Эволюция кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводников в интервале температур 80-300К

Эволюция кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводников в интервале температур 80-300К

Автор: Пряничников, Степан Викторович

Шифр специальности: 02.00.04

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2011

Место защиты: Екатеринбург

Количество страниц: 117 с. ил.

Артикул: 5087071

Автор: Пряничников, Степан Викторович

Стоимость: 250 руб.

Эволюция кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводников в интервале температур 80-300К  Эволюция кристаллической структуры высокотемпературных сверхпроводников в интервале температур 80-300К 



Исследования структуры аТВагСагСизОз. ГПа в интервале температур К. Впервые для монокристаллов Вь8г2СаСи показано, что существует температурный интервал 0 г 0 К, в котором коэффициент теплового расширения отрицателен при охлаждении. КГР. Для материала У0,9Сао. Ва2СизОб,б впервые обнаружен максимум на температурной зависимости параметра а при охлаждении при температуре 0 К. Повышение внешнего давления выше 1 ГПа вызывает в составах Но. Т1о. Ва2Са2Си8зз изменение знака величины схг0гси, характеризующей искажение сверхпроводящих Сиплоскосгей с параметр элементарной ячейки, ъ координата вдоль направления с. В8г2СиОбб Вь8г2СаСи 1 У. СахВа2Сибг8 2, . Рассчитанные по температурным зависимостям параметров ячейки коэффициенты теплового расширения от содержания кислорода, неизовалентного замещения, внешнего давления. Достоверность результатов проведенных исследований и обоснованность выводов, сформулированных в диссертации, обусловлена широким набором экспериментальных данных, полученных комплексом современных физикохимических методов, взаимоподгверждающих и удостоверяющих полученные результаты. Апробация работы. Екатеринбург, г. IX и X Междисциплинарный международный симпозиум Порядок, беспорядок и свойства оксидов г. Сочи, гг. XVI Международное совещание по кристаллохимии и рентгенографии минералов Миасс, 6я летняя Школа Института Пауля Шеррера I г. Зуос, Швейцария, VI Национальная конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ, Москва я Международная конференция по физике низких температур г. Амстердам, Нидерланды, III Международная конференция Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости г. Звенигород, Совещание Химия твердого тела и функциональные материалы г. Екатеринбург, VII национальная конференция Рентгеновское, Синхротрониое излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. НаноБиоИнфоКогнитивиые технологии РСНЭНБИК г. Москва, Международная конференция Сверхпроводимость, исследуемая в экспериментах по рассеянию нейтронов г. Гренобль, Франция, . Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 статьи в рецензируемых российских и международных журналах, тезисов докладов и статей в научных сборниках. Работа выполнена в лаборатории статики и кинетики процессов Учреждения Российской академии наук Институте металлургии УрОРАН в рамках Программы Президиума РАН Физикохимические свойства систем на основе оксидов 3 и 4Гметаллов с кристаллической структурой перовскита, шпинели и граната в равновесных, метастабильных и наноразмерных состояниях шифр 5. Минобрнауки РФ . Купратные высокотемпературные сверхпроводники ВТСП являются слоистыми оксидами, структура которых включает кислороддефицитные блоки МеОб Ме Си, У, Ьа, Н, Т, РЬ, В, называемые зарядовым резервуаром и ответственные за сверхпроводимость квадратные плоскости
Рис 1. Схема кристаллической структуры ВТСП купратов У2Ва2Сиз а, Вг2СаСи2С8 Ь, НдВагСагСизОг с. Цифрами обозначены МеОблоки 1 и СО5 перовскитоподобные блоки 3 структуры. Из обзора 2. В центре каждого квадрата Си находится медь, в вершинах атомы кислорода. Си Рис. МО, где МВа, , они образуют Сипирамиды. Кислород в вершине пирамиды принято называть апикальным. Если в структуре есть соседние СиСЬплоскости, они отделены друг от друга атомами Са или Рис. Электрические свойства ВТСП оксидов определяются концентрацией носителей заряда, которая зависит от содержания кислорода и неизовалентного замещения катионов i, , , , а также от внешнего давления подробнее см. Обобщенная фазовая диаграмма в координатах температура относительная концентрация носителей заряда приведена на Рис. Составы, концентрация носителей заряда в которых меньше оптимального уровня обеспечивающего максимальное значение температуры перехода в сверхпроводящее состояние Тс, принято называть нсдодопированными, больше оптимального передопированными. Рис. Обобщенная фазовая диаграмма ВТСПсистсмы в координатах температура относительная концентрация носителей заряда 2.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.261, запросов: 121