Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов AlxGa1-xN

Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов AlxGa1-xN

Автор: Курятков, Владимир Вениаминович

Шифр специальности: 01.04.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2006

Место защиты: Санкт-Петербург

Количество страниц: 203 с. ил.

Артикул: 3011447

Автор: Курятков, Владимир Вениаминович

Стоимость: 250 руб.

Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов AlxGa1-xN  Разработка и исследование электрических и оптических характеристик фотодетекторов ультрафиолетового диапазона спектра на основе твердых растворов AlxGa1-xN 

Введение. Глава 1. Шум в фотодетекторах. Спектральная чувствительность и фотодетекторов . Глава 2. Постановка экспериментов и экспериментальные методики . Установка роста эпитаксиальных структур МПЭ I. Установка измерения спектральной фотонувствителыюсти фотодетекторов. Плазменное травление. Травление x. Неселективное плазменное травление x. Выводы. Глава 3. Исследование электрических и оптических свойств слоев , I и КПСР. Исследование оптических и электрических свойств x. Исследование оптических и электрических характеристик , выращенного методом МПЭ с аммиаком на i 1. II. Выводы. Глава 4. Исследование легирования кремнием x. Исследование влияния кислорода на легирование магнием слоев 0 и x. Легирование слоев xI. Глава 5. Исследование электрических характеристик фотодиодов на барьере Шоттки, изготовленных на п, выращенном МПЭ на кремнии i. Предполагается, что шум тока, напряжения или сопротивления имеет частотную зависимость. Единицы измерения и А2Гц и В2Гц, соответственно. Поскольку описывает шум в полосе частот 1Гц, то полный шум прибора, необходимый для получения эквивалентной мощности шума согласно выражению 1.


Исследование электрических характеристик фотодиодов на барьере Шоттки, изготовленных на п, выращенном МПЭ на кремнии i. Предполагается, что шум тока, напряжения или сопротивления имеет частотную зависимость. Единицы измерения и А2Гц и В2Гц, соответственно. Поскольку описывает шум в полосе частот 1Гц, то полный шум прибора, необходимый для получения эквивалентной мощности шума согласно выражению 1. Экспериментально шумовой ток прибора измеряется в определенном частотном диапазоне, с заданным частотным разрешением, анализатором спектра с быстрым Фурье преобразованием . В настоящее время может быть использован анализатор спектра, такой как 0 анализатор сигналов, позволяющий измерять спектральную плотность шума менее чем А2Гц. ЛА чувствительность, измеренная в АВт. Для описания параметров фотодетекторов обычно используют два символа О и . Обнаружительная способность равна обратному значению АЕР, определенному для полосы частот 1 Нг и увеличивается с ростом разрешения детекторов. А площадь детектора, единица измерения см Гц1 Вт. Для детектора площадью 1 см2 для полосы частот в 1 Гц, Э равно . Обычно принято различать шумовые и лимитированные фоновым излучением характеристики . Величина используется для характеристики чувствительности фотодиодов. Сделаем некоторые комментарии о природе шума в фотодетекторах. Шум полупроводниковых приборов можно разделить на четыре типа 1 тепловой, 2 дробовый, 3 генерационнорекомбинационный и 4 1шум. Каждый из них имеет различную частотную зависимость и поэтому уникальную функцию плотности спектральной мощности шума, как показано на рис.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.237, запросов: 142