Синтез и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра сложного состава и строения

• Автор: Кагакин, Евгений Иванович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 316 с. : ил

Оглавление
Введение
Глава 1. Фотографические эмульсии с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра
1.1 Получение и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами
1.2 Пути увеличения фотографической эффективности эмульсий с Т-кристаллами
1.3 Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с Т-кристаллами
Глава 2. Методы и методики экспериментальных исследований
2.1 Кристаллизация микрокристаллов AgHal фотографических эмульсий
2.1.1 Процесс формирования эмульсионных МК как предмет экспериментального исследования
2.1.2 Изготовление галогенидосеребряных фотографических эмульсий
2.2 Электронная и оптическая микроскопия
2.3 Дисперсионный анализ твердой фазы фотографических эмульсий
2.3.1 Анализ микрофотографий кристаллов фотографических эмульсий
2.3.2 Турбидиметрическое определение размера МК мелкозернистых эмульсий
2.4 Дифференциальное растворение
2.5 Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий
2.6 Определение фотографических характеристик эмульсионных
слоев
2.6.1 Сенситометрия

2.6.2 Определение разрешающей способности эмульсионных
слоев
2.7 Методика исследования топографии проявления Мк галогенидов серебра
2.8 Определение тиосульфат- и сульфид-ионов в фотографических эмульсиях А§На
2.9 Определение содержания серебра в фотографических материалах и кроющей способности проявленного серебра
2.9.1 Подготовка образцов к анализу
2.9.2 Выполнение анализа и определение кроющей способности
2.10Потенциометрический метод определения содержания кадмия
2.11 Химические вещества и реактивы
Глава 3. Синтез фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра
3.1 Получение Т-кристаллов с латеральными оболочками переменного галогенидного состава методом КДК
3.1.1 Синтез ядровых Т-кристаллов
3.1.2 Исследование кристаллизации латеральных
оболочек на Т-ядрах
3.1.3 Получение Т-кристаллов с непрерывным изменением галогенидного состава латеральной оболочки
3.1.4 К вопросу о механизме роста Т-кристаллов
галогенидов серебра
3.1.5 Основные результаты
3.2 Исследование получения плоских кристаллов галогенидов
серебра из мелкозернистых эмульсий

3.2.1 Исследование формирования плоских кристаллов
AgBr при ФС МЗЭ
3.2.2 Получение Т-кристаллов галогенидов серебра
сложного состава
3.2.3 Синтез хлоридосодержащих Т-кристаллов
3.2.4 Влияние комплексообразования на процессы формирования Т-кристаллов AgBr
3.2.5 Заключение
Глава 4. Роль состава и строения микрокристаллов галогенидов серебра в формировании фотографических свойств
4.1 Влияние строения и состава Т-кристаллов на фотографические свойства эмульсионных слоев
4.1.1 Влияние строения и состава Т-кристаллов на топографию фотолитического серебра и сенситометрические характеристики эмульсий
4.1.2 Проявление Т-кристаллов с латеральными
оболочками
4.1.3 Влияние галогенидного состава и строения Т-кристаллов AgHal на формирование серебра изображения
4.2 Химическая сенсибилизация плоских микрокристаллов
сложного строения
4.2.1 Сернистая и сернисто-золотая сенсибилизации
Т-МК сложного состава и строения
4.2.2 Образование сульфида серебра при сернистой сенсибилизации МК AgHal
4.2.3 Влияние роданида калия на процесс ХС- и фотографические свойства Т-Ь-МК
4.3 Возможности улучшения свойств фотографических

очень незначительных изменениях внешних условий, что может вызвать, согласно полученным данным, изменение направлений трансляции носителей заряда. С другой стороны, Гранзер с сотр. установил, что граница образования твердых растворов AgBrxIl_x не превышает 15-20 мол.% иодида [166]. Вблизи и выше этого предела образуются смешанные двухфазные растворы AgBrxI^_x + / (3 - , у - / - АцВгх1,.х , для которых можно ожидать свойств гетерофазной границы, соответствующих диаграммам рис. 1.9.
Энергетические диаграммы для кубических и октаэдрических МК AgBr с различным содержанием иодида со средним линейным размером 0,4 мкм и pAg = 8,6 приведены на рис. 1.10. [106].
Как установил Колесников с сотр. [167], изменение величины рА£ влечет за собой изменение величин фт И фр, что коррелирует с изменением стехиометрии поверхности, определенной в работе [170] методом ЭСХА.
Приведенные результаты и результаты, представленные в [163], позволяют составить модельную энергетическую диаграмму, согласно которой электроны могут транслироваться на участке МК с наименьшим содержанием иодида, а фотодырки - с наибольшим.
Попутно следует заметить, что химическая (8 + Аи) сенсибилизация в условиях, близких к оптимальным, не изменяет величин фт , фр, Ец, Ес, Еу для кубических и октаэдрических МК AgBrxIl_x [167]. Таким образом, рассуждения о зонных структурах и электронно-дырочных переходах справедливы не только для примитивных, но и химически сенсибилизированных МК.
Высказанные в работах [106,154,159,161] предположения противоречат друг другу и требуют дальнейшего экспериментального исследования. К тому же авторы не приводят экспериментальных обоснований реальности протекания процессов направленной трансляции фотоиндуцированных носителей зарядов и увеличения вследствие этого светочувствительности