Разработка методики моделирования установившихся режимов электроэнергетических систем с гибкими электропередачами

• Автор: Радилов, Тудор Владимирович
• Шифр специальности: 05.14.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 150 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Проблема слабых мест. Необходимость использования устройств ГЭП для их усиления
1.1 Сенсоры и слабые места в ЭЭС
1.2 Задача выявления слабых мест в ЭЭС. Способы их усиления
1.3 Использование гибких систем электропередачи для повышения надежности функционирования ЭЭС
1.3.1 Введение
1.3.2 Статический тиристорный компенсатор
1.3.3 Тиристорно-управляемое устройство продольной компенсации
1.3.4 СТАТКОМ
1.3.5 Синхронный статический продольный компенсатор
1.3.6 Объединенный регулятор потоков мощности
1.4. Выводы по главе
2. Расчет установившихся режимов ЭЭС при использовании устройств гибких электропередач
2.1 Введение
2.2 Математическая модель поперечных устройств ГЭП первого поколения для расчета установившихся режимов ЭЭС
2.2.1 Определение проводимости ТРГ
2.2.2 Математическая модель ТРГ с последовательно соединенным трансформатором связи
2.2.3 Математическая модель СТК с последовательно соединенным трансформатором связи
2.3 Математическая модель ТУПК
2.4 Формы записи узловых уравнений установившегося режима при учете устройств ГЭП первого поколения

2.5 Расчет установившихся режимов сложнозамкнутой электрической сети при использовании устройств ГЭП первого поколения
2.6 Выводы по главе
Глава 3. Оценка влияния устройств ГЭП на чувствительность узлов и слабость ветвей ЭЭС в установившихся режимах
3.1 Введение
3.2 Аппарат сингулярного анализа матрицы чувствительности
3.2.1 Разные формы матрицы чувствительности
3.2.2 Сингулярный анализ матрицы чувствительности
3.2.3 Учет балансирующего узла при анализе чувствительности узлов и слабости ветвей ЭЭС
3.3 Влияние устройств ГЭП на обусловленность матрицы чувствительности..
3.3.1 Учет поперечных устройств ГЭП при составлении матрицы чувствительности
3.3.2 Учет продольных устройств ГЭП при составлении матрицы чувствительности
3.4 Влияние устройств ГЭП на предел передаваемой активной мощности слабых связей ЭЭС
3.5 Выводы по главе
Глава 4. Оценка влияния устройств ГЭП первого поколения на неоднородность ЭЭС
4.1 Введение
4.2 Математический подход к расчету общесистемного показателя неоднородности ЭЭС, содержащих устройства ГЭП
4.2.1 Расчет общесистемного показателя неоднородности ЭЭС методом узловых напряжений
4.2.2 Влияние устройств ГЭП на общесистемный показатель неоднородности йуг

4.2.3 Расчет общесистемного показателя неоднородности ЭЭС методом
контурных токов
4.2.4 Влияние устройств ГЭП на общесистемный показатель неоднородности
4.2.5 Влияние устройств ГЭП на общесистемный показатель неоднородности сН;
4.3 Выводы по главе
Заключение
Список используемой литературы
Приложение А. Алгоритм программы расчета
Приложение Б. Параметры тестовой схемы
Приложение В. Режимные параметры компенсированной электрической сети при одноцепной ВЛ
ре установлено около десяти установок тиристорно-управляемой продольной компенсации, из которых только одна в Европе (в Швеции).
Рис. 1.5. Вольт - амперная характеристика ТУПК
Развитие силовой электроники привело к созданию полностью управляемых силовых приборов, таких как ГССТ тиристоров. На основе этих приборов было разработано новое устройство управляемой продольной емкостной компенсации, названное в [26] безреакторным устройством продольной компенсации (БУПК). Схема такого устройства характеризуется отсутствием управляемого реактора в цепи КБ и представлена на рис. 1.3. б). Управляя углами открытия вентильной группы, можно изменять степень компенсации в широком диапазоне значений.
1.3.4 СТАТКОМ
Управление устройствами ГЭП, описанными выше, основывается на применении частично управляемых тиристоров. В последние годы развитие силовой электроники обусловило появление запираемых тиристоров (ОТО, ЮСТ) и управляемых биполярных транзисторов (ЮВТ), что привело к созданию полностью управляемых полупроводниковых преобразователей - инверторов напряжения. Такая революция в индустрии электроники позволила реализовать идею создания статического компенсатора нового класса технологии ГЭП, названного в англоязычной литературе БТАТСОМ (или БТАТССМ) [33].