Методы и средства структурно-параметрического синтеза тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов в автоматизированном проектировании

• Автор: Евсевичев, Денис Александрович
• Шифр специальности: 05.13.12
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 135 с. : ил.

Оглавление
Введение
1. Аналитический обзор конструктивных особенностей
тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
1.1. Исследование структурных и функциональных особенностей тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
1.2. Исследование современных средств автоматизации
проектирования индикаторов
Выводы и постановка задач
2. Исследование электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных
индикаторов и их зависимостей от конструктивных параметров
2.1. Основные параметры и характеристики
тонкопленочных электролюминесцентных структур
2.2. Исследование электрических характеристик
тонкопленочного электролюминесцентного индикатора
2.3. Исследование светотехнических характеристик
тонкопленочного электролюминесцентного индикатора
Результаты и выводы
3. Разработка методики проектирования тонкопленочных
электролюминесцентных индикаторов
3.1. Анализ методов проектирования
тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
3.2. Селективный структурный синтез тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
3.3. Редукционный параметрический синтез тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
3.4. Квалиметрический анализ тонкопленочных
электролюминесцентных индикаторов
Результаты и выводы
4. Разработка и исследование средств автоматизации проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1. Разработка и исследование видов обеспечения системы автоматизированного проектирования
тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.1. Методическое обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.2. Математическое обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.3. Техническое обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.4. Информационное обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.5. Лингвистическое обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.1.6. Программное обеспечение системы автоматизированного проектирования тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов
4.2. Исследование работы программы при проектировании
конструкций ТПЭЛ индикаторов
Результаты и выводы
Заключение
Список литературы
где () — заряд структуры с последовательно включенными конденсаторами;
СЬ — заряд на обкладках электролюминесцентного конденсатора, образуемые люминесцентным слоем;
Одь 0д2, •••, 0Дт — заряды на обкладках электролюминесцентных
конденсаторов, образуемых т диэлектрическим слоями.
Известно, что заряд на обкладках конденсатора определяется как
<2 = С-и, (2.3)
тогда выражение (2.2) можно записать в виде:
С 'V = Сл - II л = Сд1 ■ ид1 = Сд2 ■ и д2 = ... = Сдт ■ и дт, (2.4)
где И — падение напряжения на всей структуре ТПЭЛ конденсатора; ил — падение напряжения на люминесцентном слое структуры;
Цц1.Цд2, ..., и дт — падение напряжения на диэлектрических слоях структуры.
Напряжение в структуре при последовательно подключенных конденсаторах определяется по формуле:
и = и л +ид1 +ид2 +--- + ^дт' (2-5)
Функциональные особенности работы ТПЭЛ индикатора устанавливают, что в предпороговом режиме падения напряжения на отдельных слоях конденсаторной структуры распределяются обратно пропорционально емкости каждого слоя.
Пороговое напряжение в ТПЭЛ структуре.
При достижении порогового значения при включении ТПЭЛ индикатора напряжение в люминесцентном слое определяется как:
ил=ит, (2.6)
где ит — падение напряжения в слое люминофора при достижении порогового значения.
При увеличении напряжения на структуре ТПЭЛ конденсатора, напряжение в люминесцентном слое не изменяется.