Ионный обмен на кислых фосфатах поливалентных элементов

Ионный обмен на кислых фосфатах поливалентных элементов

Автор: Стенина, Ирина Александровна

Шифр специальности: 02.00.01

Научная степень: Кандидатская

Год защиты: 2003

Место защиты: Москва

Количество страниц: 153 с.

Артикул: 2614297

Автор: Стенина, Ирина Александровна

Стоимость: 250 руб.

Ионный обмен на кислых фосфатах поливалентных элементов  Ионный обмен на кислых фосфатах поливалентных элементов 



Естественно, что одноименно заряженные дефекты будут отталкиваться. Если их концентрация достаточно высока, то они будут стремиться располагаться как можно дальше друг от друга по определенному закону, образуя при этом как бы новую подрешетку сверхструктуру. Подобные эффекты аналогичны явлениям в растворах , поэтому можно предположить, что взаимодействие дефектов начинает играть заметную роль тогда, когда их концентрация становится достаточно высокой. Энергию взаимодействия между двумя заряженными дефектами можно в первом приближении найти по закону Кулона I. Пусть, например, в кристалле АВ существуют заряженные катионные Уд и анионные Уц вакансии, которые способны объединяться в ионные пары. Гиббса данного процесса , . ДсбаяХюккеля 1. При более высоких концентрациях дефектов она становится неприменимой и более приемлемые результаты дает квазиМаделунговский подход . Образующиеся ионные пары представляют собой диполи, которые также могут взаимодействовать с образованием более сложных ассоциатов или кластеров, которые в отдельных случаях формально могут рассматриваться как новые фазы . Легко показать, что к росту ассоциации структурных дефектов приводит как понижение температуры, так и повышение их концентрации. В последние годы весьма интенсивно проводятся исследования в области моделирования процессов взаимодействия и ассоциации дефектов в твердых телах и влияния на них различного рода факторов , . Многие химические процессы сопровождаются переносом атомов или ионов твердого тела. Особенности этого переноса существенным образом зависят от его дефектности. Так, сама скорость протекания транспортных процессов определяется произведением концентрации дефектов на их подвижность. Именно высокая концентрация дефектных центров является одной из важнейших особенностей так называемых суперионных проводников . С другой стороны, в ряде случаев необходимо уменьшить скорость протекания диффузионных процессов, приводящих к разрушению, деградации материалов , , . Фактически, повышение реакционной способности твердых тел сводится к заселению их дефектами. Существует множество механизмов дефектообразования . Среди них можно выделить следующие механизмы. Формирование подобных дефектов является одной из причин повышения скорости протекания диффузионных процессов с увеличением температуры. Механизм процессов образования и исчезновения дефектов при этом является диффузионным. В обычном кристалле, находящемся в условиях термодинамического равновесия, основное число дефектов достаточно удалено друг от друга и от поверхности. Поэтому их аннигиляция, безусловно, требует достаточно большого времени. Сюда же можно отнести образование неравновесных дефектов при быстром охлаждении закалке веществ. Так, если процесс охлаждения проводится достаточно быстро, скорость протекания диффузионных процессов резко понижается и дефекты не успевают достичь поверхности, являющейся местом их стока. Поэтому в полученных таким образом материалах концентрация дефектов в течение длительного времени заметно превышает равновесные для данной температуры значения 3, 4. Образование внедренных примесных дефектов при химической обработке соединений. Образование дефектов может протекать как за счет легирования ионных кристаллов соединениями элементов другой валентности, так и при взаимодействии с какимлибо компонентом газовой фазы, входящим в состав кристалла. В первом случае возможно образование дефектов различного типа вакансий, междоузлий, и т. Нахождение кристалла ЛВ в атмосфере с некоторым избыточным давлением компонентов А или В приводит к некоторому чаще всего незначительному увеличению содержания одного из них в кристалле 1, 8, . Образование дефектов на поверхности частиц в силу нескомпенсированности химических связей . Условия локализации катионов и анионов на поверхности частиц существенным образом отличаются от таковых в объеме и, кроме того, не являются эквивалентными , . При этом на поверхности происходит формирование катионных вакансий или междоузлий, а дефекты противоположного знака концентрируются в узком приповерхностном слое.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

28.06.2016

+ 100 бесплатных диссертаций

Дорогие друзья, в раздел "Бесплатные диссертации" добавлено 100 новых диссертаций. Желаем новых научных ...

15.02.2015

Добавлено 41611 диссертаций РГБ

В каталог сайта http://new-disser.ru добавлено новые диссертации РГБ 2013-2014 года. Желаем новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.313, запросов: 121