Фотолиз азида серебра и гетеросистем "Азид серебра - металл", "Азид серебра - полупроводник"

• Автор: Сирик, Светлана Михайловна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 139 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СВОЙСТВА АЗИДА СЕРЕБРА
1.1. Кристаллическая структура
1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства
1.2.1. Оптические свойства
1.2.2. Фотопроводимость
1.3. Электрофизические свойства. Проводимость, тип носителей заряда
1.4. Энергетическая структура
1.5. Исследования фотоэлектрических свойств гетеросистем «AgN3
- металл (полупроводник)»
1.6. Исследования фотохимических свойств систем на основе азида серебра
1.7. Модели фотолиза азидов тяжелых металлов
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Синтез азида серебра и приготовление образцов для исследования
2.2. Масс-спектрометрический метод исследования фотохимического разложения азида серебра и систем на его основе
2.3. Количественный анализ серебра - продукта фотолиза AgN3
2.3.1. Метод инверсионной вольтамперометрии
2.3.2. Метод экстракционно-фотометрического определения серебра с дитизоном
2.4. Спектрометрические и электронно-микроскопические исследования
2.5. Метод измерения темнового и фототока в азиде серебра и гетеросистем «AgN3 - металл(полупроводник)»
2.6. Актинометрия источников излучения
ГЛАВА 3. ФОТОЛИЗ АЗИДА СЕРЕБРА И ГЕТЕРОСИСТЕМ «АЗИД СЕРЕБРА - МЕТАЛЛ», «АЗИД СЕРЕБРА - ПОЛУПРОВОДНИК»
3.1. Фотолиз AgNз
3.1.1. Кинетические закономерности фотолиза под действием света из области края собственного поглощения AgNз
3.1.2. Кинетика фотолиза AgNз под действием света из области примесного поглощения
3.1.3. Спектральное распределение скорости фотолиза AgNз
3.1.4. Идентификация твердофазного продукта разложения азида серебра
3.1.5. Электронно-микроскопические исследования AgN3(Al)
3.1.6. Спектрофотометрические исследования AgNз(Al)
3.1.7. Определение количества серебра-продукта фотолиза азида серебра методами ИВА и ЭФ
3.2. Влияние добавок неорганических полупроводников на процесс фотолиза AgNз(Al)
3.2.1. Фотолиз гетеросистем «AgNз(Al) - полупроводник» под действием света из области собственного поглощения азида
3.2.2. Фотолиз гетеросистем «AgNз(AI)-пoлyпpoвoдник» под действием света из области поглощения полупроводников, при совместном воздействии света из области поглощения AgNз(A) и полупроводников
3.2.3. Спектры диффузного отражения гетеросистем «AgNз(Al)-полу проводник»
3.3. Влияние добавок металлов на процесс фотолиза AgNз(Al)
3.3.1. Фотолиз гетеросистем «AgNз(Al)-мeтaлл» под действием света из области собственного поглощения азида
3.3.2. Фотолиз гетеросистем «AgNз(Al)-мeтaлл» под действием света из области примесного поглощения
3.3.3. Спектры диффузного отражения гетеросистем «AgNз(Al)-металл»
3.4. Темновое пост-газовыделение
3.5. Зонные энергетические диаграммы контакта «AgN3(A1)-металл», «AgNз(Al)-пoлyпpoвoдник»
3.6. Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах на основе АЕЩА,)
3.6.1. Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах «AgNз(Al)-полупроводник»
3.6.2. Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах «AgNз(Al)-металл»
3.7. Механизм фотолиза азида серебра и гетеросистем «AgNз-металл (полупроводник)»
3.7.1. Механизм фотолиза азида серебра
3.7.2. Механизм фотолиза гетеросистем «AgNз-мeтaлл (полупроводник)»
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
тивации составляла О.ЗЗэВ, в то время как в интервале 320-кЗ80нм она равнялась 0.14эВ. Скорость разложения составляла примерно 2.88*10

молекулхсм’ *сек’, что соответствует квантовому выходу 0,002. Авторы [33] предположили, что при разложении азида таллия основной стадией является возбуждение электрона в зону проводимости азида, которое сопровождается образованием азидного радикала. Возбуждение может осуществляться либо в результате прямого межзонного перехода, либо в результате термической диссоциации экситона. Фотолиз в длинноволновой области, проходящий через стадию диссоциации экситонов, был представлен следующей схемой:
N] + hv (N3)* (1) Образование экситона
(Nj)* -> N] + q (2) Возвращение экситона в основное состояние
(N3)* -> N3 + е (3) Термин, диссоциация экситона
N3 + е -> N] + q' (4) Рекомбинация электрона и дырки
2N3 -> 3N2 + Q (5) Рекомбинация двух дырок
Tin + ТГ + е -> Tin+i (6) Захват электрона и образование металла
Механизм фотолиза в коротковолновой области не учитывал промежуточного образования экситона:
N3 + hv -> N3 + е N3 + е N3 + q!
2N3 -> 3N2 + Q Tln + Tl+ + e -> Tin+1
Считая ширину запрещенной зоны AgN3 4.2эВ, в [18] полагали, что образование межмолекулярного N2 при освещении образца светом с длиной волны 365нм происходит в результате взаимодействия либо двух захваченных на поверхности (в соседних узлах) экситонов, либо при взаимодействии свободного экситона (или свободной дырки) с локализованным экситоном: