Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках

Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках

Автор: Шаров, Михаил Константинович

Шифр специальности: 02.00.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2000

Место защиты: Воронеж

Количество страниц: 160 с. ил

Артикул: 315284

Автор: Шаров, Михаил Константинович

Стоимость: 250 руб.

Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках  Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках  Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках  Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках 

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Система свинец теллур.
1.2. Получение пленок теллурида свинца.
1.3. Структура и физические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца
2.2. Локальный рентгеноспектральный микроанализ
2.3. Рснтгсносгруктурный анализ
2.4. Металлографический анализ тонкой структуры монокристаллов . РЬТс и пленок РЬТс
2.5. Изучение электрофизических свойств тонких пленок РЬТс
ГЛАВА 3. МИКРОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК РЬТе1 И РЬТеЯЮ
3.1. Влияние условий формирования на кристаллическую структуру пленок РЬТеУЯт и РЬТеБЮ.
3.2. Металлографическое исследование микроструктуры объемных монокрнсталличсских и тонкопленочных образцов РЬТс
3.3. Рентгенографическое исследование скалярной плотности дислокаций в пленках РЬТсМ и РЬТсБЮ
ГЛАВА 4. ЛЕГИРОВАНИЕ ПЛЕНОК РЬТе И РЬТсЗЮ ГАЛЛИЕМ
ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД ГЕТЕРОГЕННОЙ СМЕСЬЮ ОаТс5 и
4.1. Выбор условий парофазного легирования галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках
4.2. Моделирование процесса парофазного легирования галлием тонких пленок РЬТсБт и РЬТеБЮгЛй
4.3. Методика и результаты парофазного легирования
галлием пленок РЬТеУ и РЬТеУЯЮгУЯт.
ГЛАВА 5. СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ РОСТА
5.1. Условия раздельной конденсации паров РЬ и Оа из независимых
источников при выращивании пленок методом горячей стенки.
5.2. Изучение процесса конденсации паров над расплавами системы
РЬ Оа при помощи метода горячей стенки 1
5.3. Синтез пленок РЬ Гс, легированных Оа непосредственно в процессе роста па 8т подложках
5.4. Влияние содержания примеси галлия на параметр кристаллической решетки пленок РЬ.уСауТс.
ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ
ГАЛЛИЕМ ПЛЮК РЬГс И ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


Содержание работы изложено на 0 страницах и включает рисунка и таблиц. Влияние температуры и состава расплавов системы РЬ Са на содержание галлия в пленках РЬ. Немонотонный характер зависимости параметра кристаллической решетки пленок РЬ. Модель поведения примесных атомов галлия в кристаллической структуре РЬТс. ГЛАВА 1. В системе РЬТе существует одно соединение монотеллурид свинца РЬГе, плавящееся конгруэнтно при К VI7 С или ,99,5 К 3, С . Второе значение является более точным, поскольку подтверждается результатами последних работ . Максимум на кривой ликвидуса не совпадает со стехиометрическим составом и соответствует избыточному содержанию теллура ,2 ат. Монотеллурид свинца образует с теллуром эвтектику при ,5 аг. Те с температурой плавления 8 К 5С . Состав эвтектики со стороны РЬ был установлен путем экстраполяции линии ликвидуса и составлял 0. Те . Температура плавления эвтектики на 0,7 К ниже точки затвердевания чистого РЬ. Координаты нонварнангных точек РТх диаграммы состояния системы свиисцтсллур рис. Определение границ области гомогенности посредством микроструктурного и рентгеновского анализа, а также путем измерения плотности показало, что эта область чрезвычайно узка и лежнг за пределами точности обычных металлографических методов . Протяженность области гомогенности РЬТс, по данным . К 5С отмечена от ,4 до ,2 а г. Те. Данные указывают, что область нестехиометрии теллурида свинца несколько шире и при К 0 С простиралась от , до , ат. Те. Па Тх проекции РТх диаграммы состояния РЬТс рис. По данным авторов , точка и соответствует максимальной температуре конгруэнтной сублимации, и выше нее РЬТс распадается с образованием расплава и пара, причем все фазы должны иметь разный состав. Как отмечено в работе , в точке плавления М, рис. Термодинамические характеристики теллурида свинца представлены в таблице 2. Преобладающими дефектами в РЬТс следует считать атомы свинца в междоузлиях и их вакансии Урь . Рис. РТх диаграмма состояния системы свинец теллур а Тх проекция б РТ проекция в Рх проекция . Рис. Таблица 1. Параметр тт О, и Мт а2 Тщ. БРЬЛ1. РЬга1УРЬТе,. УРЬТе. РЬТе1. УТе,в РЬТе1В1УТ е,в 1. Р. гПа 5 1,1 2 7 7 2. Ху. Xй. Ха, ат. Таблица 2. Джмопь дн дБ молекул дКПа А АТВ. Джоль грэд
,0,7 . РЬТе, РЬ. Тег 0 0 0 0. Теялурид свинца имеет одну кристаллическую модификацию и характеризуется кубической гринецстрированнон решеткой типа 1ЧаС1 табл. РЬТс обладает проводимостью птипа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимостью ртипа при избытке Тс . В отличие от большинства полупроводников ширина запрещенной зоны в РЬТе увеличивается с ростом температуры. Результаты изучения зависимости Е,ГТ, полученные авторами из сдвига края собственного поглощения рис. К 1ЕсЛ4. ВК. Предложенная в работе модель двух валентных зон, допускающая существование низкотемпературной основной валентной зоны и второй валентной зоны, которая не меняется с температурой, позволила объяснить расхождения в величинах оптической и термической ширины Е. Из температурной зависимости удельного сопротивления в работе , была определена термическая ширина запрещенной зоны РЬТс. В при О К и находилась в хорошем согласии со значением оптической ширины запрещенной зоны рис. Отмечено, что собственная проводимость в РЬТс проявляется при температурах выше 0 К . В результате анализа зависимости коэффициента поглощения от энергии фотона был сделан вывод, что для РЬТе при 0 К характерны непрямые оптические переходы с минимальной энергией порядка 0, эВ . Зависимость холловской подвижности от температуры в интервале 00 К выражается законом . Т,а 1. Однако исследования, выполненные в более поздние годы, показали, что наряду е рассеянием на акустических колебаниях решетки заметную роль играют эффекты рассеяния на полярных оптических колебаниях, а при самых низких температурах на ионизированных примесях . Таблица 3. Простран ственная группа Период решетки, нм Ширина запре щенной зоны Ед. ЭВ Темпера турный коэф йЕсГМО4. ВК Подвижность Рн. Вс Теплспровсд ность х1. ДжсмсК Плотность р. РтЗт 0.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.234, запросов: 121