Реакции газофазного окисления-восстановления поверхности PbS (001)

Реакции газофазного окисления-восстановления поверхности PbS (001)

Автор: Неудачина, Вера Сергеевна

Шифр специальности: 02.00.04

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2009

Место защиты: Черноголовка

Количество страниц: 132 с. ил.

Артикул: 4598205

Автор: Неудачина, Вера Сергеевна

Стоимость: 250 руб.

Реакции газофазного окисления-восстановления поверхности PbS (001)  Реакции газофазного окисления-восстановления поверхности PbS (001) 



Метод рсзсфордовского обратного рассеяния может дать полезную информацию структура поверхностного слоя, характер терминирования в случае полярных поверхностей, но в целом обладает недостаточной поверхностной чувствительностью. Для определения сдвигов ОЭС или v i, , вызванных образованием поверхности, используется изучение фотоэмиссии с соответствующих остовных уровней РФЭС с использованием СИ РФЭС СИ, что обеспечивает не только высокое разрешение, но максимальную поверхностную чувствительность. В последнее время для исследования поверхностей широко применяются расчетные методы квантовохимического моделирования . Расчеты не только дополняют экспериментальные данные, но и являются самостоятельным методом исследования. Кроме того, при помощи моделирования можно сопоставить различные группы данных, напрямую несопоставимых, например, понять, отвечает ли сдвиг ОЭС наблюдаемым картинам ДМЭ. Основным методом получения чистых поверхностей монокристаллов является скалывание в вакууме, которое производится при помощи специальных устройств. Кроме того, для предварительной очистки от макроскопических загрязнений можно использовать различные типы полировки механическую, химикомеханическую, химическую, а также электрохимическую . Для удаления микроскопических загрязнений, а также дефектов на поверхности используют метод аргонового травления. Для этого используется аргоновая пушка, которая ионизирует молекулы благородного газа и направляет их на поверхность образца. При этом энергия ионов такова, что позволяет производить послойное травление с
относительно невысокой скоростью. После применения аргонового травления обычно производят отжиг образца, необходимый для восстановления структуры поверхности и удаления летучих слабосвязанных частиц. Еще одним методом получения чистых поверхностей является непосредственное осаждение пленок в том же спектрометре, в котором будет далее производиться анализ , . Атомная структура поверхности РЬЗ 1. На атомы поверхностного слоя действуют силы, отличные от тех, которые действуют в объеме кристалла, поэтому атомы на поверхности испытывают смещения из исходных положений в узлах решетки. Атомы второго и всех последующих слоев также смещаются из исходных положений, причем величина смещения убывает от слоя к слою при движении вглубь кристалла, а на некоторой глубине становится пренебрежимо мала. Традиционно считается, что изменение положения атомов в поверхностном слое полупроводников может существенно влиять па электронную структуру материалов, в том числе на положение энергетических зон и пространственное распределение электронной плотности. Также заметные изменения наблюдаются для широкого круга макро и микроскопических свойств, которые хотя бы частично определяются электронами или ионами в приповерхностных слоях 6. В зависимости от влияния наблюдаемых смещений атомов поверхностных слоев на трансляционную симметрию выделяют два класса поверхностных явлений релаксацию и реконструкцию. В первом случае не происходит изменения трансляционной симметрии поверхности кристалла, т. Если же происходит изменение трансляционной симметрии параллельно поверхности, имеет место реконструкция. В этом случае не все эквивалентные атомы в соответствующих подрешетках смещаются аналогичным образом, т. Проявление явлений релаксации и реконструкции поверхности определяется в значительной степени типом химической связи в кристалле. Реконструкция поверхности характерна для соединений с преобладанием ковалентного типа связи. В случае ярко выраженной ионной и металлической составляющих химической связи в основном наблюдается релаксация поверхности. Соединения Л4В, к классу которых принадлежит сульфид свинца, являются наиболее ионными среди полупроводниковых веществ. Кристаллы со структурой ЫаС1 имеют плоскость спайности 1 для такой поверхности характерна релаксация см. Экспериментальные данные о структуре поверхности представлены в работе . На основании данных метода РСВ сделан вывод об отсутствии как релаксации, так и дифференциальной релаксации. Результаты результатов теоретических расчетов для процессов релаксации поверхности 1, а также имеющиеся экспериментальные данные кратко обобщены в таблице 2. Рис.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.225, запросов: 121