Электродные и электрорезистивные свойства халькогенидных стеклообразных сплавов систем As-Ge-Te,Tl-Ge-Te,Cu-As-Te,Cu-As-Se в условиях их коррозии

• Автор: Антонова, Наталья Евгеньевна
• Шифр специальности: 05.17.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Калининград
• Количество страниц: 140 с. : ил.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Сравнение характеристик стеклообразного и кристаллического состояний вещества
1.2. Области стеклообразования и диаграммы состояния металлсодержащих теллуридных и селенидных систем
1.2.1. Система мышьяк - германий - теллур
1.2.2. Система таллий - германий - теллур
1.2.3. Система медь - мышьяк - теллур
1.2.4. Система медь - мышьяк - селен
1.3. Ионоселективные электроды на основе кристаллических и стеклообразных халькогенидов
1.4. Металлические и стеклянные редокс-электроды
1.5. Электропроводность и электрическое сопротивление стеклообразных полупроводников
1.6. Химическая стойкость халькогенидных стеклообразных материалов
1.6.1. Особенности химического растворения халькогенидных стекол
1.6.2. Электрохимическое растворение теллуридных и селенидных стеклообразных сплавов
1.7. Краткие выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования
2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Объекты исследования
2.2. Методика исследования электродного поведения халькогенидных электродов с твердофазными мембранами в растворах редокс-систем
[Те(СМ)б]37[Ре(СЫ)б]4 С6Н402 /С6Н4(0Н)2, Ре3+/Ре2+, Сг20727Сг3+
2.3. Методика исследования электродных функций халькогенидных электродов с твердофазными мембранами в растворах, содержащих катионы-окислители Си2+ и Бе3+

2.4. Методика измерения электрического сопротивления стеклообразных
халькогенидных полупроводников
3. ЭЛЕКТРОДНОЕ ПОВЕДЕНИЕ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ
ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ И ИСХОДНЫХ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ В УСЛОВИЯХ ИХ КОРРОЗИИ В РАСТВОРАХ РЕДОКС-СИСТЕМ [Ее(СИ)б]37[Ее(СИ)6]4', С6Н402 /С6Н4(ОН)2, Ее3+/Ее2+,
Сг20727Сг3+
3.1. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ое, Бп, РЬ, Аэ, БЬ, В1,
Те, РЬБ, БеБг, СиГеБ2 и стеклообразных сплавов систем Аэ-Ое-Те, Т1-Се-Те, Си-Аэ-Те, Си-Аз-Бе в растворах редокс-системы [Ее(СИ)6]3' /[Ее(СИ)6]4
3.2. Электродные потенциалы кристаллических Си, йе, Аз, Те, РЬБ, Ге82, СиЕеБ2 и стеклообразных сплавов систем Аз-ве-Те, Т1-Ое-Те, Си-Аэ-Те, Си-Ав-Бе в растворах редокс-системы С6Н402 /С6Н4(ОН)2
3.3. Электродные потенциалы кристаллических Си, Ое, Бп, РЬ, Аэ, БЬ, Вц Те, РЬБ, ЕеБ2, СиЕеБ2 и стеклообразных сплавов систем Аз-ве-Те, ТЮе-Те, Си-Аэ-Те, Си-Аэ-Бе в растворах редокс-системы Ее3+/Бе2+
3.4. Электродные потенциалы кристаллических Си, ве, Бп, РЬ, Аэ, БЬ, В1,
Те, РЬБ, Ее82, СиГеБ2 и стеклообразных сплавов систем Аз-Ое-Те, Т1-Ое-Те, Си-Аэ-Те, Си-Аз-Бе в растворах редокс-системы Сг20727Сг3+
4. ЭЛЕКТРОДНЫЕ СВОЙСТВА МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ В УСЛОВИЯХ ИХ КОРРОЗИИ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ КАТИОНОВ-ОКИСЛИТЕЛЕЙ
4.1. Электродные функции стеклообразных сплавов систем Лэ-Се-Те, Т1-Ое-Те, Си-Ав-Те и Си-Ав-Бе в растворах, содержащих катионы Си2+
4.2. Электродные функции стеклообразных сплавов систем Аз-ве-Те, ТЕве-Те, Си-Аэ-Те и Си-Аэ-Бе в растворах, содержащих катионы Бе3^
4.3. Механизм формирования Си2+ и Ее3+-электродных функций и химическая устойчивость стеклообразных халькогенидных мембран

систем Аб-Оє-Тє, ТІ-ве-Те, Си-АБ-Те и Сіі-Аб-Бє
5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ, СОДЕРЖАЩИХ КАТИОНЫ-ОКИСЛИТЕЛИ
5.1. Ионорезистивные характеристики стекол и стеклокристаллов системы Си-АБ-Бе
5.2. Ионорезистивные характеристики стекол теллуридных систем ТЮе-Те, Си-Ое-Те и Си-Аб-Тє
5.3. Взаимосвязь ионорезистивных и электродных характеристик халькогенидных стекол
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

3. ЭЛЕКТРОДНОЕ ПОВЕДЕНИЕ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ И ИСХОДНЫХ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ В УСЛОВИЯХ ИХ КОРРОЗИИ В РАСТВОРАХ РЕДОКС-СИСТЕМ [Те(СМ)6]37 [Те(СМ)6]4', С6Н402/СбН4(0Н)2, Ее3+/Ре2+, Сг20727Сг3+
3.1. Электродные потенциалы кристаллических Си, ве, Бп, РЬ, Аз, БЬ, В1, Те,
РЬБ, РеБ2, СиРеБ2 и стеклообразных сплавов систем Аз-Ое-Те, Т1-Ое-Те, Си-Ав-Те, Си-Ав-Бе в растворах редокс-системы [Ре(СМ)6]37[Ре(СЫ)6]4'
В настоящей работе изучены электродные потенциалы халькогенидных сплавов и исходных компонентов, а также проведено их сравнение с потенциалами растворов редокс-систем, которые измерялись с помощью платинового электрода [183-188]. Поскольку подобные исследования не проводились ранее, интересным представилось изучить редокс-потенциалы кристаллов природного происхождения: РЬБ, ЕеБ2, СиЕеБ2, которые также используются в качестве датчиков, а затем сравнить полученные результаты для стеклообразных и кристаллических веществ.
Исследование электродных потенциалов кристаллических Си, ве, Бп, РЬ, Аэ, БЬ, Вц Те, РЬБ, ЕеБ2, СиЕеБ2, а также стеклообразных сплавов систем Аз-ве-Те, ТТве-Те, Си-Ая-Те, Си-Аэ-Бе в растворах редокс-системы [Ее(СМ)6]37[Ре(С1т)б]4' проводилось по описанной выше методике. Результаты измерений представлены в таблицах 3
3.6. По полученным данным построены графические зависимости, которые изображены на рис. 3.1 - 3.6.
Таблица 3.1. Электродный потенциал кристаллических Си, ве, Бп, РЬ, Аб, БЬ, В1, Те и Р1 в растворах редокс-системы [Бе(СМ)6] 37[Ре(С1Т)б]4’
Состав электрода Е ± ДЕ, мВ
1я Сюх/Стгл -3 -2 -1 0 1 2 3
Р1 125 ± 3 160 ± 3 212 ± 2 266 ± 4 315 ± 3 363 ± 3 403 ±
Аз 303 ± 3 530 ± 5 692 ± 2 738 ± 6 870 ± 5 947 ± 6 986 ±
Си -35 ± 5 -20 ± 3 20 ± 5 96 ± 2 60 ± 5 83 ± 3 123 ±
Се -20 ± 5 40 ± 5 114 ± 4 236 ± 2 237 ± 6 236 ± 2 247 ±
Те 67 ± 6 106 ± 4 165 ± 5 258 ± 6 272 ± 2 293 ± 3 308 ±
РЬ -465 ± 5 -463 ± 3 -427 ± 6 -380 ± 5 -290 ± 3 -272 ± 4 -180 ±
вп -90 ± 3 -78 ± 6 -73 ± 3 -58 ± 6 220 ± 5 215 ± 5 240 ±
В1 -122 ± 4 -82 ± 2 15 ± 5 30 ± 5 56 ± 2 93 ± 3 160 ±
бь 275 ± 5 317 ± 6 364 ± 4 373 ± 3 427 ± 6 498 ± 6 528 ±