Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников

Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников

Автор: Козюхин, Сергей Александрович

Шифр специальности: 02.00.04

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2007

Место защиты: Москва

Количество страниц: 404 с. ил.

Артикул: 3313642

Автор: Козюхин, Сергей Александрович

Стоимость: 250 руб.

Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников  Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников 

1.2.1. Влияние слабого магнитного поля на диамагнитные материалы.
ГЛАВА 2. ХСП КАК ОДИН ИЗ КЛАССОВ НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТВЕРДЫХ ТЕЛ СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О СТРУКТУРЕ И ЗОННОЙ СТРУКТУРЕ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
2.1. Структура халькогенидных стеклообразных полупроводников.
2.1.1. Структура элементарного Бе и бинарных халькогенидов мышьяка АвгХз Х8, Бе
2.1.2. Средний порядок.
2.2. Структура электронного спектра и модели дефектов
2.2.1.Энергетические зоны в стеклообразных полупроводниках.
2.2.2. Точечные собственные дефекты
2.2.3. Молекулярные дефекты в стеклах
2.3. Химическое модифицирование ХСП
2.3.1. Влияние легких элементов
2.3.2. Халькогенидные стекла системы БеТе.
2.3.2.1. Термомеханические характеристики стекол БеТе.
2.4. Структурное модифицирование ХСП.
2.4.1. Влияние электрического поля на свойства ХСП.
2.4.2. Взаимодействие магнитных полей с ХСП
ГЛАВА 3. КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДОВ.
ПРИВЛЕЧЕННЫХ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ
3.1. Синтез некристаллических халькогенидов
3.1.1. Халькогенидные стекла.
3.1.2. Тонкие аморфные пленки халькогенидов мышьяка АХ3 ХБ, Бе
3.1.3. Аморфные слои ХСП, полученные спиннингированием расплава
3.2. Спектральные методы анализа и идентификации стекол и аморфных пленок
3.2.1. Метод относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии ОИИ ПЭЛ
3.2.1.1. Теоретические основы метода.
3.2.1.2. Экспериментальная установка.
3.2.2. Обратное резерфордовское рассеяние ОРР
3.3. Методы изучения морфологии тонких пленок.
3.3.1. Растровая электронная микроскопия.
3.3.2. Атомная силовая микроскопия
3.4. Методы исследования механических свойств ХСП.
3.4.1. Вязкое течение в интервале МСЖ.
3.4.1.1. Автомагтическая установка для термомеханических исследований.
3.4.1.2. Калибровка прибора и система термостабилизации
3.4.1.3. Деформационные кривые стеклообразного селена
3.4.2. Структурочувствительные механические методы.
3.4.2.1. Микротвердость
3.4.2.2. Скорость распространения УЗ.
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ МАЛЫХ ДОБАВОК НА СВОЙСТВА И СТРУКТУРУ МАССИВНЫХ
4.1. Синтез стекол в области малых добавок теллура.
4.1.1. Изучение фазового перехода стеклокристалл и концентрационных зависимостей
4.1.2. ОИИ ПЭЛ стекол
4.1.3. Термомеханические характеристики стекол в интервале
4.1.4. Механические свойства стекол при комнатной температуре.
4.1.5. Обсуждение результатов перколяционная модель и модель
дефектов.
4.2. Влияние малых добавок оксида мышьяка III на стеклообразные халькогениды мышьяка.
4.2.1. ОИИ ПЭЛ стекол и , модифицированных оксидом мышьяка
4.2.2. Обсуждение структурных изменений при модифицировании оксидом мышьяка
ГЛАВА 5. МОДИФИЦИРОВАНИЕ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЫШЬЯКА Xi X. КОМПЛЕКСНЫМИ СОЕДИНЕНИЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
5.1. Соединения РЗЭ, используемые для модифицирования ХСП
5.2. Критерии выбора комплексных соединений РЗЭ, их синтез и
анализ.
5.2.1. Люминесцентные свойства Рдикетонатов РЗЭ.
5.3. Элементный и фазовый анализ аморфных модифицированных
пленок ХСП
5.3.1. Результаты анализа аморфных пленок по данным РФА и рентгенофлуресцентной спектроскопии.
5.3.2. Результаты анализа аморфных пленок по данным ядерного
микроанализа и ИК спектроскопии.
5.4. Морфология аморфных пленок до и после модифицирования
5.4.1 Морфология аморфных пленок .
5.4.2. Морфология модифицированных аморфных пленок
5.4.3. Морфология модифицированных аморфных пленок
5.4.4. Обсуждение результатов.
5.5. Оптические и электрические свойства тонких пленок
5.5.1. Спектры оптического поглощения аморфных пленок.
5.5.2. Электрические характеристики модифицированных пленок
. 5.6. Применение модели токов, ограниченных пространственным зарядом, в аморфных пленках.
5.6.1. Пленки , модифицированные комплексными соединениями.
5.6.2. Пленки , модифицированные кислородом.
5.7. Фотолюминесценция в пленках, модифицированных КС РЗЭ
5.7.1. Фотолюминесценция в ХСП, содержащих РЗЭ
5.7.2. Фотолюминесценция аморфных пленок, модифицированных КС
ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ СЛАБОГО ВНЕШНЕГО МАГНИТНОГО И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕССЫ АТОМНОГО ТРАНСПОРТА.
6.1. Вязкое течение селена в присутствии постоянного магнитного поля
6.1.1. Влияние постоянного магнитного поля при нерегулируемых градиентах температуры
6.1.2. Влияние постоянного магнитного поля при регулируемых
градиентах температуры
6.2. Влияние переменного магнитного поля
6.3. Кристаллизация селена в постоянном магнитном поле
6.4. Влияние постоянного электрического поля на вязкое течение
6.5. Обсуждение результатов.
ГЛАВА 7. ВЛИЯНИЕ СВЕТА. УЗ МАЛОЙ МОЩНОСТИ И СКОРОСТИ ОХЛАЖДЕНИЯ НА СВОЙСТВА ХСП
7.1. Электропоглощение в стеклообразных полупроводниках
7.1.1. Электропоглощение в стеклообразном 2
7.1.2. Динамика структурной метастабильности
7.2. Квантовохимическое исследование трансформации сетки в ОеВ2 3 7.3. Анизотропия стеклообразного Авз, индуцированная УЗ воздействием слабой мощности
7.3.1. Оптическая анизотропия при УЗ воздействии
7.3.2. Термические свойства после УЗ воздействия
7.4. Влияние скорости охлаждения на области стеклообразования
7.4.1. Расширение области стеклообразования в системе АвТе.
7.4.2. Электрические свойства ХСП, полученных спиннингированием расплава
ГЛАВА 8. ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


Связано это с тем, что вследствие малой величины магнитной восприимчивости х этих материалов x КТ6 , где порядковый номер элемента х пм 4 при Т 0К 4,с. Т при Т 2 К оказывается гораздо больше энергии взаимодействия внешнего магнитного поля Н с магнитными моментами атомов дН. Вонсовский С. В. приводит сл. Отсюда следует, что при комнатных температурах и слабых внешних полях 6 Э слабомагнитные вещества не имеют упорядоченной магнитной структуры вследствие хаотического теплового движения и, следовательно, магнитное поле такой напряженности не будет эффективно влиять на процессы в диа и парамагнетиках. Однако во многих случаях для получения большого эффекта и не требуется большой энергии, и слабое магнитное поле может оказывать заметное влияние на процессы в слабомагнитных веществах. Наиболее изучен эффект влияния слабого магнитного поля на кинетику химических реакций, идущих по радикальному механизму см. Этот важнейший результат показывает, что неспаренные спины могут заметным образом проявлять себя в реакциях и изменять выход ее продуктов. Например, в магнитном поле напряженностью Н 0Э выход реакции пентафторбензилхлорида с С4Н9и в гексане увеличивается на 2,с. Этот эффект, а также такие явления, как химическая поляризация ядер и электронов, магнитный изотопный сдвиг поддаются объяснению в рамках динамики спинов радикальной пары, находящейся в клетке. Сущность клеточного эффекта заключается в том, что в конденсированной среде после распада молекулы радикалы не обязательно расходятся как в газах, а могут снова рекомбинировать и образовать либо ту же молекулу материнскую, либо молекулу иной структуры. При этом устойчивую структуру будут образовывать радикальные пары в синглетном состоянии. При наложении внешнего магнитного поля изменяется вероятность синглеттриплетных переходов в радикальных парах, что приводит к изменению выхода продуктов реакции. Принципиальным моментом в данной теории является то согласно расчетам 2,с. Эта величина гораздо меньше времени диффузии и рекомбинации этой же пары в объеме раствора при температурах порядка комнатной, что позволяет не учитывать температурный фактор. Аналогичный подход был использован в работах 4,3 для объяснения эффекта влияния слабого магнитного поля на электропроводность полиацетилена. Основной экспериментальный результат состоит в уменьшении электропроводности полиацетилена на 0, при наложении магнитного поля напряженностью всего Н0 Э. С самого начала изучения взаимодействия слабого электромагнитного излучения с диа или парамагнетиками обнаружились большие экспериментальные трудности и противоречия. Особенно яркое отражение это нашло при исследовании всевозможных водных систем. Несмотря на большое количество публикаций по влиянию магнитного поля на воду см. В первую очередь это связано с малой величиной эффекта, его плохой воспроизводимостью, недостаточной корректностью многих экспериментальных работ. Эксперименты требуют прецизионной аппаратуры, тщательной постановки и обработки данных. В силу этих причин надежных работ, связанных с водой, немного. Например, в 9 эффект увеличения вязкости различных видов воды в магнитном поле 0,,3 Тл составил 5пп3, в параллельном поле и бгУп в перпендикулярном, точность измерения равнялась бг г. Круг слабомагнитных веществ, эффективно взаимодействующих с магнитным полем довольно широк. Интенсивно исследуются магнитовязкие многоатомные газы т. ЗеМаАеЬепВеепаккег 0. Эффект заключается в изменении транспортных свойств линейных парамагнитных молекул таких, как 2, РР3, СН3Р, либо их смеси СН3РНе при наложении внешнего магнитного поля. Имеются работы по изучению вязкости нефти в магнитном поле 1, когда нефть после обработки в импульсном магнитном поле с частотой 1 5 Гц уменьшила свою вязкость на 2. Для объяснения этих результатов авторы выдвигают гипотезу о существовании в нефти янтеллеровских центров. При приложении магнитного поля вырождение электронных состояний снимается, что приводит к исчезновению вибронных взаимодействий и распаду ассоциатов нефти, в результате чего вязкость уменьшается. Аналогичное действие поля существует и в потоке.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.213, запросов: 121