Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов

Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов

Автор: Заграничек, Алла Львовна

Шифр специальности: 02.00.21

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2010

Место защиты: Санкт-Петербург

Количество страниц: 186 с. ил.

Артикул: 4903228

Автор: Заграничек, Алла Львовна

Стоимость: 250 руб.

Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов  Модифицирование полимерных, композиционных и твердотельных компонентов электролюминесцентных конденсаторов 

Список сокращений
АН акрилонитрил
АСМ атомносиловая микроскопия
ДМСО диметилсульфооксид
ДМФА диметилформамид
МП механическое перемешивание
ДСК дифференциальная сканирующая калориметрия
ДТА дифференциальнотермический анализ
ГБМА полибутилметакрилат
ПВА пол и ви нил ацетат
ПВС поливиниловый спирт
РЦА распределение центров адсорбции
РЭМ растровая электронная микроскопия
СДО спектроскопия диффузного отражения
УЗП ультразвуковое перемешивание
ЦЭПС циановый эфир поливинилового спирта
ЭЛИС электролюминесцентный источник света постоянного тока
ЭЛИСПТ электролюминесцентный источник света
ЭЛПТ электролюминофор постоянною тока
ЭМ электронная микроскопия
ЯМР ядерномагнитный резонанс
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ


ЭЛИС на основе порошковых люминофоров состава 7п8Си,МпСих8, возбуждаемые постоянным током ЭЛПТ, привлекли внимание многих исследователей. Они обладают набором таких свойств, как высокая пиковая яркость, малая потребляемая мощность, высокая механическая прочность, возможность получения. И т. Считается, что марганец входит в решетку в. Мп2, замещая ионы цинка в узлах кристаллической решетки и образуя дефекты типа изоэлектрон пых ловушек. Свойства иона марганца как центра свечения связаны с наличием наполовину заполненной зоны Зс оболочки электронные переходы в которой и обуславливают электролюминесценцию ,. В отличие от люминофоров переменного тока, характеристики электролюминесценции в которых главным образом связаны с процессами рекомбинационного взаимодействия центров свечения ,8,9 вне области пространственного заряда, для ЭЛИС на основе ЭЛПТ имеет место внутрицентровой механизм свечения 5. Энергия, необходимая для возбуждения активатора Мп в ЭЛИС, сообщается электрону полем на одной или нескольких длинах свободного пробега, то есть возбуждение центров свечения осуществляется электронами с определенной температурой Тс тУ2Зк горячими электронами, которая больше температуры решетки кристаллов ЭЛПТ V средняя скорость горячих электронов, к постоянная Больцмана 5,,. Поскольку ЭЛПТ являются двухфазными системами на поверхность 7п8Си,Мп наносят фазу Сих8 где х1,1,, ртипа проводимости то в данных материалах имеется анизотипный рпгетеропереход 3,. Очевидна непосредственная связь электролюминесценции ЭЛПТ с локализацией электрического поля в барьерных областях 7п8Си,МпСих8 и процессами, которыми сопровождается присутствие сильного электрического поля. Роль фазы Сих8 в процессе электролюминесценции к настоящему времени окончательно не определена ,. Мет однозначного мнения о роли и строении области сильного поля барьера па границе раздела фаз Сихп8Си,Мп, ответственного за электролюминесценцию ,,. Следует отметить, что в начальный период времени после приложения внешнего электрического поля, ЭЛИС на основе ЭЛПТ имеют омическую проводимость и лишь по прошествии некоторого времени происходит процесс формирования барьера формовки , в отличие от ЭЛИС переменного тока, в которых данный процесс отсутствует 3,. В ЭЛИС, возбуждаемом постоянным напряжением, имеется область локализации электрического поля барьера шириной около 0,,3 мкм рисунок 1. Рисунок 1. В области описанного барьера протекают процессы ускорения, рассеяния и ударной ионизации возбуждения ЭЛПТ. Рассеяние быстрых электронов происходит преимущественно на колебаниях решетки. Е1 которые и принимают участие в создании новых электроннодырочных пар. Возможные значения Е лежат в пределах от Ее ширина запрещенной зоны до Ее 5 в случае ЭЛПТ при ЕгП,7 эВ и ширина барьера 5 см, соответственно напряженность электрического поля в области барьера составляет примерно 6 Всм . О структуре барьера для ЭЛПТ нет единого мнения, но. Шоттки3,7,9, поле в котором изменяется линейно от ЕЕмах при х0 до ЕЕ0 при Хс1. С ростом обратного напряжения на барьере его толщина с растет по закону сЬлио, где Ио падение напряжения на барьере, следовательно, и напряженность поля ЕИо . В рпгетеропереходе рисунок 1. Мп . В стационарных условиях через сечение на границе раздела рСих8п2п8, протекают электронный и дырочный токи. Зависимость яркости люминесценции от тока в переходах имеет как линейную, так и квадратичную зависимости 5. Механизм переноса будет оказывать значительное влияние на светотехнические характеристики ЭЛИСПТ. Стабильность и яркость ЭЛИСПТ во многом определяются свойствами образованного барьера. Многие авторы большое внимание уделяют структуре барьера 2п8МпСич8 и связи структуры с электрофизическими свойствами. Таким образом, структура барьера может быть представлена как ряд последовательно включенных гетеропереходов рСич8 и п2п8Мп ,. Авторы ,, указывают на влияние электронных состояний на 1ранице раздела фаз 2п8МпСих8 на свойства барьера, адсорбции различных ионов на поверхности 2п8МпСих8 на свойства гетероперехода, роли глубоких ловушек.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.280, запросов: 121