Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Гаспарян, Юрий Микаэлович
01.04.08
Кандидатская
2009
Москва
125 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Оглавление
Введение
1 Обзор литературы
1.1 Взаимодействие ионов водорода с твердым телом
1.1.1 Общие определения
1.1.2 Захват водорода в металлы из газа и пучка ионов
1.1.3 Проницаемость водорода через металлы
1.1.4 Моделирование поведения водорода в твердом теле
1.2 Методы исследования захвата водорода
1.3 Захват водорода в вольфраме
1.3.1 Фундаментальные параметры вольфрама
1.3.2 Дефекты в вольфраме
1.3.3 Транспорт водорода в объем
1.3.4 Интегральные зависимости
1.4 Влияние углеродных покрытий на взаимодействие водорода
материалами
1.4.1 Особенности взаимодействия ионов водорода с углеродом
1.4.2 Влияние углеродных покрытий на проницаемость через металлы
2 Описание установок и методов исследования
2.1 Медион
2.2 ТДС-стенд
2.3 PERMEX
2.4 Анализ ионным пучком МэВных энергий
2.5 SAXS
2.6 FEI Helios
5.5 Выводы к Главе
Заключение ц
Литература
Список сокращений:
ОПМ - обращенный к плазме материалы ТЯР - термоядерный реактор ТТ - твердое тело
ТДС - термодесорбционная спектроскопия
РЭМ - растровый электронный микроскоп
МЯР - метод ядерных реакций
POP - резерфордовское обратное рассеяние
ACM - атомный силовой микроскоп
РФЭС - рентгеновская фото-электронная спектроскопия
ВИМС - вторично-ионная масс-спектрометрия
ЭДС - энерго-дисперсионная спектроскопия
ПЭМ - просвечивающий электронный микроскоп
Еще один процесс, характерный для углеродных материалов, - это химическое распыление. Это явление наблюдается при повышенных температурах и приводит к повышенной скорости распыления, за счет выделения летучих углеводородных соединений. На данный момент это явление достаточно хорошо изучено, существуют модели [71-73], описывающие элементарные процессы и основные закономерности, наблюдаемые в экспериментах. Коэффициент химического распыления зависит от материала, температуры и энергии налетающих ионов. На рис. 1.14 приведены характерные зависимости коэффициента распыления от температуры и энергии падающих ионов дейтерия. Обе зависимости имеют максимум, который достигается при температуре 800 К и энергии 200 эВ/Б, соответственно. Положение несколько меняется в зависимости от остальных параметров. Увеличение плотности потока ионов приводит к уменьшению
0.01
РеШегШт ипра<Д епегду (кеУ)
Рис. 1.14. Зависимость химического распыления от энергии ионов (при комнатной температуре и темпераутере максимальной скорости распыления [74]) и от температуры (для ионов Н+, Б+, Т+ с энергией 100 эВ [71])
коэффициента распыления [71] и сдвигу температуры максимума распыления в область больших температур [71].
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Механизмы лазерной абляции керамической YBaCuO мишени, выращивание ВТСП тонких пленок и исследование их свойств | Югай, Константин Климентьевич | 1999 |
Динамическая теория взаимодействия мощного излучения с плазмой | Андреев, Николай Евгеньевич | 1984 |
Физико-химические процессы в емкостных высокочастотных и барьерном разрядах и их электрические и оптические характеристики | Автаева, Светлана Владимировна | 2012 |