Красная полевка (Clethrionomys rutilus Pall.) в экотонных комплексах грызунов юга Западной Сибири : На примере Омской области

Красная полевка (Clethrionomys rutilus Pall.) в экотонных комплексах грызунов юга Западной Сибири : На примере Омской области

Автор: Галушко, Вера Николаевна

Шифр специальности: 03.00.08

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2004

Место защиты: Омск

Количество страниц: 193 с. ил.

Артикул: 262059

Автор: Галушко, Вера Николаевна

Стоимость: 250 руб.

Красная полевка (Clethrionomys rutilus Pall.) в экотонных комплексах грызунов юга Западной Сибири : На примере Омской области  Красная полевка (Clethrionomys rutilus Pall.) в экотонных комплексах грызунов юга Западной Сибири : На примере Омской области 

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
ГЛАВА I. КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МЕМБРАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ И СУПЕРИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ.
1.1. Физикохимические свойства халькогенидов меди и серебра. Литературные данные.
1.1.1. Кристаллическая структура соединений медьсереброхтькоген и их твердых растворов.
1.1.2. Отклонения от стехиометрического состава в халькогенидах меди и серебра.
1.1.3. Ионная и электронная проводимость халькоснндов меди и серебра.
1.2. Методика эксперимента.
1.2.1. Синтез халькогенидов меди и серебра.
1.2.2. Измерение электропроводности халькогенидов
серебра и меди,
1.2.2.1. Измерение общей электропроводности на переменном токе.
1.2.2.2. Измерение электронной и ионной составляющих проводимости на пос тоянном токе.
1.2.3. Метод кулономстричсского титрования.
1.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
1.3.1. Ионный транспорт в мембранах на основе халькогенидов меди и серебра.
1.3.1.1. Общая, ионная и электронная проводимости мембран на основе сульфида серебра.
1.3.1.2. Электропроводность мембран на основе селеннда и теллурида серебра.
1.3.1.3. Электрические свойства халькогенидов меди.
1.3.1.4. Электропроводность мембран ИСЭ из
халькогенидов меди и серебра.
1.4. Твердые электролиты со структурной разулорядоченностью по типу . Литературные данные.
1.5. Методика эксперимента.
1.5.1. Разработка методов синтеза твердых электролитов с катионной разулорядоченностью на основе иодида серебра.
1.5.2. Измерение электропроводности в суперионных проводниках.
1.5.2.1. Измерение общей электропроводности на переменном токе.
1.5.2.2. Измерение элекфонной и ионной проводимости на постоянном токе.
1.5.3. Измерение коэффициентов диффузии методом радиоактивных изотопов А 2изЬ в твердых электролитах.
1 6. Экспериментальные результаты и их обсуждение.
1.6.1. Ионная проводимость и диффузия радиоактивных изотопов серебра и ртути ,ЛА, Н в АчНДОЖ.
1.6.2. Фазовый переход в суперионном проводнике АйаЩЗг.
1.6.3. Ионная проводимость и диффузия в твердых электролитах и в системе I2.
1.6.4. Процессы ионного транспорта, факторы корреляции Хейвена для а и рмодификаций I.
ГЛАВА 2. ТВЕРДОФАЗНЫЕ ХИМИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МЕМЬРАНЫХ МАТЕРИАЛОВ СИНТЕЗ, СВОЙСТВА. СВЯЗЬ
ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ И ЭЛЕКТРОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК.
2.1. Современное состояние в области твердофазных химических сенсоров с мембранными материалами на основе ионных кристаллов, суперионных проводников, халькогенидных стекол, полевых транзисторов.
2.2. Химические сенсоры с кристаллическими мембранами, селективные к ионам тяжелых металлов литературные данные.
2.2.1. Химические сенсоры с мембранами на основе сульфида серебра.
2.2.2. Медьселективные сенсоры с мембранами на основе халькогенидов меди и серебра.
2.2.3. Свинецселективные сенсоры на основе гетерогенных и гомогенных кристаллических мембран и халькогенидных стекол.
2.2.4. Кадмийсслективные сенсоры с кристаллическими и халькогенидными стеклянными мембранами.
2.2.5. Ртуть и таллийселективные сенсоры на основе неорганических кристаллических мембранных материалов.
2.3. Химические сенсоры е кристаллическими мембранами, селективные к анионам литературные данные.
2.3.1. Фторидселективные сенсоры с монокристаллическими и керамическими мембранами на основе фторида лантана.
2.3.2. Хлорид, бромид, иодид, цианид и роданидсслсктивиые сенсоры с гетерогенными и гомогенными кристаллическими мембранами.
2.3.3. Нитрат и фосфатселективные сенсоры с жидкими, пленочными и кристаллическими мембранами.
2.4. Методика эксперимента но синтезу и изготовлению кристаллических мембранных материалов
ионочувствительных мембран и обратимого твердого контакта.
2.4.1. Синтез мембранных материалов для серебро и медьселективных сенсоров.
2.4.2. Технология изготовления ионочувствительных мембран, твердого обратимою контакта и конструкции сенсоров.
2.4.3. Синтез поликрисаллических мембранных материалов, чувствительных к ионам свинца и кадмия.
2.4.4. Синтез поли кристаллических мембранных материалов, чувствительных к нонам таллия и ртути.
2.4.5. Методы синтеза мембран для анионсслективных сенсоров на основе солей X X С, Вг, 1,
2.4.6. Технология изготовления кристаллических мембранных материалов доя фосфат и ниграгчувствительных сенсоров.
2.4.7. Методы синтеза мембран для фторидселективных сенсоров на основе монокристаллов фторида лантана.
2.5. Твердофазные химические сенсоры с кристаллическими мембранами, селективные к ионам тяжелых металлов обсуждение результатов.
2.5.1. Олекроднье характеристики сенсоров, чувствительных к ионам серебра и сульфида, с мембранами из халькоюнидов серебра.
2.5.2. Мсдьсслективиые сенсоры интервалы измеряемых концентраций, нсрнсговская область, предел обнаружения.
2.5.3. Медьселективные сенсоры величины стандартных потенциалов, скорость достижения равновесного значения потенциала, точность определения.
2.5.4. Мсдьселективные сенсоры селективность
допустимые значения влияние окислительно
восстановительных сред.
2.5.5. Свинецселективные сенсоры с кристаллическими мембранами оптимизация состава, способа
изготовления и аналитические характеристики.
2.5.6. Кадмийселективный сенсор с мембранами на
основе сульфидов кадмия и серебра.
2.5.7. Разработка таллийселективного сенсора с
кристаллической мембраной на основе системы ТНа.
2.5.8. Разработка ртутьсслсктн вного сенсора с
мембраной на основе твердого электролита АБДс.
2.6. Твердофазные химические сенсоры с кристаллическими мембранами, селективные к анионам обсуждение
результатов.
2.6.1. Фторидселективный электрод с мембранами на основе монокристаллов ЬаГч, активированных кальцием
или европием.
2.6.2. Разработка фосфатсслективного сенсора с
мембраной на основе твердого электролита Лт.
2.6.3. Разработка нитратселективного сенсора с
кристаллической мембраной на основе диэтилдитиокарбамината серебра.
2.6.4. Сенсоры на ионы СГ, Вг, Г, СЫ, СЫБ с мембранами на основе сульфидов и галогенидов
серебра.
ГЛАВА 3. ВЗАИМОСВЯЗЬ ИОННОГО ТРАНСПОРТА,
КОНЦЕНТРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МЕМБРАНАХ С ДИНАМИКОЙ ОТКЛИКА И ПРЕДЕЛОМ ОБНАРУЖЕ1ИЯ ХИМИЧЕСКИХ СЕНСОРОВ.
3.1. Литературные данные.
3.1.1. Теоретическое рассмотрение динамики потснциалобразования химических сенсоров.
3.1.2. Гидродинамические параметры, используемые при создании ячеек для исследования динамических характеристик кристаллических мембран.
3.1.3. Теоретическое рассмотрение факторов, определяющих предел обнаружения твердотельных химических сенсоров с кристаллическими мембранами.
3.2. Методика эксперимента. Разработка экспериментальной установки для исследования динамических характеристик мембран химических сенсоров.
3.3. Результаты и обсуждение.
3.3.1. Концентрация дефектов межузельных ионов и вакансий в кристаллических мембранах и предел обнаружения химических сенсоров.
3.3.2. Установление взаимосвязи между структурой, параметрами ионного транспорта, концентрацией дефектов в кристаллических мембранах и динамикой процесса потенциалообразования твердофазных
химических сенсоров.
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТАННЫЕ ТВЕРДОФАЗНЫЕ ХИМИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ С КРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ МЕМБРАНАМИ ПРАКТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ И
ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ.
4.1. Химические сенсоры с твердофазными мембранами
для анализа морских, природных и сточных вод.
4.2. Химические сенсоры в анализе технологических растворов гальванических производств и минерального
сырья.
Выводы
Литература


Нужно заметить, что величина ионной проводимости в данном интервале температур практически не зависит от стехиометрических отклонений, несмотря на то. Увеличение в изотермических условиях 0 0 С приводит к обратно пропорциональному уменьшению подвижности вакансий и , , в то время как на подвижность дырок не оказывает заметного влияния. В работе проведено систематическое исследование свойств сульфида и селенида меди в зависимости от их состава. Из зависимостей э. Показано увеличение дырочной проводимости для i2. Оьг5 0 Ом см1 i. Ом см 1. Омсм1. Электрические свойства близки к аналогичным характеристикам для сульфида меди. По данным работ селенид меди в области температур 0 С является вырожденным полупроводником типа, в котором все вакансии в медной подрешетке ионизованы. Об этом говорит тот факт, что концентрация дефектов, рассчитанных из метода кулонометрического титрования, фактически равна концентрации дырок, найденной из постоянной Холла . Омсм1 Си1,8Эе а ь Омсм1 Си с5 Омсм1 . Величина ионной проводимости в РСигвЭе при 0 С незначительно зависит от 8 в интервале 0 , 8 0. Омсм . Уменьшение ионной проводимости при увеличении количества вакансий в медной полрешетке, видимо, можно объяснить уменьшением их подвижности. Для низкотемпературной тетрагональной модификации СиБе характерно, в прот ивоположность ку бической Рфазе, увеличение о ион с увеличением 8. Теллурид меди в области . Те является вырожденным полупроводником ртипа Концентрация и подвижность свободных носителей сильно зависит от способа получения образцов и колеблются соответственно от до см5 и от нескольких сотен до десятков смвсек В неоднородных образцах концентрация носителей изменяется беспорядочно, а в однородной области закономерно возрастает при увеличении содержания теллура. Повидимому, это связано с ростом ненасыщенных связей в подрешетке, являющихся акцепторами. С ростом концентрации носителей проводимость СтьТе во всем исследованном интервале температур монотонно возрастает , в то время как холловская подвижность дырок в изотермических условиях остается практически неизменной и равной при 0 С . С ростом температуры вплоть до К электропроводность теллурида меди уменьшается, изменяясь от нескольких тысяч до нескольких сотен Омсм . При слабо выраженной температурной зависимости концентрации носителей, которая составляет величину л см холловская подвижность убывает пропорционально Т, что говорит о преимущественном рассеянии носителей заряда на акустических колебаниях решетки. Си2Те, состоящею из компонентов с близкими значениями электроотрицательностей. В работе с помощью метода кулономстричсского титрования построены диаграммы состояния в области температур 0 0 С и составов СигсТе 0 6 0 Исследование электронной проводимости показало ее слабое убывание с температурой 0 С с незначительными изломами на границах существования фаз. Так, при комнатной температуре дырочная проводимость имеет значения для i. Ом см1 Слм. Те а 9. Ом см1 о 1. Ом см1. Измерения ионной проводимости, осуществленные как четырехзондовым методом, так и с помощью поляризационных методик, выявили существенные различия в величинах проводимости для всевозможных фаз Си2. Те . Например, в области температур 0 0и С оион для различных 6 лежит в интервале Ю4 1 Ом см1. В пределах одной фазы изменение ионной проводимости при постоянной температуре, как правило, незначительно. Изучению Сион в высокотемпературных модификациях халькогенидов меди посвящена работа , в которой показано, что при 0и С Сион имеет значения для 2,о. ОмсмХСиздндЗег. Д 1. Омсм1 Си 2д 1. Те 1. Омсм1. Определены подвижности н концентрации носителей, участвующих в процессе переноса, сделано предположение об участии в ионном переносе от общей концентрации катионов, что связано со структурными особенностями исследуемых фаз. Сульфид серебра. Высокотемпературная модификация 2 7 0 С обладает смешанной электронноионной проводимостью с одной стороны, являясь супсрионным проводником со структурной разупорядоченностью катионной подрешетки, а с другой вырожденным полупроводником птипа. Температурная зависимость электронной проводимости о,л для образцов .

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.237, запросов: 145