Износ и тонкая структура карбидной фазы контактных поверхностей твердосплавного режущего инструмента

• Автор: Касьян, Сергей Мартынович
• Шифр специальности: 05.03.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ереван
• Количество страниц: 208 c. : ил

ВВЕДЕНЫ Е
1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1. Твердые сплавы. Структура и некоторые особен- '
ности деформации
1.2. Методы заточки и стойкость твердосплавного
режущего инструмента
1.3. Физико-механические процессы изнашивания
режущего инструмента
1.4. Цель и задачи исследования
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Общая схема эксперимента
2.2. Методика заточки инструмента и отжиг
твердосплавных образцов
2.3. Точение твердосплавными режущими пластинами
в различных технологических условиях
2.4. Измерение усилий резания, температуры резца
и некоторых других изучаемых параметров
2.5. Микрорентгеноспектральный и растровый электронномикроскопический анализы
2.6. Теоретический анализ и методика рентгенографического определения параметров тонкой структуры карбидной фазы контактных поверхностей твердосплавных резцов
3. ТОНКАЯ СТРУКТУРА КАРБИДНОЙ ФАЗЫ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ ТВЕРДОСПЛАВНЫХ
РЕЗЦОВ ПОСЛЕ ЗАТОЧКИ РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ

3.1. Плотность дислокаций карбидной фазы
после заточки и высокотемпературного отжига
3.2. Растровый электронномикроскопический анализ
поверхности образцов после заточки различными методами
3.3. Обсуждение результатов рентгеноструктурного и растрового электронномикроскопического
анализов
3.4. Износ резцов, заточенных различными
методами
3.5. Выводы
4. ТОНКАЯ СТРУКТУРА КАРБИДНОЙ ФАЗЫ КОНТАКТНЫХ
ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДОСПЛАВНЫХ РЕЗЦОВ ПОСЛЕ ТОЧЕНИЯ В РАЗЛИЧНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УСЛОВИЯХ
4.1. Износ, усилия и температура резания на
контактных поверхностях режущего инструмента
4.2. Плотность дислокаций карбидной фазы на контактных поверхностях режущих пластин в зависимости от технологических условий
процесса резания
4.3. Растровый электронномикроскопический анализ
контактных поверхностей режущих пластин
4.4. Обсуждение результатов рентгеноструктурного и растрового электронномикроскопического
анализов контактных поверхностей
4.5. Дислокационный механизм износа твердосплавного режущего инструмента

4.6. Теоретические аспекты высокотемпературной деформации и разрушения твердых сплавов
4.7. Выводы
5. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ ТВЕРДОСПЛАВНЫХ
ОБРАЗЦОВ
5.1. Тонкая структура карбидной фазы после высокотемпературного отжига
5.2. Влияние отжига заточенного инструмента на повышение его стойкости в определенных технологических условиях
5.3. Диффузия железа в переднюю поверхность режущих кромок после точения чугуна СЧ 18-36 при различных методах подготовки контактных поверхностей
5.4. Промышленная апробация и внедрение метода отжига заточенного твердосплавного режущего инструмента
5.5. Выводы
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЯ

сравнительная оценка $ в зависимости от различных методов обработки ТС образцов.
В ранних работах [48] нами проводилось разделение и отдельно изучались как размер блоков мозаики (Х>) (и подсчитанная на его основе величина ]? ), так и напряжения второго рода (Дс//с'/) » что приводило к некоторой неопределенности результатов. Из работ [37, 38, 101] вытекает также, что при резком изменении величины Х> в различных условиях алмазного шлифования, величина ЛсУ/с/ изменяется незначительно. Кроме того, однозначный критерий позволяет использовать корректную и широко распространенную модель дислокационного упрочнения.
Теоретический анализ этих положений приведен ниже.
Для понимания рентгенографических эффектов, обусловленных изменениями тонкой структуры материала при пластической деформации, в работе [65] теоретически исследовано рассеяние рентгеновских лучей кристаллами, содержащими системы дислокаций различных типов.
Для случая, когда в кристалле имеются хаотически распределенные винтовые или краевые дислокации с прямыми дислокационными линиями, с учетом суперпозиций смещений, создаваемых всеми дислокациями кристалла, найдено, что наличие дислокаций приводит к эффекту упшрения дифракционной линии. В пространстве обратной решетки распределение интенсивности является гаусовым, ширина которого пропорциональна (р' , где ^ - плотность
дислокаций. Угловая ширина дифракционного пика на дебаеграмме оказывается пропорциональной (где 2© - угол Вульфа-Брэгга.) и зависит от длины и ориентации соответствующего дифракционного вектора. В случае, когда дислокации в кристалле распределены неравномерно, объединяются в стенки и образуют