Новые координационные соединения для органических электролюминесцентных устройств

Новые координационные соединения для органических электролюминесцентных устройств

Автор: Котова, Оксана Вячеславовна

Шифр специальности: 02.00.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2008

Место защиты: Москва

Количество страниц: 164 с. ил.

Артикул: 3443755

Автор: Котова, Оксана Вячеславовна

Стоимость: 250 руб.

Новые координационные соединения для органических электролюминесцентных устройств  Новые координационные соединения для органических электролюминесцентных устройств 

1. Комплексы цннкаН строение и люминесцентные свойства
1.1. Особенности строения комплексов цинкаН.
1.2. Механизм люминесценции комплексов цинка
1.3. Возможности модифицирования люминесцентных свойств комплексов цинкаИ.
2. Гетерометаллическне комплексы ХппЬпт
2.1. Строение ГМК 2плш
2.2. Особенности люминесценции ионов лантанндовИ.
2.3. Механизм люминесценции координационных соединений лантанидовШ
3. Органические элсктролюминссцентныс устройства ОЭЛУ, ОЬЕО.
3.1. Структура и принципы работы ОЭЛУ.
3.2. Методы осаждения тонких пленок КС входящих в структуру ОЭЛУ
3.3. Характеристика пленок, входящих в структуру ОЭЛУ
3.3. Электролюмннссцентные устройства на основе комплексов цинкаН.
3.4. Электролюмннссцентные устройства на основе ароматических карбоксилатов тербин.
4. Постановка задач исследования и струкгура работы.
III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
П.1. Реактивы, методы анализа и исследования.
III 1.1. Реактивы и препараты.
.2. Методы анализа и исследования.
1.1.3. Измерение и расчет люминесцентных характеристик
.4. Теоретическое моделирование оснований Шиффа и их комплексов цинкаП .
.2. Методики синтеза исследуемых соединений
.1. Синтез оснований Шиффа
.2. Синтез комплексов цинка с основаниями Шиффа.
III. 2.3. Синтез комплексов РЗЭШ с дипивалоипметаном и
гексафторацетилацетоном .
II 1.2.4. Синтез гетерометаллических комплексов
i , ,
III. 2.5. Синтез комплексов тербия с ароматическими карбоксилатами ТЬСагЬз, ТЬСагЬз0п , , , А О ТРРО, ТОРО п1,
. Нанесение гонких пленок ароматических карбоксилатов тербияШ методом центрифугировании
1 I I г
I.4. Реакционное осаждение нелетучих 3 1, , из газовой фазы.
III. 4.1. Газофазный синтез ЬпЬгз , , в газовой фазе
III. 4.2. Реакционное осаждение тонких пленок ТЬЬгз
III.5. Технология изготовления ОЭЛУ
IV ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬ ТА ТОН.
СИНТЕЗ, СТРУКТУРА И ФОТО ФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКСОВ ЦИНКАII С ОСНОВАНИЯМИ ШИФФА
V.1. Комплексы цинкаИ с основаниями Шиффа.
IV. 1.1. Характеристика оснований Шиффа
IV. 1.2. Кристаллические структуры 2, 2I,
IV. 1.5. Особенности синтеза и характеристика комплексов цинка с основаниями
Шиффа.бз
IV. 1.4. Кристаллические структуры комплексов цинкаII с бидентатными основаниями Шиффа, производными салицилового альдегида 2, ,
,
IV. 1.5. Кристаллические структуры комплексов цинка с тетрадентатными основаниями Шиффа, производными ацетилацетона 2С2 СШб,
, 8.
IV. 1.6. Термический анализ в атмосфере азота и препаративная вакуумная.
сублимация оснований Шиффа и комплексов цинкаП.
IV. 1.7. Фотофизические свойства оснований Шиффа и комплексов цинкаИ
IV.2. Гетерометаллическне комплексы i2 1, , IIII
IV 2.1. Характеристика и кристаллические структуры 2прМЦ
СРгСОО1па2 Ьп Бтш, Еиш, Ос1, И
IV. 2.2. Фотофизические свойства ХпрМОр2СРСООЬпЬа2 Ьп Ьа, сгг, Бт1, Еиш, СИ, ТЬШ, Иу
КАРБОКСИЛА ТЫ ТЕРКИЯШ И КОМПЛЕКСЫ ЦИНКА II С ОСНОВАНИЯМИ ИФФА КАК ПРЕКУРСОРЫ ЭЛ МА ТЕРИАЛОВ
У.З. Тонкие пленки ароматических карбоксилатов тербия ТЬСагЬз, ТЬСагЬ3п НСагЬ НЪг, Ша, НроЬг, НРА ТРРО, ТОРО п 1,
У.З Исследование тонких пленок ТЬСагЬз, ТЬСагЬз0п СагЬ НБа, НроЬг,
НРА ТРРО, ТОРО п , 2, полученных методом центрифугирования
IV.3.2. Реакционное осаждение тонких пленок нелетучих координационных соединений на примере ТЬЪгз.
У.4. Элсктролюминесцснтнме устройства
ГУ.4.1. Электротоминесцентные устройства на основе комплексов цинкаП с тетрадетатньми основаниями Шиффа, производными салицилового альдегида.
У.4.2. Электролюминесцентныеустройства на основе ТЬЪгз.
К ВЫВОДЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
КС координационное соединение
КЧ координационное число
РЛК разиолигандный комплекс
, РЗЭ лантанид, редкоземельный элемент
ЭЛ электролюминесценция
ФЛ фотолюминесценция
ПМР протонный магнитный резонанс
I массспектрометрия электронного удара
МАЛДИЛДИ матричная лазерная десорбцияионизация
лазерная десорбцияионизация
I ионизация пробы электрораспылснисм при атмосферном
давлении
РСА рентгеноструктурный анализ
РФА рентгенофазовый анализ
атомносиловая микроскопия
1 салицилальитулоидин
IIII2 iVсалицилиденядиметиламиноанилин
3 салицилальпаннзолидин
2I Лг,Агэтиленбиссалицилидендиамин
. 0фениленбиссалицилидендиамин
Н2МО1 . этиленбисЗметоксисалицилидендиамин
Н2МО2 ЛЛг,офсниленбнс3метоксисалицилидсндиамин
ПгАС Лг,Агэтиленбисацетилацетонимин
2I . этилснбисмстилацетоацетатимин
Лгэтиленбисшдтбутилацетоацетатимин
i дикетоны
гсксафторацетилацетон 1,1,1,5,5,5гексафторпентан2,4дион
дипивалоилметан 2,2,б,бтстраметилгспта3,5дион
I бензойная кислота
озамещепные бензойные кислоты
салициловая огидроксибензойная кислота
2феноксибензойная кислота
НРА iVфснилантраниловая кислота
ТОРО
ОЭЛУ


V.v,



.
i
набл.

I
трифенилфосфиноксид триоктилфосфиноксид гетсрометалличсский комплекс
органическое электролюминссцентное устройство i i ii vi
ИИДИЙОЛОВЯННЫЙ оксид
поли3,4этилендиокситиофенполи4стиренсульфонат
поливинилкарбазол
Ы, А,,дифеилЛЛр3мстилфеиил1,1 бифен ил4,4диамин комплекс алюминия с 8оксихинолином среднеквадратичная шероховатость поверхности
высшая занятая молекулярная орбиталь i i i низшая свободная молекулярная орбиталь i i
слой с электронно проводимостью
слой с дырочной проводимостью
энергия Ферми
сииглетный уровень
трип летный уровень
относительный квантовый выход
абсолютный квантовый выход
квантовый выход люминесценции при непрямом через лиганд возбуждении иона лантанида
внутренний квантовый выход при прямом непосредственном возбуждении нона лантанида
наблюдаемое время жизни возбужденного состояния
перенос заряда с лиганда на лиганд ii
перенос заряда с лиганда на металл i
перенос заряда с металла на лианд Ii
бисгидроксифенил1 фенилбензимидазолат цинк
0X
бис2огидроксифсншбснзоксазолат цинк бисгидроксифенилбензотиазолат цинк бисгидроксифснил5фенил1,3,4оксадиазолат цинк бисгидроксифенил5фенил1,3,4оксатиазолат цинк бис2,2гидроксифенилниридинат цинк
I. ВВЕДЕНИЕ
Актуальность


Кишинев, г. Одесса г. УНой международной конференции по высокотемпературным сверхпроводникам и созданию новых неорганических материалов МБиНТБС Москва, г. Международной школе Новые люминесцентные материалы на основе органическихнеорганических комплексов лантанидов Крутин, г. Европейской конференции по химическому осаждению из газовой фазы Бохум, г. Международной конференции по химии элементов ГСГе Вроцлав, г. Всероссийской конференции инновационных проектов аспирантов и студентов Зеленоград, г. Международной конференции Современные технологии создания дисплеев Москва, г. Международном симпозиуме по фотохимии и фотофизике координационных соединений Дублин, г. Результаты работы опубликованы в статьях в реферируемых российских и зарубежных журналах, а также в тезисах доклада на российских и международных конференциях. Диссертация изложена на 4 страницах, в число которых не включено оглавление, и содержит рисунка, таблиц и 0 литературных ссылок. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, экспериментальной части, обсуждения результатов, включающего четыре раздела, выводов, списка литературы и приложения. II. Атом цинка имеет замкнутую и поэтому очень стабильную электронную Зсв2 электронную оболочку. Поскольку цинк фактически не проявляет переменной валентности и не образует соединений, в которых с1слой был бы незаполненным, он не имеет в гетероатомных соединениях более высокую степень окисления, чем 2. Координационные возможности цинка обширны, благодаря легкой деформируемости электронной б оболочки. Возникающий в результате такой деформации дополнительный эффект поляризации делает возможным образование ковалентных связей, в частноеги, спецификой иона ЪтР является образование ковалентных по типу химической связи и молекулярных по тину структуры металлоорганических соединений, а также проявление ярко выраженной тенденции к образованию координационных соединений КС с преимущественно ковалентными связями 1. Известно огромное количество комплексов цинкаН с различными органическими лигандами 2, этот металл входит даже в состав белков 3. Анализ координационных возможностей Ш позволяет сказать, что в соединениях с КЧ 4 для него реализуется тетраэдрическое окружение. Если стеричсские зартруднения или природа лиганда не позволяют реализовать тетраэдрическое окружение, то происходит координация дополнительного донорного атома, и, как следствие, координационное число возрастает до пяти, координационный полиэдр искаженная пирамида или тригональная бипирамида 1,4. В настоящей работе проведено исследование комплексов ципкаН с основаниями Шиффа, которые содержат ЛОдопорные атомы, поэтому особенности строения комплексов ,, в основном, будут рассмотрены на их примере. Использование бидентатных лигандов НЬ рис. П чаще всего приводит к образованию моноядерных комплексов типа 2 рис. За счет органических лигандов, выступающих в качестве мостиков, возможно образование димерных, тримерных и полимерных структур, содержащих фрагменты 2 рис. Рис. Координационные возможности иона цинкаН с ЧОдонорными лигандами, содержащими сопряженные фрагменты. На рис. И с бензимидазолами НрЬш гидроксифенилбснзимидазолом рис. НерЬт 3этилгидроксифеиилЗНбензимидазолом рис. При переходе от НрЬт к НерЬт происходит увеличение диэдралыюго угла между имадазольным и фенольным кольцами за счет введения этильного заместителя к атому азота имидазольного фрагмента. Эго приводит к увеличению расстояния между донорными атомами азота и кислорода, что способствует образованию димерной структуры гП2срЬш4, содержащей ядро 2, которое окружено четырьмя депротонироваными ерЬт лигандами. Одна пара из этих лигандов выступает в роли хелатномостиковон, связывающей два атома цинка, а вторая образует только хелатные циклы. Координационное окружение иона цинкаП тршональная бшшрамида. Образование аналогичных димеров или даже тетрамеров было обнаружено для комплексов цинкаН с гидроксифснилбензогиазолом НВГ2 и 8гидроксихинолнном Н3, соответственно 8, 9. Рис. Строение комплексов 7прЬшЬ а 7 и гп2ерЬш4 б 5.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.490, запросов: 121