Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310)

• Автор: Якушев, Максим Витальевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 152 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Эпитаксия соединений АИВ'1 на подложках из GaAs.
(Обзор литературы)
1.1 Эпитаксия CdTe на подложках GaAs
1.2 Эпитаксия CdTe на подложках InSb(OOl)
1.3 Гетеропитаксия широкозонных полупроводников
1.4 Диффузия Ga в пленку AnBvl из подложки GaAs
Выводы к Главе 1
Глава 2. Методика эксперимента
2.1 Методика эпитаксиального роста
2.2 Методика определения состава
2.3 In situ методы исследования при гетероэпитаксии соедине-
ний АПВУ|
2.3.1 Дифракция электронов высокой энергии на отражение
2.3.1.1 Дифракция на вицинальных поверхностях
2.3.1.2 Дифракция на двойниках.
2.3.1.3 Дифракция на одномерных объектах
2.3.2 Эллипсометрические исследования роста соединений AnBvl
in situ
2.3.2.1 Оптические модели растущего слоя. Моделирование эволю-
ции эллипсометрических параметров в процессе роста
2.2.2 Измерение температуры эллипсометрическим методом
Выводы к Главе 2

Глава 3. Влияние промежуточных соединений на структуру и состав гетероперехода ZnSe/GaAs(112)B.
3.1 Кристаллохимическое рассмотрение взаимодействия компо-
нентов гетеросистемы гпЗе/ОаАэ
3.2 Экспериментальные результаты
3.2.1 Предэпитаксиальная подготовка
3.2.2 Рост пленок ZnSe
3.2.3 Влияние условий роста на морфологию поверхности
СагпТе(112)В.
3.3 Исследование гетероструктур ZnSe/GaAs( 112)В
3.3.1 Растровая электронная микроскопия гетеросистемы
2п8е/СаАз(112)В
3.3.2 Изучение состава гетероперехода 7п8е/ОаАз(112)В методом

3.4 Сравнение экспериментальных результатов с кристаллохимическим рассмотрением
Выводы к главе 3
Глава 4. Гетероэпитаксия CdZnTe/GaAs(310).
4.1 Введение
4.2 Морфология поверхности (310)
4.2.1 Предэпитаксиальная подготовка
4.2.2 Эпитаксия теллуридов цинка и кадмия
4.3 Внедрение Оа в пленку из подложки при гетероэпитаксии
2пТе/СаА5(310)
4.3.1 Эксперимент
4.3.2 Влияние условий роста на состав гетероструктуры
гпТеЛЗаАзСЗЮ)

4,4 Кинетика начальных стадий роста пленок ZnTe на подложках GaAs(310) и Si(310)
4.4.1 Определение скорости роста и плотности пленок на начальных стадиях роста из эллипсометрических измерений in situ
4.4.2 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на
GaAs(310)
4.4.3 Лимитирующие процессы при гетероэпитаксии ZnTe на
Si(310)
Выводы к Главе 4
Основные положения и результаты (выводы)
Заключение
Список цитированной литературы

Рис.2-1. Построение сферы Эвальда при ДЭВЭО. Диаграмма построена для электронов с энергией 35 кэВ, падающих на поверхность Си(ЮО) в азимутальном направлении [100] при угле скольжения 3° [80].