Образование и миграция дефектов в монокристаллах гидрида лития

• Автор: Опарин, Дмитрий Всеволодович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Свердловск
• Количество страниц: 180 c. : ил

Работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Уральского ордена Трудового Красного Знамени политехнического института имени С.М. Кирова.

Глава I. МЕХАНИЗМЫ ДЕФЕКТ00БРА30ВАНИЯ И ДЕФЕКТЫ В
МОНОКРИСТАЛЛАХ ГИДРИДА ЛИТИЯ
1.1. Введете
1.2. Механизмы радиационного дефектообразования
1.2Л. Создание дефектов при упругих столкновениях
1.2.2. Создание дефектов при распаде электронных возбуждений
1.3. Собственные дефекты в гидриде лития
1.4. Примесные дефекты в гидриде лития
1.5. Движение дефектов в гидриде лития
1.6. Постановка задачи исследования
Глава 2. СИНТЕЗ-МОНОКРИСТАЛЛОВ ГИДРИДА ЛИТИЯ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.Г. Получение монокристаллов гидрида лития
2.1.1. Введение
2.1.2. Установка для выращивания монокристаллов Ь'їН
2.1.3. Исходное сырье и установка для заливки лития в тигли
2.1.4. Выращивание неактивированных монокристаллов Ы Н
2.1.5. Выращивание активированных монокристаллов Ьі И
2.2. Образцы и методики экспериментов *
2.2.1. Характеристика образцов

2.2.2. Электронный парамагнитный резонанс
ОПР)
2.2.3* Ядерный магнитный резонанс (ЯМР)
2.2.4. Измерения спектров поглощения
2.2.5. Люминесцентные измерения
2.2.6. Измерение электропроводности
2.2.7. Электролитическое окрашивание кристаллов
2.2.8. Облучение кристаллов ультрафиолетовым светом, нейтронами и электронами
2.3. Выводы
Глава 3. ДЕФЕКТЫ В АДДИТИВНО, ФОТОТЕРМИЧЕСКИ И ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИ ОКРАШЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ ГИДРИДА ЛИТИЯ
3.1. Оптическое поглощение нестехиометрических кристаллов и Н
3.2. Дефекты и поглощение в области длинноволнового спада фундаментального поглощения
3.3. Центры окраски в аддитивно окрашенных кристаллах гидрида лития
3.4. Фотохромные превращения центров окраски в кристаллах 1иН
3.5. Люминесценция центров окраски в нестехиометрических кристаллах Ці Н
3.6. Центры окраски в электролитически окрашенных монокристаллах гидрида лития
3.6.1. Зависимость спектров поглощения электролитически окрашенных кристаллов от времени окрашивания, температуры, по-

ятно, анионными вакансиями или об - центрами.
3.2. Дефекты и поглощение в области длинноволнового спада фундаментального поглощения.
Поглощение в области длинноволнового спада фундаментального поглощения гидрида лития существенно зависит от наличия собственных и примесных дефектов. Наиболее сильное влияние на поглощение в области длинноволнового спада оказывают собственные дефекты, образованные в результате нарушения стехиометрии кристалла (рис.3.1,),
С другой стороны, многочисленные исследования области фундаментального поглощения в различных соединениях позволили установить эмпирический факт: коэффициент поглощения в данном случае экспоненциально зависит от энергии падающих фотонов, а положение края поглощения при повышении температуры претерпевает длинноволновый сдвиг. В наиболее общем случае эта зависимость может быть описана следующим выражением [120} :
К(Я,Т)~К0егР [-6 [Ъд0-Ы)ЦТ], (з.2)
получившим название правила Урбаха [121] . В (3.2) : К -коэффициент поглощения, /?м) - энергия падающих фотонов, К0 и Лм)0 - постоянные, б/ьт - величина, определяющая наклон края фундаментального поглощения, Т - температура.
До настоящего времени не существует удовлетворительной теории, объясняющей зависимость (3,2), Существование длин-