Основы синтеза новых сверхпроводящих композитов на базе висмут-стронций-кальциевых купратов

Основы синтеза новых сверхпроводящих композитов на базе висмут-стронций-кальциевых купратов

Автор: Казин, Павел Евгеньевич

Шифр специальности: 02.00.21

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2006

Место защиты: Москва

Количество страниц: 321 с. ил.

Артикул: 2979575

Автор: Казин, Павел Евгеньевич

Стоимость: 250 руб.

Основы синтеза новых сверхпроводящих композитов на базе висмут-стронций-кальциевых купратов  Основы синтеза новых сверхпроводящих композитов на базе висмут-стронций-кальциевых купратов 

1. Введение
2. Проблемы создания высокотемпературного сверхпроводящего материала с высокой токонесущей способностью
литературный обзор
2.1. Функциональные параметры сверхпроводящих материалов
и требования к ним
2.2. Проблема повышения плотности критического тока
в ВТСП материале
2.3. Общие сведения по сверхпроводящим фазам и фазовым соотношениям в системах ЯВаСиО и ВЦРЬ8гСаСи0
2.4. Композиты на основе сверхпроводников системы ВаСи0
2.5. Композиты на основе сверхпроводников системы ВЦРЬ5гСаСи0
3. Постановка задачи, методология и методы исследования
3.1. Микроструктурный аспект
3.2. Химический аспект
3.3. Синтетический аспект
3.4. Схема работы
3.5. Методы синтеза и исследования промежуточных веществ
и конечных материалов
4. Фазовые соотношения в ограниченных областях оксидных
систем ВЦРЬ8гСаСиА0
4.1. Система ВЦРЬ8гСаСиМд0
4.1.1. Совместгшость оксида магния с В
4.1.2. Состояние оксида магния в композитах
4.1.3. Совмест имостъ оксида магния с В1
4.2. Система В1РЬ8гСаСиА
4.2.1. Алюминийсодержащие оксиды, совместимые с Ы
4.2.2. Фазовые соотношения в системе В1БгСаСиА
вблизи температуры плавления Ш
4.2.3. Совместимость 5г,СаА0б и ШЗгСаоАОг с Ы и формирование сверхпроводника в легированной системе
4.3. Система ВЦРЬ8гСаСиСа0
4.3.1. Галлийсодержащие оксиды, совместимые с Ш
4.3.2. Фазовые соотношения в легированной системе
при температурах 0 0С
4.3.3. Совместимость Ш с галлийсодержащими оксидами
4.4. Система В1РЬ8гСаСи1п0
4 А Л. Индийсодержащие оксиды, совместимые с Ш
4.4.2. Влияние 8г, Са1п4 на процесс плавления
и свойства В1
4.4.3. Совместимость В1 с индийсодержащими оксидами
4.5. Система ВиРЬ8гСаСи8с0
4.5.1. Скандийсодержащие оксиды, совместимые с В1
4.5.2. Влияние 8гсВЮб на процесс плавления и свойства В1
4.5.3. Совместимость БгсВЮ с В1
4.6. Системы Вь8гСаСи0 Я У, Эу Ьи
4.6.1. Взаимодействие В1 с оксидами РЗЭ
4.6.2. Фазообразование в системе номинального состава В8г2Са.хЯхСи2 0.8г2ЯВЮ6
4.6.3. Фазообразование в системе номинального состава
ВГ пСаУЬо.бСи4.
4.7. Система ВЦРЬгСаСиПО
4.7.1. Совместимые титансодержащие оксиды и формирование
В в легированной системе
4.7.2. Совместимость , с i и влияние
добавки на формирование сверхпроводника
4.8. Системы i0 и i0
4.8.1. Цирконий и гафнийсодержащие оксиды, совместимые
4.8.2. Влияние дисперсной фазы на процесс плавления и свойства В
4.8.3. Совместимость , с i и влияние добавки
на формирование сверхпроводника
4.9. Система i0
4.9.1. Оловосодержащие оксиды, совместимые с В
4.9.2. Влияние , па процесс плавления
и свойства В
4.9.3. Совместимость , с i
4 Системы iМоО и i0
4 Введение в систему i0 оксидов В, V, Р,
. Система i борат
. Система В ванадат
. Система В фосфат
. Система i сульфат
5. Некоторые процессы, связанные с синтезом сверхпроводящего
материала
5.1. Формирование оксидного материала из единого прекурсора
5.2. Процессы кристаллизации оксидного стекла
5.2.1. i 6
5.2.2. i бСао4П2О4
5.2.3. Стекло других легированных систем
5.3. Синтез дисперсных оксидов, содержащих элемент А
5.3.1. Простые оксиды
5.3.2. Сложные оксиды со структурой перовскита
5.3.3. Слоэсные оксиды, обогащенные стронцием и кальцием
5.3.4. Сравнительная характеристика высокодисперсных оксидов
5.4. Топохимические превращения при взаимодействии содержащих оксидов с расплавом i
получение зерен сложной формы
5.4.1. Оловосодержащие оксиды
5.4.2. Цирконий и титансодержащие оксиды
5.4.3. Механизм образования включений сложной формы
5.5. Плавление и кристаллизация i
6. Композиционные материалы, микроструктура и
сверхпроводящие свойства
6.1. i
6.2. i фазы, содержащие оксид алюминия
6.3. i i9.9
6.4. i Бго.бСао.ЛпгОд
6.5. i , ,
6.6. i .xx
6.7. i 2, ,
6.8. Композиты i с другими совместимыми дисперсными фазами
6.9. Текстурированные композиционные материалы на основе i
6.9.1. Ленты i i в серебряной оболочке
6.9.2. Использование составов i совместимая дисперсная фаза для синтеза других сверхпроводящих материалов
6 Композиционная керамика на основе В
7. Сравнительная характеристика систем ВРЬ8гСаСиА0
7.1. Состав и структура Асодержащих фаз, совместимых со сверхпроводящими фазами
7.2. Влияние природы дисперсной фазы на состав сверхпроводника
и температуру сверхпроводящего перехода
7.3. Влияние дисперсной фазы на фазообразование В
7.4. Влияние условий синтеза и состава композита на основе В
на морфологию и распределение частиц дисперсной фазы
7.4.1. Природа дисперсной фазы размер частиц
7.4.2. Условия получения композита размер частиц дисперсной фазы
7.4.3. Форма частиц дисперсной фазы
7.4.4. Интерфейс сверхпроводящая матрица частица дисперсной фазы
7.4.5. Распределение частиц дисперсной фазы в матрице сверхпроводника
7.5. Сверхпроводящие характеристики композитов с различными дисперсными фазами
8. Заключение
9. Выводы
. Список литературы
1. Введение
Актуальность


Все фазы имеют выраженные области гомогенности по катионному составу и содержанию кислорода. Таблица 1. Характеристики сверхпроводящих фаз ВгЗггСаСигОвз и ВгЗггСагСизОюб ,. Структура пр. А а 5. Ь 5. Ь 5. Для второго гомолога, представленного в виде Вх5г2. Са1уСи, содержание висмута меняется по индексу по разным данным от 1. Общепринято, что стронций и кальций замещают друг друга в кристаллической решетке повышенное содержание висмута объясняется вхождением части висмута в позиции стронция некоторое занижение содержания меди по отношению к сумме Вц 8г и Са связывается с возникновением в В1 дефектов упаковки, представляющих собой прослойки первого гомолога Вь. Поэтому более правильно представить второй гомолог в виде Вх5Г2х2Са. Си2. В фазе В1 соотношение стронция к кальцию меняется в гораздо более узких пределах от до . В1РЬ при легировании свинцом, так что соответствующий стехиометрический коэффициент достигает 2. СаСи1х 9x5 5г. Рис. Область гомогенности Вх8гз. СауСи8 при 0С на воздухе . Температура сверхпроводящего перехода заметно варьируется с химическим составом соединений в пределах их области гомогенности. На рис. Тс от катионного состава фазы В. Более существенное влияние на Тс оказывает содержание кислорода. Для В Тс изменяется от до К в небольшом интервале кислородной нестехиомстрии 8 от 0. При этом существует оптимальное содержание кислорода, соответствующее 8 0. Такой кислородный индекс достигается при 0 0С и Рог 0. В1РЬ намного уже К, что может быть связано с меньшей областью гомогенности по катионам. Рис. Тс в Вгз. СауСОзб в зависимости от содержания висмута х у 1, светлые символы и кальция у х 2. В1 устойчива в более узком интервале 0 0С, причем легирование свинцом сдвигает этот интервал на С в область низких температур ,,. Нижний предел устойчивости по давлению кислорода для В1 в субсолидусной области ниже 0С соответствует протеканию реакции В8г2СаСи В8г2СаОб Си . В координатах Ро2 1Т эта линия находится ниже линии процесса СиО Си , что соответствует примерно в 2 раза более низкому давлению кислорода . СиО. Выше 0С низкокислородная граница соответствует перитектическому плавлению обеих соединений. Фазовые диаграммы ВгСаСиО, а также систем, легированных оксидом свинца и серебром, интенсивно изучались многими группами исследователей ,,. Базовая система является пятикомпонентной. При фиксированном давлении кислорода ее обычно рассматривают как четырехкомпонентную систему оксидов. Такое рассмотрение, упрощая задачу, все же ограниченно изза того, что элементы системы висмут и медь проявляют переменную степень окисления. Некоторое представление о фазовых соотношениях ВОз8гОСаОСиОх можно получить из рис. С и Р 0. Рис. Фазовые отношения в системе i при 0С на воздухе. На воздухе в интервале 0 0С фаза i находится в равновесии с , , ,i4i 4x, i2. I2iI , ,2 0x, i 1, i4,5, 0i 0x, жидкостью и ,4. Последнему соединению разными авторами приписывается различный состав обычно в пределах у 0 1, но скорее всего речь идет об одной и той же фазе. При Т 0С в равновесии с i появляется i . Отмечено также существование в равновесии с i и других фаз системы 8г,СазВ0б , 9i5. Фаза i при 0С на воздухе находится в равновесии с , ,2, ,4i, i и жидкостью . В работе приведен согласованный набор четырехфазных равновесий включающих фазу i. Температуры плавления четырехфазных композиций находятся в пределах С. Эвтектика при 5С соответствует равновесию СиОжидкость. Легирование серебром приводит к понижению температур плавления на 5 С. В работах Никифоровой, Нипана и сотр. С , а также построена фигура, отвечающая области твердого раствора i . Подробный обзор фазовых равновесий в системе iО и подсистемах, охватывающий литературу до года, приводится в . Данные по фазовым соотношениям в базовой системе, легированной свинцом, обобщены в работе . Фаза i, состава ii. С и Р 0. Приводятся пятифазных равновесий с участием i,, а также температуры солидуса для них. Фаза i плавится инконгруэнтно. Температура плавления зависит от катионного состава и достигает пологого максимума для состава i2.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.200, запросов: 121