Синтез, строение и применение разнолигандных комплексов карбоксилатов РЗЭ с 2-этаноламинами и N,N'-этилендиаминами

Синтез, строение и применение разнолигандных комплексов карбоксилатов РЗЭ с 2-этаноламинами и N,N'-этилендиаминами

Автор: Мартынова, Ирина Александровна

Шифр специальности: 02.00.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2012

Место защиты: Москва

Количество страниц: 173 с. ил.

Артикул: 6525239

Автор: Мартынова, Ирина Александровна

Стоимость: 250 руб.

Синтез, строение и применение разнолигандных комплексов карбоксилатов РЗЭ с 2-этаноламинами и N,N'-этилендиаминами  Синтез, строение и применение разнолигандных комплексов карбоксилатов РЗЭ с 2-этаноламинами и N,N'-этилендиаминами 

1.1. Реактивы и оборудование тин1мн1минтиими1ммиммиимцинимт
III. 1.1. Исходные вещества
1.1.2. Методы анализа и исследования.
III. 1.3. Методы исследования оксидных пленок
1.2. Синтез тпердых солей II,, координационных соединении и прекурсоров
Все твердые кристаллические продукты получены с достаточно высоким выходом по металлу. .
1.2.1. Синтез твердых солей xxСагЬЭк
1.2.2. Синтез разнолигапдных комплексов карбоксилатов РЗЭ с 2этаноламинами и .этиленднамннами
1.2.2.1. Синтез карбоксилатов РЗЭ
1.2.2.2. Синтез РЛК карбоксилатов РЗЭ с 2этаноламннамн и М,Мэтиленднаминами.
1.2.2.4. Синтез церийсодсржащих растворов и гелей.
Ш.2.2.5. Синтез иттрийсодсржащих растворов прекурсоров
1.3. Получение пленочных материалов.i.
1.3.1. Подложки
1.3.2. Нанесение пленок Се и 2 методом на лабораторной установке
1.3.3. Нанесение пленок 2 методом на установке планарнзацин.
1.3.4. Отжиг оксидных пленок Се
IV. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
IV ОСОБЕННОСТИ СИНТЕЗА, СТРУКТУРА И ТЕРМИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ РАЗНОЛИГАНДНЫХ КОМПЛЕКСОВ РЗЭ С 2ЭТАНОЛАМИНАМИ И ,
ЭТИЛЕНДИАМИНАМИ.
I V 1 .Синтез и характеристики I ининтиеиммчммчниичжччижи
1 V 1.1. Характеристика в нсводных растворителях
1 V 1.1.1. Потенциометрические измерения
IV.1.1.2. Элскгроспрсй массслектрометрни ЭС V
IV 1.1.3. ПМР спектроскопия.
IV 1.2. Синтез и идентификация твердых солей
1.2.1. Кристаллические структуры.
IV.I.2. Особенности синтеза РЛК
IV.I.2.1. Синтез и характеристика разнолигандных комплексов карбоксилатов РЗЭ с моноэтаноламнномбЗ
IV. 1.2.2. ИК спекроскопня гелеобразных продуктов.
IV.I.2.3. Разиолнгандные комплексы карбоксилатов РЗЭ с и Гч.Мэтнлендиаминами i, .
IV.I.2.4. Кристаллическая структура комплекса ivii VIII
IV.1.2.5. Термическая устойчивость.
IV.II. РАЗНОЛИГАНДНЫЕ КОМПЛЕКСЫ КАРБОКСИЛАТОВ РЗЭ С 2ЭТАНОЛАМИНАМИ И .ЭТИЛЕНДИАМИНЛМИ КАК ПРЕКУРСОРЫ МЕТОДА
IV1. Кристаллические пленки Се
1V1.1 Характеристика растворов прекурсоров
1V.II. 1.2. Осаждение пленок Сс.
IV.II.2. Аморфные пленки 0v
IV.2.1. Характеристика растворов прекурсоров
IV.II.2.2. Влияние состава прекурсора ка морфологию поверхности
IV.II.2.3.Выбор оптимальных условий осаждения
IV.II.2.4. Микроструктура пленок оксида птрия.
ЗАКЛЮЧЕН IIЬ .
ВЫВОДЫ ИЗ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


Рост пленок по механизму 1 происходит тогда, когда на подложке зарождаются небольшие стабильные кластеры, которые постепенно превращаются в трехмерные островковые образования. Одним из объяснений возникновения этого механизма роста может быть то, что при осаждении атомы или молекулы более прочно связаны друг с другом, чем с материалом подложки. Такое поведение типично для случаев, когда пленка н подложка представляют собой разнородные материалы. Известны примеры роста по этому механизму оксидных пленок на оксидных подложках, однако наиболее часто этот механизм реализуется при росте металлических и полупроводниковых пленок на оксидных подложках . В послойном механизме 2 рост небольших зародышей протекает в двух направлениях с образованием плоских слоев. В данном случае атомы или молекулы более прочно связаны с подложкой, чем друг с другом, и каждые последующие слои менее прочно связаны с подложкой, чем предыдущие. Типичным примером этого является эпитаксиальный рост полупроводников и оксидных материалов . Механизм роста 3 сочетает в себе черты двух предыдущих после образования одного или нескольких плоских слоев по послойному механизму, энергетически более выгодным становится дальнейший рост по островковому механизму. Этот тип роста более общий и встречается в ряде систем металл металл и металл полупроводник . Из этого следует, что механизм роста пленки прекурсора определяется характером взаимодействий компонентов прекурсора между собой и с материалом подложки. При термообработке в пленке прекурсора протекают химические и физические превращения. Этот этан включает в себя две стадии пиролиз и высокотемпературную кристаллизацию рис. Как правило, пиролиз протекает при температурах 0 0С и сопровождается удалением органических фрагментов и растворителя. На этом этапе связи МОС МОII в МОП начинают разрываться с преимущественным образованием МОМ связей. После пиролиза материал представляет собой практически аморфную неорганическую пленку, в которой могут быть небольшие органические включения. При небольшом увеличении температуры пиролиза, в материале, который уже стал пористым, начинаются структурные изменения, называемые уплотнением. Например, уплотнение прскурсорной пленки происходит под действием капиллярных сил вследствие изменения объема пленки. Быстрое снижение объема, т. МОП в кристаллическую оксидную пленку. В зависимости от реакционной способности и скорости температурной обработки уплотнение может протекать как до, так и после зародышеобразования, а также при высокотемпературной кристаллизации. Высокотемпературная кристаллизация пленки протекает в инертной или восстановительной атмосфере. Существует два различных подхода к температурной кристаллизации. В первом одноступенчатом подходе пленка подвергается быстрому нагреву, что приводит к возможному увеличению температур начала кристаллизации и образованию более плотных материалов. В двухступенчатом подходе температурные процессы пиролиза и кристаллизации разделены. Обычно, при получении тонких пленок, прежде всего тскстурированных, стремятся к получению плотных микроструктур. При этом следует принимать во внимание следующие особенности образования текстурированных пленок. Уплотнение пленки на стадии пиролиза приводит к ее структурной релаксации и образованию необходимой текстуры при высокотемпературном отжиге. Если же после стадии пиролиза уплотнение не полностью завершилось и пленка содержит часть органических фрагментов, то в процессе высокотемпературной обработки возможно образование примесных ориентаций оксидной пленки. Во многих случаях на стадии высокотемпературного отжига оправдано использование дополнительных прекурсоров, например, воды, благодаря чему при повышенных температурах протекает процесс пирогидролиза и температурный интервал образования оксидов значительно снижается, а органические примеси полностью удаляются . II. Прикладной аспект данной работы связан с осаждением тонких пленок СсОг и Уз потенциальных буферных слоев в ВТСП лентах второго поколения, поэтому основные типы прекурсоров метода химического осаждения из растворов рассмотрим на примере соединений церия и итгрия.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.266, запросов: 121