Пленки оксидных сверхпроводников и структуры на их основе

• Автор: Варламов, Юрий Дмитриевич
• Шифр специальности: 01.04.14
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 241 с. : ил.

Глава 1. Формирование пленок оксидных сверхироводн^!«^^^^^'
с низким поверхностным сопротивлением: условия роста, • 1 ‘ о.'СТЕКб структура и свойства г—
1.1. Метод лазерного напыления С) [А С> У
1.1.1. Введение А
1.1.2. Основные принципы метода лазерного напыления
1.1.3. Последовательность формирования пленок
1.1.4. Формулировка целей работы
1.2. Экспериментальное оборудование, образцы и методики
1.2.1. Установка по лазерному напылению пленок
1.2.2. Исследуемые материалы
1.2.3. Методы исследования свойств пленок
1.3.Условия синтеза и свойства пленок оксидных сверхпроводников: результаты экспериментов
1.3.1. Характеризация эпитаксиальных пленок
1.3.2. Влияние условий напыления на ориентационные
и сверхпроводящие свойства пленок
1.3.3. Микроструктура эпитаксиальных пленок на сапфире
1.3.4. Изменение свойств при вариации толщины пленок
1.4. Рост, структура и свойства эпитаксиальных пленок
оксидных сверхпроводников на сапфире
1.5. Получение пленок оксидных сверхпроводников
с низким поверхностным сопротивлением
1.6. Выводы
Глава 2. Кислородный обмен в пленках мсталлоокендных
сверхпроводников и механизм их газочувствизельноети
2.1. Введение
2.2. Методики исследований
2.3. Кинетика кислородного обмена в пленках
2.3.1. Результаты экспериментов

2.3.2. Кинетика окислительно-восстановительных процессов. Обсуждение
2.4. Выводы
Глава 3. Свойства пленок оксидных сверхпроводников
3.1. Анизотропные свойства эпитаксиальных УВагСизО^х пленок
3.1.1. Введение. Анизотропия проводимости ВТСП материалов
3.1.2. Методики исследования
3.1.3. Температурные зависимости компонент сопротивления. Экспериментальные результаты и обсуждения
3.1.4. Особенности измерения проводимости пленок анизотропных материалов методом Монтгомери
3.1.5. Выводы
3.2. Режим тепловой неустойчивости пленок оксидных сверхпроводников в резистивном состоянии
3.2.1. Введение
3.2.2. Методики исследования
3.2.3. Неустойчивость резистивного состояния пленок оксидных сверхпроводников: результаты экспериментов
3.2.4. Инициирование режима тепловой неустойчивости пленок оксидных сверхпроводников воздействием оптического излучения
3.2.5. Условия возникновения тепловой неустойчивости
3.2.6. Оценка характерных времен
3.2.7. Выводы
Глава 4. Формирование микрокапельных контактных элементов
4.1. Микрокапельные контактные структуры
4.2. Соударение микрокапель с твердой поверхностью. Введение
4.3. Исследование процессов при осаждении расплавленных микрокапель припоя. Экспериментальное оборудование и процедуры
4.3.1. Измерение скорости капель
4.3.2. Расчет температуры капель перед соударением
с подложкой
4.4. Влияние условий осаждения на форму затвердевших капель. Результаты экспериментов

4.5. Качественная модель растекания и затвердевания капель
4.6. Затвердевание капель. Характеризация формы
затвердевших капель
4.6.1. Ключевые параметры, характеризующие форму капель
4.6.2. Характерное время затвердевания капель
4.6.3. Частота и полное число колебаний затвердевающей капли
4.6.4. Размер возмущений на поверхности капель
4.6.5. Затвердевание капель на адиабатической подложке
4.6.6. Общее время затвердевания капли и оценка
числа колебаний
4.7. Влияние условий осаждения на финальную форму капель
4.8. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Рис. 1.6. Дифрактограмма образца GdBaCuO пленки на подложке из SrTiCh с ориентацией поверхности (100)
11(005)],
отн.ед.
11(007)1,
отн.ед.
-2 0 ДО, град.
Рис. 1.7. Зависимости интенсивностей рефлексов (005) пленки и (007) подложки SrTiCb от угла качания образца: влияние блочности подложки на ориентацию пленки.