Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe

Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe

Автор: Гапанович, Михаил Вячеславович

Шифр специальности: 02.00.04

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2010

Место защиты: Черноголовка

Количество страниц: 154 с. ил.

Артикул: 4727841

Автор: Гапанович, Михаил Вячеславович

Стоимость: 250 руб.

Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe  Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe 

1 Глава 1. Свойства систем Сс Те X Обзор литературы
1.1 Фазовые равновесия в системах Сс Те, Сс Б, Оа Те, 1п Тс Л
1.1.1 Фазовые равновесия в системе Сс Те.
1.1.2 Фазовые равновесия в системе ваТе
1.1.3 Фазовые равновесия в системе С Б
1.1.4 Фазовые равновесия в системе п Те
1.2 Фазовые равновесия в системах Сс Б Те, Сс Бс Те, Сс ва Те,
СсТе СИ2, Сс п Те.
1.2.1 Разрез Сс8 СсТе в системе Сс 8 Те
1.2.2 Фазовые равновесия в системе СсЛеСбЭе
1.2.3 Фазовые равновесия в системе Сс1ОаТе
1.2.4 Фазовые равновесия в системе СбТеваТе
1.2.5 Фазовые равновесия в системе СсТе ва2Тез.
1.2.6 Фазовые равновновесия в системе СсТе СсИ
1.2.7 Система СсТе пТе
1.3 Методы синтеза полупроводниковых пленок
1.3.1 Электрохимические методы
1.3.2 Синтез СсГГе из газовой фазы с использованием
металлоорганических реагентов
1.4 Кристаллическая структура СсТе, Сс, Ссе, йаТе, Оа2Тез, Сс2
1.5 Полупроводники и их свойства.
1.6 Электрофизические и оптические свойства СсТе
1.6.1 Зонная структура СсГГс
1.6.2 Электрофизические свойства СсГГе
1.6.3 Оптические свойства СсТе.
1.7 Изменение свойств поверхности СсТе под действием лазерного
излучения.
1.8 Влияние примесей на люминесценцию СсТе
1.9 Влияние легирования на дефектную структуру и электрофизические
свойства
1.9.1 Дефектная структура СсТе.
1.9.2 Легирование галогенами
1.9.3 Легирование элементами III группы.
1. . Постановка задачи
2 Глава 2. Синтез твердых растворов на основе СсГГе порошки и пленки и методы исследования.
2.1 Исходные материалы.
2.2 Исследование фазового состава синтезированных образцов.
2.2.1 Система Сб Те
2.2.2 Система Сс1 Оа Те.
Разрез СсГГе СаТе
2.2.3 Система Сс1 1п Те.
2.3 Синтез пленок СсГГе
2.3.1 Синтез из кислых водных растворов.
2.3.2 Синтез из щелочных водных растворов.
2.4 Синтез из этиленгликолевых растворов.
2.5 Исследование фазового состава пленок теллурида кадмия и спектров поглощения.
2.5.1 Синтез из кислых водных растворов.
2.5.2 Синтез из щелочных растворов
2.5.3 Синтез из этиленгликолевых растворов
2.6 Методы исследования
2.7 Заключение.
3 Глава 3. Кинетика гибели неравновесных носителей тока в нелегированном СсГГе
3.1 СВЧфотоотклик.
3.2 Анализ зависимости амплитуды фотооткликов от частоты СВЧ
генератора.
3.3 Спектры КЛ.
3.4 Заключение.
4 Глава 4. Влияние изовалентного замещения на кинетику гибели неравновесных носителей тока в Сс1Те
4.1 Твердые растворы на основе теллурида кадмия ртипа в системах
СсГГе СбБ и СсГГе СбБс
4.2 Анализ зависимости амплитуды фотооткликов от частоты СВЧ
генератора.
4.3 Образцы твердых растворов в системе СсГГе и СсГГе .
4.4 Заключение.
5 Глава 5. Влияние гетеровалентного замещения на кинетику гибели неравновесных носителей тока в СсГГе
5.1 Образцы твердых растворов на основе СсГГе в системах рСсГГе
СсИ2, рСс1Те СаГе, рСсГГе Са2Те3.
5.1.1 Система Сс1ТеСс2. Исследование СВЧфотопроводимости
5.1.2 Система СсГГе Сс2. Спектры катодолюминесценции.
5.1.3 Исследование СВЧфотопроводимости в образцах твердых растворов на основе СсГГе в системах СсГГе ваТе и СсГГе Оа2Те3
5.1.4 Спектры КЛ твердых растворов на основе СсГГе в системе Сс1 ва Те
5.2 Образцы твердых растворов на основе СсГГе в системах пСТе пТе, пСТе П2Т3, пСТе ЬцТез, пСТе
5.2.1 СВЧфотопроводимость твердых растворов на основе СТе в системе С 1п Те
5.2.2 Спектры КЛ твердых растворов на основе СТе в системе С 1п Те
5.2.3 СВЧфотопроводимость твердых растворов на основе теллурида кадмия в системах пСТе
5.2.4 Спектры КЛ твердых растворов на основе теллурида кадмия в систем I пСТе 2.
5.3 Определения константы бимолекулярной электрондырочной
рекомбинации.
5.4 Заключение
6 Глава 6. Роль подбарьериых переходов при рекомбинации неравновесных носителей заряда
6.1 Исследование кинетики гибели носителей заряда в зависимости от температуры методом СВЧфотопроводимости.
6.2 Обсуждение результатов
6.2.1 Модель.
6.3 Сравнение с экспериментом
6.4 Заключение
7 Приложение I. Методы исследования.
7.1 СВЧфотопроводимость.
7.1.1 Зависимость амплитуды фотоотклика от частоты СВЧизлучения
7.1.2 Влияние экранирования и скинэффекта.
7.2 Методика катодолюминесценции.
7.2.1 Измерение спектров катодолюминесценции.
7.3 Спектры поглощения.
7.4 Рентгеиофазный анализ
8 Литература
Обозначения и сокращения
Е8 ширина запрещенной зоны, эВ ст электропроводность, Ом1 см1 п концентрация носителей тока, см3 Е напряженность электрического поля к постоянная Больцмана диэлектрическая проницаемость а, Кх коэффициент поглощения, см1 подвижность, см2Вс
I интенсивность света АР фотоотклик
ДР, изменение добротности резонатора
резонансная частота
ДРю изменение резонансной частоты
т время спада фотоотклика
Г2 время полуспада фотоотклика
X магнитная восприимчивость, см3г.
Кг константа электрондырочной рекомбинации НХСЭ насыщенный хлорсеребряный электрод
Введение


Ф., Один И. Н. Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием. Физика и техника полупроводников, , Т 7. Новиков Г. Ф., Рабенок Е. В., Гапанович М. В. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках VI . Физика и техника полупроводников, , Т Вып. С. . Результаты, включенные в диссертационную работу, частично выполнялись в рамках проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований проектов РФФИ 0а, 5а, 2а. Гапанович М. В,, Радычев , Рабенок Е. В., Один И, Новиков Г. Ф. Кинетика СВЧфотопроводимости теллурида кадмия, легированного иодом. Тезисы XXIV Всероссийской школысимпозиума молодых ученых по химической кинетике, пансионат Клязьма, Московская обл. Гапанович М. В., Радычев , В о Сто в Д. Рабенок Е. В., Один И. Н., Новиков Г. XVIII Всероссийский Симпозиум Современная химическая физика, г. Туапсе, сентября3 октября г. Гапанович М. ВРадычев Н. А., Войпов Д. Н., Рабечок Е. В., Один И. Н., Новиков Г. Ф, Кинетика гибели генерированных светом электронов в телуриде кадмия, легированного иодом III Всероссийская конференция Физикохимические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН, октября, г. Воронеж, том 1, с. Рабенок Е. В,, Гапанович М. В., Радычев Н,А. Один И. Н., Новиков Г,Ф, Влияние легирования галлием на кинетику гибели неравновесных носителей заряда в теллуриде кадмия. XVIII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, сентября г. Москва, Россия, с. Гапанович М. В., Рабенок Е. В., Радычев Н,А,, Один И,Н,, Новиков РФ. Кинетика гибели фотогенерированных носитей тока в теллуриде кадмия легированном галлием X международная конференция Физикохимические процессы в неорганических материалах , т. Н.А. Радычеву Н. А. Тихонина, Ю. В. Метелева, М. В. Гапанович, Г. Ф. Новиков. Зависимость константы скорости безызлучательной электрондырочной рекомбинации в полупроводниках типа VI и Vi от энергии запрещенной зоны. X международная конференция Физикохимические процессы в неорганических материалах , Кемерово, тД, с. Гапанович М. В., Рабенок Е. В., Один И. Н., Новиков Г. Ф. Влияние легирования серой на СВЧфотопроводимость телурида кадмия. XVIII Всероссийский Симпозиум Современная химическая физика, г. Туапсе, сентября3 октября г. V. vi, Е. V. , viv X i ii i i i i i v ii ii
, v , , i, , . Гапанович , Один И Новиков Г. Ф. Получение и исследование свойств пленок и . XX Всероссийский Симпозиум Современная химическая физика, г. Туапсе, сентября г. Рабенок, М. В. Гапанович, Г. Ф. Новикову Один. Влияние легирования серой и селеном на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в теллуриде кадмия. IV Всероссийская конференция Физикохимические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН, г. Воронеж, 6 октября г. Гапанович М. В.у Один , Новиков Г. Ф. Получение и исследование свойств нанокристаллических пленок . IV Всероссийская конференция Физикохимические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН, г. Воронеж, 6 октября г. Маринин А. Ау Радычев Н. А.У Новиков Г. Ф., Гапанович М. В. Температурная зависимость СВЧфотопроводимости в теллуриде кадмия легированном галлием. XXVI Всероссийская школасимпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат Юность, Московская обл. Гапанович М. В., Один И. Н., Новиков Г. Ф. Получение и исследование фазового состава и спектров поглощения нанокристаллических пленок . Третья Всероссийская конференция по наноматериалам НАНО, г. Екатеринбург, апреля , с. Г.Ф. Новикову Маринин, М. В. Гапанович, Е. В. Рабенок Подбарьерные переходы в процессах гибели избыточных носителей тока в теллуриде кадмия. XXI Всероссийский Симпозиум Современная химическая физика, г. М.В. Гапанович, Маринин, Е. В. Рабенок. Один, Г. XXI Всероссийский Симпозиум Современная химическая физика, г. Туапсе, сентября 3 октября г. Диссертация состоит из 6 глав, содержание работы изложено на 4 странице. Диссертация включает рисунков, таблиц, библиографию из 0 наименований.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.246, запросов: 121