115 с. ил.

Артикул: 2901254

Автор: Солин, Михаил Владимирович

Стоимость: 250 руб.

Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H(SO4)2 с применением методов квантовой химии  Теоретическое изучение сегнетоэлектрических свойств материалов семейства K3H(SO4)2 с применением методов квантовой химии 

Содержание. Введение. Глава I. Литературный обзор. Микроскопическое описание структурного фазового перехода в Нсвязапных сегиетоэлектрнках типа порядокбеспорядок. Общие сведения о сегнетоэлектриках. Изинговский гамильтониан. Приближение молекулярного поля и приближение кластеров Бете. ТКНБматериалов. Описание структурного фазового перехода. Кристаллохимические особенности ТКПБматериалов. Геометрический изотопный эффект и туннелирование протона. Общая характеристика проведнных в диссертации квантовохимических расчетов параметров псевдоспинового гамильтониана. Глава II. Вычисление параметров взаимодействии Изинга. Нумерация и положительное направление псевдоспинов. Метод пссвдоспшювых кластеров. Двухспиновая модель. Кластер из четырх псевдоспинов. Кластер из восьми псевдоспииов. Электростатический механизм формирования параметров взаимодействия. Низкотемпературное упорядочение дейтсронов. Выводы. Глава III. Расчты параметра туннелирования. Профили потенциальной энергии протона. Численное решение уравнения Шрдингера.


В сегнстоэлектриках порядокбеспорядок у ионов протонов в Нсвязанных СЭ, определяющих поляризацию кристалла, имеется, обычно два или несколько, симметричных положения равновесия в ячейке. Эти положения значительно удалены друг от друга, так что полный потенциал, в котором движется ион, существенно ангармоничен и имеет вид, схематически изображенный на рис. Так, в кристаллах типа КОР КН2РО4 для протонов 0П. Яоо 2. А эти положения удалены друг от друга на 0. А аналогичная ситуация должна иметь место и для интересующих нас материалов семейства ТКНБ, поскольку Яоо 2. А. Выше температуры перехода Тс эти положения заселены статистически равномерно, тогда как ниже Тс появляется спонтанная асимметрия заселнности, приводящая к поляризации. Принято считать, что характер фазового перехода при этом обычно тот же, что в модели Изинга. В частности, СФП является обычно переходом второго рода или близоким к нему. Для КЭР константы в законе КюриВейса для проницаемости ер имеют значения Скв 3. К, То Тс 0. С.
рис. Рис. Средний потенциал, действующий на ион в кристаллах типа смешения. Рис. Средний потенциал, действующий на ион в кристаллах типа порядок беспорядок. Изинговский гамильтониан. Активное развитие микроскопической теории Нсвязанных сегнетоэлектриков и родственных материалов началось в е годы, хотя ее основы были заложены еще раньше в пионерских работах Слейтера и его последователей . Е дальнейшее развитие в основном происходило в связи с изучением СФП в кристаллах группы КОР, которые являются наиболее известными примерами сегнетоэлектриков типа порядок беспорядок с водородной связью.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.284, запросов: 142