Динамика и стохастизация высокоэнергичных волновых пучков в поперечно-неоднородных средах

Динамика и стохастизация высокоэнергичных волновых пучков в поперечно-неоднородных средах

Автор: Огнев, Леонид Иванович

Год защиты: 2002

Место защиты: Москва

Количество страниц: 227 с. ил

Артикул: 2613182

Автор: Огнев, Леонид Иванович

Шифр специальности: 01.04.04

Научная степень: Докторская

Стоимость: 250 руб.

Динамика и стохастизация высокоэнергичных волновых пучков в поперечно-неоднородных средах  Динамика и стохастизация высокоэнергичных волновых пучков в поперечно-неоднородных средах 

Глава 1. Расчеты спектров излучения для экспериментов на микротороне в Институте металлургии им. А.А. Генерация излучения с энергией кеУ релятивистскими элекФ тронами в монокристаллах алмаза, кремния и бериллия. Глава 2. Рассеяние электронной волны на дефекте типа сдвига кристаллических плоскостей. Зависимость населенности связанных состояний электронов от глубины дефекта и от величины сдвига плоскостей. Случай электронной волны с расходимостью. Влияние некогерентного рассеяния на населенность связанныхсостояний электронов. Плоскостное каналирование электронов в кристаллах со сверхрешеткой. Глава 3. Глава 4. Глава 5. Вывод основного уравнения. Метод моделирования шероховатой поверхности. Численные результаты и их обсуждение. Е двух более слабых сателлитов с энергией Ея, причем разность энергий основного уровня и сателлита соответствует пространственному периоду изгиба канала Е Е3 7 ЬсТ. Резонансная область Т го. Спектр поперечных энергий имеет несколько ярко выраженных подбарьерных уровней.


Предложен метод измерения длины деканалирования релятивистских электронов в кристалле по ориентационным зависимостям выхода характеристического рентгеновского излучения с учетом поглощения в среде 0, 4. Разработан метод определения положения примесных атомов, не образующих кластеров, в приповерхностных областях кристаллов до глубин 0 А по ориентационным зависимостям выхода характеристических ожеэлектронов под воздействием пучка быстрых электронов. На примере примесей атомов фосфора в кремниевом монокристалле предельная чувствительность метода определена равной 2 ст2 по концентрации атомов примеси и 1 по положению атомов в кристаллической матрице , 9, 0, 3. Основные результаты по Главе 4
1. Создан комплекс компьютерных программ для описания скользящего отражения пучка быстрых позитронов от сложной поверхности кристалла, образованной ступеньками кристаллических плоскостей, непараллельных границе среза 3, 4, 8. Исследована несимметричность процесса отражения пучка позитронов от поверхности косого среза кристалла при ориентации налетающего пучка навстречу ступенькам и в противоположном направлении. Показано, что характер угловой зависимости коэффициента отражения пучка быстрых позитронов от поверхности кристалла 4вниз по ступенькам определяется структурой поверхности косого среза кристалла. Эта зависимость может быть использована для исследования релаксации поверхности 3, 4, 8. Исследована эффективность дифракционной перекачки рентгеновского излучения в диапазоне длин волн 2. А на деформированных кристаллах с квадратичной функцией смещения атомов для геометрий Лауэ и Брэгга.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.584, запросов: 142